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[发明专利]一种基于BiAlO₃掺杂BaTiO₃无铅压电陶瓷储能电容器的制备方法-CN201910534776.4在审
发明人：赵天祥;陈智慧;邱建华;朱科钤;朱媛媛;赵晓东 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明属于无铅压电陶瓷材料领域，具体涉及一种BiAlO₃掺杂BaTiO₃无铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用，本发明中无铅压电陶瓷材料按照陶瓷材料的化学表达式(1‑x)BaTiO₃‑x BiAlO₃(0.02≤x≤0.08)进行计算、称量和配料，然后采用固相反应法进行制备，其制备方法简单，制得了高储能密度和高储能效率的无铅陶瓷材料，能够有效地提高无铅陶瓷储能电容器的储能密度和储能效率，同时有效地解决了目前铅基储能电容器中铅对环境的污染和储能效率低的问题，在无铅陶瓷储能电容器领域有较好的发展前景。
无铅压电陶瓷储能电容器制备储能效率无铅陶瓷高储能有效地掺杂制备方法和应用无铅陶瓷材料固相反应法化学表达式材料领域陶瓷材料称量储能铅基污染

[发明专利]一种无铅高介电储能密度和高储能效率的陶瓷材料及其制备方法-CN201810630435.2有效
发明人：白晗;李均;洪杨;周忠祥;施扣忠 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种无铅高介电储能密度和高储能效率的陶瓷材料及其制备方法，它涉及陶瓷材料及其制备方法。它是要解决现有铅基陶瓷介电储能材料中铅的环境污染及介电储能效率低的技术问题。本发明的陶瓷材料的化学表达式为(Sr
陶瓷材料储能介电高储能高介电无铅制备储能效率湿法球磨管式炉预制体烘干三氧化二铁粉末化学表达式五氧化二铌储能材料电子领域铅基陶瓷烧结碳酸钡碳酸锶粘结剂可用预烧制法压制

[发明专利]一种高储能密度宽工作温度无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜及其制备方法-CN202210043372.7在审
发明人：刘明;马春蕊;陆锐 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01G11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度宽工作温度无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜及其制备方法，高储能密度宽工作温度无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜，包括Nb:SrTiO3基片和设置于Nb:SrTiO3基片上的无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜；所述无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜为BaHf0.17TiTi0.83O3‑xHfO2薄膜，之后进行退火，得到所述高储能密度宽工作温度无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜本发明高储能密度宽工作温度无铅纳米复合柱状阵列结构薄膜具有储能密度高，宽温范围宽的特点。
一种高储能密度工作温度纳米复合柱状阵列结构薄膜及其制备方法

