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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]钛酸锶基储能介质陶瓷及制备方法-CN200410060880.8有效
发明人：刘韩星;吴朝晖;余洪滔;曹明贺 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2004-09-21 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：一种钛酸锶基储能介质陶瓷及制备方法。获得的介质陶瓷具有高介电常数、低损耗、较高击穿强度。本发明可用于各种高压储能介质的制造。
钛酸锶基储能介质陶瓷制备方法

[发明专利]一种锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法-CN202010193218.9在审
发明人：朱惠祥;秦晨 -专利权人：广州凯立达电子股份有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆钛酸铅压电陶瓷，所述锆钛酸铅压电陶瓷由以下重量份原料组成：四氧化三铅55~75份、硫酸钡0~6份、碳酸锶0.2~8份、五氧化二铌0.1~0.9份、五氧化二锑0.2~1份、二氧化锆15~25份、二氧化钛8~15份。本发明所述的锆钛酸铅压电陶瓷采用二步烧结固相合成的制备方法，制备出优良的锆钛酸铅压电陶瓷材料，既有效缩短了高温烧结时间，又在一定程度上节省了能源和时间和生产成本；本发明所述的二步烧结法通过控制温度的变化
一种锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种Sn离子掺杂的BCZT基高储能密度无铅压电陶瓷制备方法-CN202210574493.4在审
发明人：郭鑫;游亚军 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种Sn离子掺杂的BCZT基高储能密度无铅压电陶瓷制备方法，涉及无铅压电陶瓷制备技术领域，包括以下步骤：a，将氧化锆球、原料、去离子水混合后球磨，随后干燥，所述原料包括BaCO2；b，将步骤a干燥得到的混合物煅烧，所到产物二次球磨；c，在步骤b二次球磨后的混合物中加入石蜡，混合均匀，单轴压入盘中，烧结，得到Sn离子掺杂的BCZT基无铅压电陶瓷薄膜本发明所制备的无铅压电陶瓷通过检验，电镜扫描成像，所得照片观察可发现晶粒尺寸均匀、大小可控，P‑E磁滞回线图可得其可恢复能量密度大、储能效率高有利于应用于高储能电容器件。
一种 sn 离子掺杂 bczt 基高储能密度压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种锑掺杂无铅锆基钙钛矿衍生物及其制备方法和应用-CN202110983316.7在审
发明人：王静;甘伟江;楼孙棋;曹鲁豫 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C09K11/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑掺杂无铅锆基钙钛矿衍生物及其制备方法和应用，涉及光电材料技术领域。无铅锆基钙钛矿中锑的掺杂质量百分含量为1～20％，通过在单基质无铅锆基钙钛矿中掺杂锑，使得材料的光致发光效率高达40.1％；光吸收范围广，可在300～400 nm紫外灯激发下即可获得明亮的暖白光发射，荧光峰较宽本发明采用简单的一步水热方法合成锑掺杂无铅锆基钙钛矿衍生物材料的方法，制备效率高，成本低，可用于大规模生产，可广泛应用于照明显示和发光器件领域。
一种掺杂无铅锆基钙钛矿衍生物及其制备方法应用

[发明专利]采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法-CN201410350073.3有效
发明人：毛朝梁;姚春华;曹菲;陈建和;王根水;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法，将经烧结得到的钛酸锶钡陶瓷在氧气气氛下退火，退火温度为800～1250℃，退火时间为2～5小时，即可制得高性能钛酸锶钡热释电陶瓷。本发明通过在烧结制得钛酸锶钡陶瓷后对其进行后退火处理，可以制得高性能的钛酸锶钡热释电陶瓷，其介电常数高，可以达到9500以上，热释电系数高，可以达到18×10^-8C/cm²K以上，且样品纯度高、性能高、均匀性好，可满足制作非制冷红外焦平面器件的要求，有效地解决了BST陶瓷难以烧结至高致密度的问题。
采用退火工艺制备性能钛酸锶钡热释电陶瓷方法

