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[实用新型]用于铁电存储器的铁电薄膜电容-CN201320042396.7有效
发明人：谢文广;周静 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：用于铁电存储器的铁电薄膜电容，属于铁电薄膜技术领域。它解决了现有PZT铁电电容的性能差及漏电流大的问题。它包括硅基底层，它还包括上电极层、上电极缓冲层、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层、粘结层和阻挡层，所述铁电薄膜层为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层的厚度为320nm至380nm；上电极层、上电极缓冲层、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层、粘结层和阻挡层按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层粘结固定在硅基底层上。本实用新型为一种铁电薄膜电容。
用于存储器薄膜电容

[实用新型]铁电薄膜电容-CN201320042511.0有效
发明人：周静;谢文广;李钟婧 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：铁电薄膜电容，属于铁电薄膜技术领域。它解决了现有PZT铁电电容的性能差及漏电流大的问题。它包括硅基底层，它还包括六个上电极、六个上电极缓冲柱、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层和阻挡层；所述铁电薄膜层为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层的厚度为400nm至480nm；硅基底层上由下至上顺次粘接固定阻挡层、下电极层、下电极缓冲层和铁电薄膜层，铁电薄膜层的上表面上均匀分布六个上电极缓冲柱，每个上电极缓冲柱上均设置一个上电极。本实用新型作为一种铁电薄膜电容。
薄膜电容

[发明专利]一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法-CN202210192395.4在审
发明人：罗庆;王渊;姜鹏飞;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种铁电膜的制作方法和半导体器件的制作方法，铁电膜的制作方法包括：通过溅射工艺溅射靶材，制备铁电薄膜，其中，靶材包括二氧化铪靶材和锆单质靶材。半导体器件的制作方法包括在衬底之上形成栅极介电层；通过铁电薄膜的制作方法，在栅极介电层上形成铁电薄膜；在铁电薄膜之上形成栅电极，其中，栅极介电层、铁电薄膜和栅电极均介于衬底的源极区和漏极区之间。另一种半导体器件的制作方法包括在衬底之上形成下电极层；通过铁电薄膜的制作方法，在下电极层之上形成铁电薄膜；在铁电薄膜之上形成上电极层。本发明提高铁电薄膜和半导体器件的铁电性能，增强铁电薄膜的可靠性和稳定性，降低铁电薄膜的漏电率。
一种铁电膜制作方法半导体器件

[发明专利]一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容-CN202011431103.5在审
发明人：段阳;胡芳仁;成宏卜;张伟;张雪花 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容，包括硅基底层、上电极层、铁电薄膜层以及下电极层，所述上电极层、铁电薄膜层以及下电极层依次设置于硅基底层上且在上电极层、下电极层与铁电薄膜层之间分别设置有缓冲层，在所述缓冲层与铁电薄膜层之间设置有隔离层，所述上电极层的上部设置有呈格栅状的金属互联，本发明引入隔离层，改善界面，减少了薄膜中氧空位的聚集程度，铁电薄膜的疲劳及保持性能得到了极大的改善。
一种应用于储存器使用薄膜电容

[发明专利]一种水转移铁电薄膜空间光调制器-CN202211319182.X在审
发明人：王俊嘉;陶梦雪;董国华 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G02F1/135 文献下载
摘要：本发明公开了一种水转移铁电薄膜空间光调制器，该调制器包括铁电薄膜层(2)、电源(3)和电极(4)；其中，铁电薄膜层为块状，在铁电薄膜层上设有平行的两条电极，电源连接在平行的两条电极上；在铁电薄膜层的平面建立xyz坐标系，y轴为光传播方向，铁电薄膜层垂直于光束的光传播方向y轴方向放置，光束到达铁电薄膜层处，通过电极给薄膜施加电场产生极化，从而调制薄膜折射率。本发明采用水转移方法制备铁电薄膜层，不仅可以保留钛酸钡薄膜良好的铁电性、外延性和优异的柔韧性，且操作简单，成本低，具有广泛的应用前景。
一种转移薄膜空间调制器