[发明专利]一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法-CN201710988665.1在审
发明人：周开珍 -专利权人：周开珍
申请日： 2017-10-22 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明提供一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法，属于储能陶瓷技术领域。该无铅高储能密度陶瓷材料的化学式为(1‑x)Li0.42K0.08Mg0.4Ni0.37Y0.53Ti0.5O3·xBi2O3，其中x为Bi2O3的摩尔分数，且0.3≤x≤0.5。其制备方法为先按照化学式进行配料，通过球磨工艺将原料混合均匀后首先进行预烧，然后再次球磨并进行造粒，接着在模具中压制成型，再经排胶处理后在1100‑1150℃和1180‑1250℃两个温度段下烧结，得到本发明的无铅高储能密度陶瓷材料本发明的制备方法简单，所得的无铅陶瓷材料的具有较高的储能密度和效率。
一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高储能密度宽工作温度无铅薄膜、电容器及其制备方法-CN202111603394.6在审
发明人：刘明;马春蕊;陆锐 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了高储能密度宽工作温度无铅薄膜、电容器及其制备方法，高储能密度宽工作温度无铅薄膜，包括Nb:SrTiO3基片和薄膜，所述薄膜设置于Nb:SrTiO基片表面制备BaHfxTi1‑xO3薄膜，之后进行退火，得到所述高储能密度宽工作温度无铅薄膜本发明高储能密度宽工作温度无铅薄膜具有储能密度高，宽温范围宽的特点。
高储能密度工作温度薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法-CN202111315942.5有效
发明人：闫养希;覃文杰;李智敏;张东岩;张茂林;靳立;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法，该无铅高储能密度陶瓷材料化学式为：(1‑x)[(1‑y)BaTiO3‑yBi(M′M″)O本发明的无铅高储能密度陶瓷材料，通过将具有很大饱和极化强度的BNT作为第三组元与弛豫铁电体BaTiO3‑Bi(M′M″)O3固溶，得到BT‑BM′M″‑BNT体系，本发明的无铅高储能密度陶瓷材料在显著提高了其饱和极化强度下仍保持了极低的剩余极化强度，并能在极低场强下取得极大的储能密度。
一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法-CN202310189031.5在审
发明人：郭艳艳;张左;樊奕;胡海威 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷，该陶瓷的化学式为AgNbxTa0.1O0.5+2.5x本发明还公开一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷制备方法。本发明提供的一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法，通过在铌位掺杂10％Ta5+的基础上，减少Nb5+的含量，制备出的高储能铌酸银基陶瓷兼具高储能密度(6.1J/cm3)、高储能效率(62％)、高击穿电场(317kV/cm)、高极化强度(54μC/cm2)的优势，能够降低掺杂离子的掺杂量，减少材料浪费，同时能够显著提高反铁电陶瓷储能性能。
一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种无铅高储能铁电材料及其应用-CN201510614167.1有效
发明人：高志鹏;张涛;韩旭;刘高旻;刘雨生;贺红亮 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅高储能铁电材料及其应用，目的在于解决现有的铁电陶瓷主要为强污染的PZT体系材料，而鲜有其他可用于高压换能的铁电材料的问题。该无铅高储能铁电材料的化学式为(1‑x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑xBiAlO3，x为0.01~0.09。本发明的无铅高储能铁电材料在直流外电场的作用下能极化储存电荷能量，而极化后在高压冲击作用下，能释放出发大电流的脉冲信号。本发明开发一种新的铁电陶瓷材料的储能应用，对于冲击放电材料的认知是全新的拓展，具有重要的意义和较好的应用前景。
一种无铅高储能铁电材料及其应用

[发明专利]一种无铅弛豫铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法-CN202211407274.3有效
发明人：陈骏;祁核;刘观富;张智飞 -专利权人：北京科技大学广州新材料研究院
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种无铅弛豫铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法，属于功能陶瓷材料技术领域，所述无铅弛豫铁电高储能密度陶瓷材料的化学通式为[(1‑x)NaNbO3‑xBa:Sub>和Mn掺杂进NaNbO3基体中，NaNbO3陶瓷由(反)铁电体转变为弛豫铁电体且晶粒得到细化，使得所制备的无铅弛豫铁电高储能密度陶瓷材料的剩余极化大幅度减小以及击穿场强得到大幅度提高，得到大储能密度和高储能效率的陶瓷材料。
一种无铅弛豫铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜、制备方法及应用-CN202211085287.3有效
发明人：罗进;周晋锋;吕忆农;刘云飞 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜、制备方法及其应用，通过溶胶‑凝胶法在钛酸锶铋基中引入钛酸钡铁电材料，提高材料的介电常数以及致密度，进而提高材料的储能性能，在此基础上，结合引入Mn元素，使得材料的击穿场强提升，使材料的P‑E曲线变得纤细，大大提高了钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜的储能密度和储能效率，在不同电场下都能保持高储能密度和高储能效率。
钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜制备方法应用

[发明专利]一种无铅高储能密度和高储能效率的陶瓷电介质及其制备方法-CN202011156932.7有效
发明人：翟继卫;闫非;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于储能陶瓷介质材料技术领域，提供了一种无铅高储能密度和高储能效率的陶瓷电介质及其制备方法，通过固相反应合成内层陶瓷粉体和外层陶瓷粉体，将粉体进一步制成陶瓷浆料，通过流延成型工艺获得相应的陶瓷膜，将得到的陶瓷膜在不同温度和压力条件下进行加压，最后经1050‑1200℃高温烧结得到具有层状三明治结构的无铅高储能密度和高储能效率的陶瓷电介质，其第一、第三电介质层具有高击穿场强，第二电介质层具有高极化强度；或第一、第三电介质层具有高极化强度，第二电介质层具有高击穿场强。本发明不含铅，制备过程简单、制备工艺稳定、适合工业化批量生产，且耐压特性优异、储能密度和效率高，同时兼具多种材料优异性能于一体。
一种无铅高储能密度高储能效率陶瓷电介质及其制备方法