[发明专利]高介电可调性的陶瓷/高聚物功能复合材料及制备方法-CN201610130454.X在审
发明人：高峰;王利;张青青;胡国辛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种高介电可调性的陶瓷/高聚物功能复合材料及制备方法。钛酸锶钡陶瓷颗粒分散在聚偏二氟乙烯基体中。在钛酸锶钡陶瓷颗粒与聚偏二氟乙烯之间通过γ‑氨丙基三乙氧基硅烷粘接。本发明所提供的介电常数在40～56范围内，具有高的介电可调性与易加工性的介电功能复合材料的组成和制备方法，能够满足通讯设备中作为微波移相器、相控阵天线、可调谐电容器等领域的器件对高介电可调性的介电功能材料的需求具有介电常数系列化、高介电可调性、低介电损耗、高储能密度的特点，并且加工性能良好，易于制造结构复杂的构件，降低了实际应用的成本。
高介电可调性陶瓷高聚物功能复合材料制备方法

[发明专利]一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法-CN201811256156.0在审
发明人：杨长红;韩亚洁;钱进;吕盼盼;陈乐欣;林秀娟;黄世峰 -专利权人：济南大学
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法。本发明的薄膜电容器，由柔性云母基片、Pt薄膜底电极、铁电薄膜层和金属Pt或Au顶电极组成。本发明的薄膜电容器，以钛酸铋钠基铁电薄膜作为功能层，其化学通式为0.97(0.94Na_0.5Bi_0.5TiO₃‑0.06BaTiO钛酸铋钠基薄膜电容器耐弯折、储能密度大、储能效率高、热稳定性好、损耗低，可满足柔性储能元器件的要求。
薄膜电容器钛酸铋钠基制备高储能储能电子功能材料薄膜底电极铁电薄膜层储能效率化学通式器件领域热稳定性铁电薄膜云母基片顶电极功能层耐弯折元器件金属

[发明专利]一种磁电复合薄膜及其制备方法-CN201510654518.1有效
发明人：董显林;肖玲;陈莹;王根水;刘振 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁电复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜为层状结构，包括锆钛锡酸铅反铁电陶瓷衬底以及沉积在所述衬底上的镧锶锰氧薄膜；所述锆钛锡酸铅的化学结构式为：Pb_0.97La_0.02(Zr_0.58Sn_xTi_0.42‑x)O₃，其中0.3锶锰氧的化学结构式为
一种磁电复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用-CN202110532288.7有效
发明人：韩高荣;林宸;任召辉;陈嘉璐;周迪逵;曹海文 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用。该薄膜是在掺铌钛酸锶基底上外延生长的大面积高质量的锆钛酸铅单晶薄膜，具有面积接近cm2级别的宏观尺寸，厚度可达微米级，且在铁电极化方向上锆离子和钛离子比例呈梯度变化该单晶锆钛酸铅薄膜是通过将共沉淀反应和水热反应结合，在远低于居里温度的环境中制备得到的，工艺过程简单、可控，成本低，易于规模化生产，在铁电存储器、热释电传感器和电光探测器等领域具有广泛的潜在应用前景。
一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备应用

