“游亚军”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于传动梁结构的硅基铌酸锂压电振动传感器及制备方法-CN202311139761.0在审
发明人：耿文平;丑修建;张慧毅;乔骁骏;李晓黄;武晓慧;陆昊;余楠鑫;张亦弛;游亚军 -专利权人：中北大学
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N30/30 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于传动梁结构的硅基铌酸锂压电振动传感器及制备方法。所述传感器包括Si基底，Si基底表面生长一层SiO2薄膜后与LiNbO3晶片键合后构成Si‑LiNbO3键合片；Si‑LiNbO3键合片经MEMS工艺形成基底边框、中心质量块及四条悬臂传动梁；悬臂传动梁由呈垂直布置的宽梁和窄梁构成，宽梁端部与中心质量块的侧面连接，窄梁端部与基底边框的侧面连接；四条悬臂传动梁规则布置于基底边框和中心质量块之间。本发明设计合理，由于铌酸锂在高温环境下可以保持很好的压电特性，这对于极端环境下的振动信号监测具有广阔的应用前景。
基于传动结构硅基铌酸锂压电振动传感器制备方法

[发明专利]一种基于铁电半导体材料的光电响应突触器件制备方法-CN202310478329.8有效
发明人：乔骁骏;崔浩然;耿文平;李稼禾;丑修建;陆昊;牛丽雅;杨凌霄;汪子涵;张亦驰;游亚军 -专利权人：中北大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于铁电半导体材料的光电响应突触器件制备方法，通过机械剥离制备二维α‑In2Se3纳米片，采用光刻工艺在重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面进行对准标记并完成金属电极的溅射，使用剥离工艺，实现金属电极图形化。将二维α‑In2Se3纳米片转移到重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面极间缝隙处，采用湿法转移石墨烯覆盖于α‑In2Se3纳米片表面，最后使用ALD在器件表面生成Al2O3薄膜层完成封装。本发明提供的基于铁电半导体材料的光电响应突触器件通过光刺激对载流子调节实现α‑In2Se3沟道层的电导控制，制得的器件具有低功耗、低延时、结构简单和感存算一体等优点。
一种基于半导体材料光电响应突触器件制备方法

[发明专利]一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法-CN202310436129.6有效
发明人：耿文平;乔骁骏;陆昊;丑修建;牛丽雅;李稼禾;余楠鑫;段志刚;张亦驰;游亚军 -专利权人：中北大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N30/045 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS制备工艺，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法，在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属，将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合，接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜，并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜，最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式，将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性，利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法，有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。
一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米调控方法

[发明专利]一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法-CN202310444369.0有效
发明人：耿文平;乔骁骏;陆昊;丑修建;牛丽雅;李稼禾;余楠鑫;段志刚;张亦驰;游亚军 -专利权人：中北大学
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B81C99/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS材料制备，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法，LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上，在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压，利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构，制备“钩型”电畴结构，并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性，制备倾角约为90°的“钩型”畴结构，利用纳米级带电畴壁高开关比特性，有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题，制得产物不惧各种恶劣环境，功耗低、开关比高、重复性强，具有稳定性、低能耗、可重复等优点。
一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米逻辑方法

[发明专利]一种布里渊光纤激光窄带可调双通带微波光子滤波器-CN202211556583.7在审
发明人：丑修建;游亚军;贺文君;刘毅;许鑫;韩学锋 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H04B10/2507 文献下载
摘要：本发明涉及光纤通信与微波光子学技术领域，现有的可调谐双通带微波光子滤波器通带稳定性差，不能满足实际的应用需求；本发明提供一种布里渊光纤激光窄带可调双通带微波光子滤波器，通过可调谐激光源与强度调制器生成双音泵浦光激发布里渊，结合布里渊光纤振荡器和级联法布里‑珀罗腔，将布里渊增益谱压窄至kHz量级，同时利用两个环形腔不同的周期共振频率，有效抑制边模，滤出所需的频带信号；此外，通过改变泵浦光波长同步地调谐滤波器两个通带的中心频率，同时控制信号发生器的输出频率来改变两个通带之间的频率间隔，最终实现窄线宽可调谐双通带微波光子滤波器。
一种布里渊光纤激光窄带可调双通带微波光子滤波器

[发明专利]可切换布里渊频移光纤激光高频窄带微波光子滤波器-CN202211557284.5在审
发明人： 游亚军;刘毅;丑修建;贺文君;王琳毅;冯刘艳 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明涉及窄带宽滤波器，由于掺铒光纤的增益带宽有限，光纤等延时器件影响传输函数在频率内的周期，受限于材料的布里渊频移量，传统光纤环形谐振腔的结构限制了受激布里渊散射增益的压窄阈值，本发明提供一种一种可切换布里渊频移光纤激光高频窄带微波光子滤波器，通过使用可切换布里渊频移光纤激光器产生的激光与调制光耦合后，对其拍频后，即可实现窄带宽微波光子布里渊滤波器的窄带宽激光滤波；可切换布里渊频移光纤激光器中将布里渊频移间隔选择结构接入光路，进而达到布里渊频率间隔选择目的。本发明利用可切换布里渊频移光纤激光器，通过布里渊频移间隔选择窄线宽激光输出的工作频率，进而实现单通带高频窄带宽激光滤波。
切换布里渊频移光纤激光高频窄带微波光子滤波器