[发明专利]一种无铅高储能密度高储能效率陶瓷介质材料及其制备方法-CN201410406504.3有效
发明人：曹明贺;赵杰峰;刘韩星;许琪;王志建;郝华;尧中华 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供一种无铅高储能密度高储能效率陶瓷介质材料，其化学式为(1-x)[0.84(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.16(Bi0.5K0.5)TiO3]-xK0.5Na0.5NbO3，其中x＝0.06～0.15，其储能密度为1.51～1.89J/cm3，储能效率为58.1～78.4％。该储能介质陶瓷材料的制备方法步骤如下：(1)原料配料后放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨，并烘干、预煅烧得到陶瓷粉体；(2)在陶瓷粉体中加入粘结剂混匀，压制陶瓷生坯片；(3)陶瓷生坯片排胶、采用二步烧结法烧结得到无铅高储能密度高储能效率储能陶瓷介质材料该方法制备工艺简单，成本低，无污染，所制备的陶瓷材料在室温下具有较的高储能密度和储能效率。
一种无铅高储能密度高储能效率陶瓷介质材料及其制备方法

[发明专利]一种Sn离子掺杂的BCZT基高储能密度无铅压电陶瓷制备方法-CN202210574493.4在审
发明人：郭鑫;游亚军 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种Sn离子掺杂的BCZT基高储能密度无铅压电陶瓷制备方法，涉及无铅压电陶瓷制备技术领域，包括以下步骤：a，将氧化锆球、原料、去离子水混合后球磨，随后干燥，所述原料包括BaCO2；b，将步骤a干燥得到的混合物煅烧，所到产物二次球磨；c，在步骤b二次球磨后的混合物中加入石蜡，混合均匀，单轴压入盘中，烧结，得到Sn离子掺杂的BCZT基无铅压电陶瓷薄膜本发明所制备的无铅压电陶瓷通过检验，电镜扫描成像，所得照片观察可发现晶粒尺寸均匀、大小可控，P‑E磁滞回线图可得其可恢复能量密度大、储能效率高有利于应用于高储能电容器件。
一种 sn 离子掺杂 bczt 基高储能密度压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷及其制备方法-CN202110473974.1有效
发明人：郭艳艳;张盟;张冲;曾春香;赵江 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷及其制备方法，该陶瓷化学式为Ag0.985La0.005Nb储能密度最大为7.05J/cm3的高储能无铅反铁电陶瓷（该数值是本研究领域中的最高值），且该无铅储能陶瓷兼具高储能密度、高击穿电场（318kV/cm）、高极化强度（74μC/cm2）等优点，有望应用于新型电介质储能器件、脉冲功率器件、混合动力汽车等领域特别地，实验证明，在不引入其他元素的情况下，仅通过改变材料的化学计量比这一创新性思路是铌酸银基无铅储能陶瓷研究中行之有效的新方法，且可以将该思路应用到其他电介质储能研究的领域中。
一种化学计量失配高储能铌酸银基陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高储能密度无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201710985083.8在审
发明人：周开珍 -专利权人：周开珍
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种高储能密度无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法，属于储能陶瓷技术领域。Li0.38Na0.12Si0.46Y0.72Nb0.3O3·xBi0.53Na0.44TiO3配料和进行球磨，球磨后进行造粒，接着在模具中压制成型，再经排胶处理后在1230‑1320℃下烧结，得到本发明的高储能密度无铅反铁电陶瓷材料本发明的制备方法简单，所得的无铅陶瓷材料的具有较高的储能密度和效率。
一种高储能密度无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法

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