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[发明专利]在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法-CN201910427566.5有效
发明人：杨晓峰;胡绘钧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法。该方法包括以下步骤：在衬底上制备钝化层；提供探针，所述探针位于所述钝化层上方；加热所述探针至能将所述钝化层汽化的温度，并将所述探针靠近所述钝化层；根据预定的三维图形在所述钝化层上方移动所述探针以将所述钝化层的一部分汽化，从而在所述钝化层上形成三维图形。根据本发明的方法，能够进行钝化层的无掩模图形化、高效快速、成本低、且工艺简化。
衬底材料钝化形成三维图形结构方法

[发明专利]LED显示基板及其制备方法显示面板-CN202010621459.9在审
发明人：曾亭;卢鑫泓;桂和仁;杨健;李永飞 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开提供了一种显示基板，包括：衬底基板，包括显示区域和绑定区域；第一金属导电层图形，位于衬底基板上；第一钝化层，位于第一金属导电层图形远离衬底基板一侧；第二金属导电层图形，位于第一钝化层远离衬底基板的一侧；第二钝化层，位于第二金属导电层图形远离衬底基板一侧；其中，第一金属导电层图形与第一钝化层之间设置有第一黑化层图形，第一黑化层图形在衬底基板上的正投影位于第一导电图形在衬底基板上的正投影所处区域内；和/或，第二导电图形与第二钝化层之间设置有第二黑化层图形，第二黑化层图形在衬底基板上的正投影位于第二金属导电层图形在衬底基板上的正投影所处区域内。
led 显示及其制备方法面板

[发明专利]一种晶圆级3D堆叠结构及其制作方法-CN202310932111.5在审
发明人：蒋兴龙;马书英 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级3D堆叠结构及其制作方法，该晶圆级3D堆叠结构包括主IC晶圆，主IC晶圆正面设第一钝化层，第一钝化层上设目标图形线路RDL，目标图形线路RDL上设第二钝化层，第二钝化层上设目标图形线路UBM，主IC晶圆背面设TSV通孔且其内形成第三钝化层，主IC晶圆背面设第四钝化层，第四钝化层内设目标图形RDL，器件与目标图形RDL相连，塑封层将第三钝化层、第四钝化层和器件包裹在主IC晶圆背面。
一种晶圆级堆叠结构及其制作方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510176895.9有效
发明人：孙志;宋瑞涛 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该方法包括：在基底上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成数据线图形；在形成数据线图形的结构之上形成像素电极图形；在所述像素电极图形、所述数据线图形和所述栅绝缘层之上形成钝化层，所述钝化层中形成有狭缝，所述狭缝位于期望的像素电极图形与期望的数据线图形之间；对形成了钝化层的结构进行刻蚀，以刻蚀掉可能形成在所述狭缝下方的数据线图形；在钝化层上形成公共电极图形。本发明提供的阵列制作方法，能够使得数据线图形不与像素电极图形连接。
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]浅沟槽形成方法及浅沟槽结构-CN200710039251.0有效
发明人：何德飚;宋伟基 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种浅沟槽形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上顺序形成钝化层及辅助介质层；图形化所述辅助介质层；以图形化的所述辅助介质层为硬掩膜，刻蚀所述钝化层及部分所述半导体基底，以形成所述浅沟槽；或者，在所述半导体基底上顺序形成钝化层及辅助介质层后，图形化所述辅助介质层及所述钝化层；以图形化的所述辅助介质层及所述钝化层为硬掩膜，刻蚀部分所述半导体基底，以形成所述浅沟槽。以及，一种浅沟槽结构，包括浅沟槽、半导体基底、顺序形成于所述半导体基底上的钝化层及辅助介质层，所述浅沟槽贯穿所述辅助介质层、钝化层及部分所述半导体基底。可减少浅沟槽形成过程中钝化层表面损伤。
沟槽形成方法结构

[发明专利]一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法-CN201210434538.4有效
发明人：郭晓波 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，1)在需要制作钝化层的硅片上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂和烘烤；2)在非感光性聚酰亚胺上进行光刻胶的旋涂和烘烤；3)用具有钝化层图形的掩模版进行浅层曝光，在光刻胶上形成钝化层图形的潜影；4)用硅烷化剂对上述光刻胶进行硅烷基化处理，将钝化层图形的潜影转化成硅烷基化图形；5)以上述硅烷基化图形为掩膜层，干法刻蚀非感光性聚酰亚胺，形成钝化层图形；6)用光刻胶剥离液除去光刻胶以及硅烷基化图形；7)将图形化的非感光性聚酰亚胺进行固化，获得所需的非感光性聚酰亚胺钝化层。
一种感光性聚酰亚胺钝化制作方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202211210811.5在审
发明人：李明;梁玲;高敏;李佳俊;汤立仁;徐婷婷;梁婧媛;单波;李俊 -专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：形成钝化介质层；于钝化介质层的上表面形成图形化光刻胶层，图形化光刻胶层内具有开口图形；执行刻蚀及修整步骤，包括：基于图形化光刻胶层对钝化介质层进行各向异性刻蚀；对图形化光刻胶层进行修整，以增大开口图形的尺寸；重复刻蚀及修整步骤若干次，以于钝化介质层内形成第一开口。
半导体结构制备方法