[发明专利]一种基于布里渊光纤激光器的窄带可调谐微波光子滤波器-CN202210998053.1在审
发明人：刘毅;游亚军;丑修建;贺文君;许鑫;侯甲鑫 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明涉及微波光子信号处理领域，公开了一种基于布里渊光纤激光器的窄带可调谐微波光子滤波器，窄线宽连续波光纤激光器Ⅰ依次连接偏振控制器Ⅰ、相位调制器、环形腔Ⅰ；窄线宽连续波光纤激光器Ⅱ依次连接偏振控制器Ⅱ、掺铒光纤放大器、环形腔Ⅰ，环形腔Ⅰ连接光电探测器、矢量网络分析仪、相位调制器。本发明提出将窄线宽双环布里渊激光器与微波光子滤波结构设计相结合，利用布里渊光纤激光器有效压窄受激布里渊散射增益谱的特性来实现窄带滤波，解决现有微波光子滤波器实现亚kHz量级单通带滤波技术难题，此外，采用双波长结构，分别提供调制光与布里渊泵浦光，通过改变调制光波长调谐滤波器通带中心频率，最终实现窄带可调谐微波光子滤波器。
一种基于布里渊光纤激光器窄带调谐微波光子滤波器

[发明专利]一种基于布里渊光纤激光器的窄带单通微波光子滤波器-CN202210875160.5在审
发明人：丑修建;刘毅;游亚军;贺文君;王琳毅;江恺 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于布里渊光纤激光器的窄带单通微波光子滤波器，涉及建筑工程领域，窄线宽连续波光纤激光器的输出端与分光耦合器Ⅰ的a端口连接，分光耦合器Ⅰ的c端口与双环结构布里渊光纤激光器的a端口连接，分光耦合器Ⅰ的b端口与相位调制器的a端口连接，相位调制器的c端口与双环结构布里渊光纤激光器的b端口连接，双环结构布里渊光纤激光器的c端口与分光耦合器Ⅱ的a端口连接，分光耦合器Ⅱ的b端口与光谱仪的输入端口连接，分光耦合器Ⅱ的c端口与光电探测器的输入端口连接，光电探测器的输出端与矢量网络测试仪的输入端连接，矢量网络测试仪的输出端与相位调制器的b端口连接。实现了微波光子滤波器的亚千赫兹级窄带宽单通滤波。
一种基于布里渊光纤激光器窄带微波光子滤波器

[发明专利]基于纳米类金刚石薄膜的直立石墨烯复合物制备方法-CN202210621350.4在审
发明人：郭鑫;游亚军 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了基于纳米类金刚石薄膜的直立石墨烯复合物制备方法，涉及直立石墨烯复合物制备技术领域，包括以下步骤：a，通过磁控溅射将金属催化剂均匀溅射在基底表面；b，将步骤a制备的溅射有金属催化剂薄膜的基底置于含碳气体环境中，制得纳米类金刚石薄膜；c，将步骤b制得的沉积纳米类金刚石薄膜的基底，置于氢气环境下，缓慢升温，随后维持使纳米类金刚石石墨化，得到基于纳米类金刚石薄膜的直立石墨烯复合物薄膜。通过产物扫描电镜照片，直立石墨烯生长在纳米类金刚石薄膜表面，有效提升与基底的附着力，适用于一些特殊功能器件，解决了形成的直立石墨烯层微观上底部有较多无定形碳影响材料质量和性能等问题。
基于纳米金刚石薄膜直立石墨复合物制备方法

[发明专利]一种Sn离子掺杂的BCZT基高储能密度无铅压电陶瓷制备方法-CN202210574493.4在审
发明人：郭鑫;游亚军 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种Sn离子掺杂的BCZT基高储能密度无铅压电陶瓷制备方法，涉及无铅压电陶瓷制备技术领域，包括以下步骤：a，将氧化锆球、原料、去离子水混合后球磨，随后干燥，所述原料包括BaCO3、CaCO3、TiO2、SnO2；b，将步骤a干燥得到的混合物煅烧，所到产物二次球磨；c，在步骤b二次球磨后的混合物中加入石蜡，混合均匀，单轴压入盘中，烧结，得到Sn离子掺杂的BCZT基无铅压电陶瓷薄膜。本发明所制备的无铅压电陶瓷通过检验，电镜扫描成像，所得照片观察可发现晶粒尺寸均匀、大小可控，P‑E磁滞回线图可得其可恢复能量密度大、储能效率高有利于应用于高储能电容器件。
一种 sn 离子掺杂 bczt 基高储能密度压电陶瓷制备方法

[发明专利]线检测方法及设备-CN200510128784.7有效
发明人： 游亚军;胥立丰;马小勇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G06K9/46 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种比常规方法比如Hough Transform Method更加有效且精确地检测线的新颖的方法和设备。本方法和设备基于边缘方向的分类，具体地，边缘被分为水平和垂直边缘，由此导致了在每个含方向边缘图中，实线形成了长连通元素，而文本或其它目标形成了一些分离的元素。根据本发明的一方面，线检测方法包括：含方向边缘图计算步骤，用于基于输入图像计算水平边缘图和垂直边缘图；候选线确定步骤，用于基于每一个所计算的水平边缘图和所计算的垂直边缘图确定候选线；以及线确定步骤，用于基于所述候选线确定线的位置。
检测方法设备

1
共 11 条