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[发明专利]通态电压测量电路-CN202280014472.5在审
发明人：前田凌佑;木下雄介;中泽敏志 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明提高了通态电压的测量准确度。通态电压测量电路(1)配备有检测开关元件(2)、控制单元(3)、电阻元件(4)和电压检测单元(5)。电阻元件(4)的电阻值大于检测开关元件(2)的通态电阻。控制单元(3)在半导体开关元件(9)接通时使检测开关元件(2)接通。电压检测单元(5)基于在半导体开关元件(9)和检测开关元件(2)这两者都接通时的电阻元件(4)两端的电压(V4)，来检测连接在检测开关元件(2)的漏极端子(2D)与基准电位端子2D之间的半导体开关元件(9)的通态电压。
电压测量电路

[发明专利]降噪方法、降噪装置和光检测系统-CN201810001549.0有效
发明人：郑智仁;刘伟;丁小梁;王鹏鹏;韩艳玲;曹学友;张平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-01-02 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H04N5/357 文献下载
摘要：降噪方法包括:设定单元设定选通关态电压；设定单元设定测试用选通开态电压；信噪比检测单元检测分别对应于至少两个所述测试用选通开态电压的输出电压的信噪比；选择单元选择对应于最高的所述信噪比的一所述测试用选通开态电压作为光检测用选通开态电压；所述测试用选通开态电压在预定电压范围内；所述输出电压为所述光电检测单元检测得到的放大后的所述输出节点的电压。本发明所述的降噪方法、降噪装置和光检测系统能够选定时钟控制信号的较佳的开态电压和关态电压，以达到光检测输出信噪比最佳化的结果。
方法装置检测系统

[发明专利]柔性直流输电系统MMC子模块关键元件同步在线监测方法-CN202010016542.3有效
发明人：郑文迪;许启东;邵振国;周腾龙 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明涉及柔性直流输电系统MMC子模块关键元件同步在线监测方法，包括以下步骤：步骤S1:构建MMC‑HVDC系统；步骤S2:通过配置传感器获取桥臂电压、电流和子模块电容电压；步骤S3:构建子模块IGBT、二极管和电容器在线监测数学模型；步骤S4:通过卡尔曼滤波算法在线获取IGBT、二极管通态电压偏置、二极管通态电阻和电容器电容值；步骤S5:根据IGBT通态电压偏置、IGBT通态电阻，计算估计IGBT通态电压,并分别计算通态电压和通态电阻；步骤S6:根据得到的IGBT、二极管的通态电压、二极管通态电阻和电容器电容值，与设定参数阈值相比，对子模块进行老化识别和剩余寿命估计。
柔性直流输电系统 mmc 模块关键元件同步在线监测方法

[发明专利]一种单火线供电电路-CN201811260081.3在审
发明人：龙昊;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子(杭州)有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H02J7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单火线供电电路，包括第一输入端、第二输入端、第一开关和通态充电电路，第一输入端通过第一开关连接到通态充电电路，第二输入端为通态充电电路的另一个输入端，通态充电电路的输出连接到输出端，当第一开关导通时，第一输入端通过通态充电电路给输出供电，当输出端相对于参考地的电压低于第一电压阈值时，输出端处于充电状态，当输出端电压上升到第二电压阈值时，输出端处于非充电状态，当输出端电压降低到第一电压阈值，则回到充电状态；在充电状态时，第一开关管关断，第一输入端通过第一单向导通元件给输出端充电；在非充电状态时，第一开关管完全导通。
输入端充电电路第一开关通态充电状态输出端非充电状态输出端电压供电电路单火线阈值时导通单向导通元件输出端充电输出供电输出连接参考地关断输出

[实用新型]一种单火线供电电路-CN201821748288.0有效
发明人：龙昊;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子(杭州)有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H02J7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单火线供电电路，包括第一输入端、第二输入端、第一开关和通态充电电路，第一输入端通过第一开关连接到通态充电电路，第二输入端为通态充电电路的另一个输入端，通态充电电路的输出连接到输出端，当第一开关导通时，第一输入端通过通态充电电路给输出供电，当输出端相对于参考地的电压低于第一电压阈值时，输出端处于充电状态，当输出端电压上升到第二电压阈值时，输出端处于非充电状态，当输出端电压降低到第一电压阈值，则回到充电状态；在充电状态时，第一开关管关断，第一输入端通过第一单向导通元件给输出端充电；在非充电状态时，第一开关管完全导通。
输入端充电电路第一开关通态充电状态输出端非充电状态输出端电压供电电路单火线阈值时导通单向导通元件本实用新型输出端充电输出供电输出连接参考地关断输出