[发明专利]一种铌酸锶钡钾基玻璃陶瓷储能材料及其制备方法与应用-CN201610578443.8有效
发明人：王海涛;翟继卫;刘金花;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锶钡钾基玻璃陶瓷储能材料及其制备方法与应用，所述的制备方法具体包括以下步骤：以SrCO₃、BaCO₃、K₂CO酸锶钡钾基玻璃陶瓷储能材料，该铌酸锶钡钾基玻璃陶瓷储能材料应用于储能电容器材料。与现有技术相比，本发明通过在铌酸钡钾体系中添加锶制备的玻璃陶瓷储能材料不但具有较高的储能密度(17.28J/cm³)，较均匀致密的微观结构，而且具有较低的介电损耗角的正切值(0.006
一种铌酸锶钡钾基玻璃陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]钛酸铋钠系列薄膜材料及其制备方法-CN02135524.X无效
发明人：王卓;杨长红;房昌水;王民;韩建儒;陈焕矗;胡季帆 -专利权人：山东大学
申请日： 2002-09-11 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明的主要内容是钛酸铋钠系列薄膜材料是由钛、铋、钠、钡、铅、锶、钙和氧离子组成的，其组成的分子式为(1－X)(Bi0.5Na0.5)TiO3+XMTiO3，X的取值为0～0.6；M代表钡、铅、锶或钙。它克服了钛酸铋钠陶瓷在铁电区电导率偏高，烧结温度窄，易吸水等弱点。本发明具有良好的存储特性和热释电性，可广泛用于微电子，光电子，计算机，传感器，航空航天技术等领域。
钛酸铋钠系列薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷粉末与浆料及其制备工艺-CN202010533407.6在审
发明人：龚文;徐高翅;吴超峰 -专利权人：佛山（华南）新材料研究院
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提出一种用于光固化3D打印的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷粉末与浆料及其制备工艺，采用锂、钡、钙、钛和钴元素进行掺杂，获得改性的铌酸钾钠基压电陶瓷粉末；采用光引发剂、光敏树脂、分散剂、消泡剂在搅拌机预混合获得各组分均匀的树脂混合液；获得的改性铌酸钾钠基压电陶瓷粉末和树脂混合液搅拌机预混合，然后在球磨机充分混合，最后在真空脱泡机抽真空脱泡，从而得到成分均匀的、粘度适中的、光固化活性高的无铅压电陶瓷浆料。该浆料适用于光固化陶瓷3D打印机，可成型的各种复杂形状的，优异的压电性能和高致密度的无铅压电陶瓷元器件。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷粉末浆料及其制备工艺

[发明专利]一种高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板的制备方法-CN202310120364.2在审
发明人：姜滔;敖来远;韩玉成;应建;何创创;陈传庆 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B35/057 文献下载
摘要：所述陶瓷粉组分包括碳酸钙、碳酸锶、二氧化锆、五氧化二铌、氧化锌；采用碳酸锶、二氧化锆、二氧化钛合成锆锶钙钛主体材料；采用五氧化二铌、氧化锌及碳酸钙对锆锶钙钛主体材料进行掺杂改性，形成锆锶钙钛基瓷粉，即高温稳定型陶瓷粉所述陶瓷基板制备方法为：(1)在所述锆锶钙钛基瓷粉中，加入分散剂、溶剂、粘结剂；(2)通过球磨工艺制备成流延浆料；(3)所述流延浆料经过流延、裁片、叠片、等静压、热切、排胶、烧结后得到陶瓷基板。解决了现有锆酸钙作为陶瓷主体材料存在介电常数低、烧结温度高、温度特性差的问题。广泛应用于高温稳定型陶瓷粉及其陶瓷基板领域。
一种高温稳定陶瓷及其制备方法

[发明专利]无铅高储能性能的钛酸钡基陶瓷材料及其制备方法-CN202210651228.1在审
发明人：司峰;王秀红 -专利权人：摩比天线技术（深圳）有限公司;摩比科技（深圳）有限公司;摩比通讯技术（吉安）有限公司;摩比科技(西安)有限公司;深圳市晟煜智慧网络科技有限公司;西安摩比天线技术工程有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供了一种无铅高储能性能的钛酸钡基陶瓷材料及其制备方法，无铅高储能性能的钛酸钡基陶瓷材料由主晶相和改性剂制得；所述主晶相的化学通式为BaTiO3‑xSr<借此，本发明提升了钛酸钡基陶瓷材料的能量密度和能量效率。
无铅高储能性能钛酸钡陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种镍掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备和应用-CN202110532409.8有效
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;杨倩;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备和应用。该薄膜为表面光滑平整的镍掺杂钛酸铅单晶薄膜，其具有平整的界面，厚度为200nm～3000nm。本发明是以钛酸四正丁酯、硝酸铅、六水合硝酸镍为主要原料，以氢氧化钾为矿化剂，引入共沉淀法，并以掺铌的钛酸锶为基板，在200～220℃下进行水热反应，制备得到镍掺杂钛酸铅单晶薄膜。
一种掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备应用

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