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法-CN202310104007.7在审
发明人：廖敏;罗梓綦;曾斌建;郑帅至;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜电容技术领域。本发明提供了一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法，在衬底一面顺次沉积第一金属层、氧化铪基铁电薄膜、第二金属层，得到金属‑铁电‑金属结构的铁电电容；对金属‑铁电‑金属结构的铁电电容进行热处理后，顺次进行刻蚀第二金属层、在氧化铪基铁电薄膜上沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层，得到金属‑铁电‑金属结构的氧化铪基铁电薄膜电容。本发明氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法相较于传统的金属后退火(PMA)处理，通过沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层可进一步提高氧化铪基铁电薄膜电容的极化强度，进一步优化氧化铪基薄膜的铁电性能
一种氧化铪基铁电薄膜电容性能优化方法

[发明专利]基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法-CN202210917511.4在审
发明人：姜杰;冯凯明;张彪 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及制备方法，其制备方法包括：提供缓冲层；在缓冲层表面形成氧化铪基铁电薄膜，得到稳定的氧化铪基铁电薄膜结构；其中，缓冲层的材质为二维材料，缓冲层与氧化铪基铁电薄膜之间通过范德华力作用连接本发明的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法采用超薄的二维材料作为缓冲层，相比于传统硅基板与铁电薄膜化学键合，本发明是以范德华力作用连接，采用二维的缓冲层与氧化铪基铁电薄膜范德华力作用结合，以形成范德华异质界面，使得氧化铪基铁电薄膜与二维材料缓冲层之间裸露出来，增大薄膜的表面能，促进向铁电相的转变，并且以无应力状态保证氧化铪基铁电薄膜的自由生长和结晶。
基于范德华力作氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法

[发明专利]一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器-CN201410249458.0有效
发明人：王金斌;宋宏甲;钟高阔;李波;钟向丽;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器，在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间含缺陷调控层；所述缺陷调控层材料的相对介电常数不低于5，且不高于铁电材料相对介电常数，厚度为1～20nm，且缺陷调控层与多晶铁电薄膜层厚度比为0.001～0.2；所述缺陷调控层材料的能带带隙大于3eV，与多晶铁电薄膜的晶格失配小于0.1。通过在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间植入缺陷调控层，降低了存储单元中的缺陷及其控制难度，进而降低了缺陷对阻变行为的不利影响，从而显著提高了存储器的数据保持力、抗疲劳特性、
一种多晶薄膜电阻存储器

[发明专利]铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法-CN200610125087.0无效
发明人：于军;王耘波;彭刚;周文利;高俊雄 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法，本发明铁电存储器用铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅阻挡层、二氧化钛粘结层、下电极金属层、下缓冲层、铁电薄膜层、上缓冲层、上电极金属层组成；二氧化钛粘结层的厚度为10～30nm；下电极金属层的厚度为100nm～200nm；下缓冲层的厚度为5～20nm；铁电薄膜层的厚度为200nm～500nm；上缓冲层的厚度为100nm～200nm；上电极金属层的厚度为80nm～本发明铁电存储器用铁电薄膜电容疲劳速率小，漏电流较小。本发明铁电存储器用铁电薄膜电容采用磁控溅射的方法逐层溅射制备，制备的薄膜结晶性能较好，可获得单一取向的薄膜。
存储器用薄膜电容及其制备方法

[发明专利]一种多层交叠的铁电电容结构-CN201910230930.9有效
发明人：李建军;王森 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层交叠的铁电电容结构，包括电极1，电极2，金属层1，金属层2，金属层3……一直到金属层n，和没两层金属中间的铁电薄膜层，包括铁电薄膜层1，铁电薄膜层2，铁电薄膜层3……一直到铁电薄膜层n‑1；电极1连接金属层1，金属层3，金属层5……一直到金属层n‑1；电极2连接金属层2，金属层4，金属层6……直到金属层n(其中，n可以根据需求调整，且n不小于2)。本发明在实现保留较大的等效铁电电容面积的同时尽可能的缩小了铁电电容在芯片中的面积。
一种多层交叠电容结构