[实用新型]光束成像装置-CN201721589774.8有效
发明人：田立飞;李智勇;刘敬伟;张新群;仝飞 -专利权人：中科天芯科技（北京）有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光束成像装置，包括：衬底层；形成在所述衬底层之上的图形层，所述图形层包括图形层底层和图形层表层，所述图形层底层位于所述衬底层之上，所述图形层表层位于所述图形层底层之上；位于所述图形层底层之上的钝化层；位于所述钝化层之上的电极层，所述电极层的电极与所述图形层表层接触；其中，所述图形层表层的折射率大于所述图形层底层的折射率，所述图形层表层的折射率大于所述钝化层的折射率。
图形层折射率衬底层钝化层本实用新型光束成像电极层低传输损耗电极低成本成像

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202110342807.3在审
发明人：颜松 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底内形成有顶层金属层，所述基底暴露所述顶层金属层的顶表面；自下向上依次形成覆盖所述基底的刻蚀停止层及钝化层；在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有一暴露出所述钝化层的开口，所述开口与所述顶层金属层对准；沿着所述开口，在所述图形化的光刻胶层的侧壁和暴露出的所述钝化层上形成保护层；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上本发明以改善钝化层刻蚀后刻蚀停止层表面的平坦度。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种LED芯片制备方法及LED芯片-CN202310582569.2在审
发明人：李美玲;张雪;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片制备方法，所述方法包括：提供一制作好电极的半成品LED芯片；在所述半成品LED芯片的表面沉积钝化层，并对所述钝化层依次进行涂胶、曝光以及显影以在所述钝化层表面得到PSV图形；对带有所述PSV图形的钝化层进行刻蚀，得到漏出N型和P型焊盘的钝化层图形。
一种 led 芯片制备方法

[发明专利]栅极形成方法-CN200710094524.1有效
发明人：韩秋华;杜珊珊;张文广;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极形成方法，包括：在半导体基底上形成多晶硅层；对所述多晶硅层执行掺杂操作；在经历掺杂后的多晶硅层上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，利用氢氟酸溶液图形化所述钝化层；以图形化的所述钝化层为掩膜，图形化经历掺杂后的多晶硅层，以形成栅极。
栅极形成方法

[发明专利]改善晶圆表面胶膜残留的方法-CN202210958214.4在审
发明人：王佳进;刘天福 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供的改善晶圆表面胶膜残留的方法包括：提供晶圆，晶圆的正面形成有金属垫、密封环和切割道，密封环环绕金属垫，切割道位于密封环远离金属垫的一侧，晶圆的正面上形成有钝化层，钝化层保形地覆盖晶圆的正面；在钝化层上形成图形化的光阻层；以图形化的光阻层为掩模，刻蚀钝化层形成通孔，通孔露出金属垫的部分上表面，其中，在刻蚀钝化层形成通孔的过程中，图形化的光阻层始终覆盖密封环的顶面；去除图形化的光阻层，在晶圆的正面上贴附胶膜；对晶圆的背面进行减薄如此，可以避免密封环顶面上的钝化层的上表面在刻蚀过程中变得粗糙，从而不会增大胶膜与密封环顶面上的钝化层的结合力，有助于减小胶膜残留。
改善表面胶膜残留方法

[发明专利]一种空气隙薄膜体声波滤波器制备方法-CN202211183462.2在审
发明人：张志民;张树民 -专利权人：杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气隙薄膜体声波滤波器制备方法，包括以下步骤：S1：在第一衬底的表面依次沉积钝化层、上电极、压电层、下电极，对下电极进行图形化；S2：在下电极上沉积支撑层，并对支撑层进行抛光和图形化后形成空腔；S3：使用第二衬底与支撑层进行键合；S4：将第一衬底消除，将第二衬底作为滤波器的衬底；S5：对钝化层、上电极、压电层进行图形化；S6：在滤波器表面沉积PAD材料；S7：根据测试结果对钝化层进行调频。本发明通过改变钝化层的生长顺序来达到不会恶化谐振器Q值的目的。优先沉积钝化层，与钝化层在空腔形成后沉积相比，不会增加材料层的应力，可以进一步提升Q值。同时没有图形化产生的台阶，钝化层膜层的一致性更优。
一种空气薄膜声波滤波器制备方法

[发明专利]液晶显示面板的制作方法-CN201610864169.0有效
发明人：豆婷;李强 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提供液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：提供一衬底；在衬底表面依次形成第一钝化层及第二钝化层；在第二钝化层表面形成光阻图形层；进行第一次蚀刻，形成第二钝化层过孔；进行第二次蚀刻，形成第一钝化层过孔，同时形成第一钝化层凹陷，第一钝化层凹陷的直径大于该处对应的第二钝化层过孔的直径；去除光阻图形层并沉积透明电极层，透明电极层沿第一钝化层及第二钝化层爬坡生长，在像素区域的第一钝化层凹陷处，透明电极层发生自断本发明的优点在于，将钝化层与像素电极通过一道光罩完成，可以由现有的四道光罩减小到三道光罩，节约制程成本。
液晶显示面板制作方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器的形成方法-CN202310571771.5在审
发明人：姜清华;赵亚楠;李新宇;吴炫聪 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：一种垂直腔面发射激光器的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面依次形成第一反射镜结构、有源层、第二反射镜结构、第一钝化层和第一光刻胶层；提供掩膜版结构，第一区上具有第一图案，第二区上具有第二图案；采用掩膜版结构对所述器件区上的所述第一光刻胶层进行第一图形化和第二图形化，以在第一钝化层上形成第一图形槽和第二图形槽，第一图形槽的图案与第一图案相对应，第二图形槽的图案与第二图案相对应；以第一图形槽为掩膜刻蚀第一钝化层、第二反射镜结构、有源层和第一反射镜结构，形成第一凹槽；以第二图形槽为掩膜刻蚀第一钝化层，在第一钝化层内形成第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽采用一道刻蚀工艺形成。
垂直发射激光器形成方法

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