[发明专利]一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容及其制备方法-CN200810236807.X无效
发明人：于军;闻心怡;王耘波;周文利;高俊雄;李建军;赵远 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明属于铁电存储器技术领域，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅层、二氧化钛粘结层、金属铂导电层、铅酸钡下电极层、铁电薄膜层和铅酸钡上电极层构成；其中铅酸钡下电极层厚度为100～200nm；铁电薄膜为掺铌的锆钛酸铅材料，其厚度为200～300nm；铅酸钡上电极层厚度为100～200nm；和传统基于铂电极的铁电薄膜电容相比，本发明铁电薄膜电容器工艺温度更低，矫顽场更小，抗疲劳特性更好。
一种用于存储器薄膜电容及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法-CN201610518884.9在审
发明人：李效民;徐雷雷;高相东;朱秋香 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法，所述氮化镓基铁酸铋铁电薄膜由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体薄膜衬底上的TiO₂缓冲层、锰酸锶镧缓冲层以及铁酸铋铁电薄膜层构成本发明的有益结果是采用LSMO/TiO₂双缓冲层，减小了铁酸铋与氮化镓之间的晶格失配度，实现了铁酸铋铁电薄膜在氮化镓半导体薄膜上的外延生长，获得了（111）单一取向的铁酸铋薄膜，实现了铁酸铋铁电薄膜与氮化镓半导体的外延集成
一种氮化镓基铁酸铋铁电薄膜及其制备方法

[发明专利]具有相同特性的存储单元的半导体存储器及其制造方法-CN02119797.0有效
发明人：笠井直记 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2002-05-16 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：在半导体存储器的制造方法中,下电极薄膜(60)经过层间绝缘薄膜(22,32,42,52)形成在半导体衬底(10)上。在单元阵列区均匀加热下电极层的同时,在下电极层上形成铁电薄膜(62)。在铁电薄膜上形成上电极薄膜(63)。在存储单元阵列区形成铁电电容器(70)。每个铁电电容器包括下电极薄膜,铁电薄膜和上电极薄膜。
具有相同特性存储单元半导体存储器及其制造方法

[发明专利]铁电薄膜电容的结构和制备方法-CN202210374731.7在审
发明人：张禹;张恒;于方舟;李悦;孙一鸣;张敏 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种铁电薄膜电容以及铁电薄膜电容的制备方法，本申请提供的铁电存储电容的结构，包括：第一金属电极；第二金属电极；铁电层，所述铁电层设置于所述第一金属电极和所述第二金属电极之间；其中，所述铁电层的材料为锆掺杂二氧化铪材料，所述锆掺杂二氧化铪材料中掺杂有氮元素，该铁电薄膜电容通过在锆掺杂二氧化铪铁电层中原位注入氮元素，可以钝化薄膜沉积过程中受高温影响产生的氧空位；此外，在铁电薄膜电容使用过程中，可以于铁电层内部通过填补氧空位的方式减少电缺陷，从而改善由于氧空位累积导致的铁电薄膜印记效应和击穿现象，提高铁电薄膜电容的性能以及使用寿命。
薄膜电容结构制备方法

[发明专利]一种强度和偏振主动可调的太赫兹波发射器-CN201910141811.6在审
发明人：陆亚林;黄秋萍;王建林;程浩;傅正平;杨萌萌;黄浩亮;何泓川 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种强度和偏振主动可调的太赫兹波发射器，包括：铁电层；设置在铁电层一侧的导电层；设置在铁电层背离导电层一侧的铁磁金属薄膜；设置在铁磁金属薄膜背离铁电层一侧的非铁磁金属薄膜；磁场装置，用于给铁磁金属薄膜施加水平方向且平行于铁磁金属薄膜的磁场，磁场的方向可调；电压装置一端与导电层连接，另一端与非铁磁金属薄膜连接；飞秒激光源用于发射飞秒激光，飞秒激光沿垂直于导电层的方向依次透过导电层、铁电层、铁磁金属薄膜和非铁磁金属薄膜，在磁场装置和电压装置的控制下
铁磁金属薄膜导电层铁电层太赫兹波偏振发射器非铁磁金属磁场装置电压装置飞秒激光主动可调薄膜磁场背离飞秒激光源生产成本低方向可调灵活控制可调的与非平行垂直施加发射应用

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