[发明专利]一种硅通孔结构-CN201310241943.9有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅通孔结构，包括：硅通孔；以及与所述硅通孔相连接的反熔丝层；所述反熔丝层包括高K氧化物层，在施加电压的情况下，其电阻由高阻态转换到低阻态，在不施加电压的情况下，其电阻可由低阻态转换到高阻态在本发明中通过设置所述金属层‑高K氧化物层的反熔丝层，实现了所述硅通孔的程序化，通过在电极上施加电压来控制所述硅通孔在不导通（高阻态）到导通（低阻态）之间的反复切换，消除了现有技术中一旦导通便不可逆的弊端
一种硅通孔结构

[发明专利]一种选通管器件的预处理方法-CN201910293381.X有效
发明人：童浩;何达;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种选通管器件的预处理方法，包括:(1)通过选取电压扫描范围且设置第一限制电流Icc1，对选通管进行第一次电压扫描，获取选通管亚阈值区域的阻态R1；(2)根据第n‑1次电压扫描后的选通管亚阈值区域的阻态Rn‑1，设置第n限制电流Icc(n)，并对选通管进行第n次电压扫描，获取其亚阈值区域的阻态Rn；其中，Icc(n‑1)＜Icc(n)，n的初始值为2；(3)在读电压下，若第n次电压扫描后的选通管器件的亚阈值区域的阻态大于第一次电压扫描后的选通管器件的亚阈值区域的阻态，则停止对选通管器件的电压扫描；否则，n本发明同时提高了选通管的开态电流和开关比，进而提高了选通管的性能使其在存储器件中的应用更广泛。
一种选通管器件预处理方法

[发明专利]一种基于金属绝缘体转变器件的1S1C存储器及其操作方法-CN202211666512.2在审
发明人：童浩;汪宾浩;王瑶;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属绝缘体转变器件的1S1C存储器及其操作方法，该1S1C存储器包括串联的MIT选通器件和电容器件，MIT选通器件中的转变层包括由过渡金属氧化物制成的金属绝缘体转变层，具有正反向导通特性；当在MIT选通器件上大于导通阈值电压的电压时，金属绝缘体转变层由高阻态的半导体单斜相转变为低阻态的金属态金红石相，此时MIT选通器件两端的电压下降，当MIT选通器件两端电压幅值降为小于保持电压时，金属绝缘体转变层由低阻态的金属态金红石相转变为高阻态的半导体单斜相，此时电容器件两端电压维持在一稳定值，从而实现数据存储。
一种基于金属绝缘体转变器件 s1c 存储器及其操作方法

[发明专利]一种改善选通管器件性能的操作方法-CN201910123619.4有效
发明人：缪向水;林琪;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善选通管器件性能的操作方法，包括：确定选通管器件的直流操作电压和限制电流；施加操作电压和限制电流到选通管器件上，使选通管器件在直流下循环，直到出现关态电阻降低；继续施加操作电压和限制电流到选通管器件上，使选通管器件在直流下循环，直到关态电阻降低到最小值；继续施加操作电压和限制电流到选通管器件上，使选通管器件在直流下循环，直到出现关态电阻升高；继续施加操作电压和限制电流到选通管器件上，让选通管器件在直流下循环，直到关态电阻升高到最大值；调整操作电压和限制电流，对选通管进行直流操作或脉冲操作，从而有效提高操作稳定性，具有更好的直流循环特性，大大改善了器件的循环寿命。
一种改善选通管器件性能操作方法

[发明专利]一种柔性直流输电系统电压等级优化设计方法-CN201710113132.9有效
发明人：荣飞;王亚洲;饶宏;黄守道;周保荣;付雪婷 -专利权人：湖南大学;南方电网科学研究院有限责任公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性直流输电系统电压等级优化设计方法，首先将决定MMC换流阀通态损耗和开关损耗的桥臂电流转化为只含电压等级变量U_dc的表达式；其次根据桥臂电流得出通态损耗的瞬时表达式，再结合桥臂电流的投切动作顺序，对通态损耗的瞬时表达式进行分段积分，得出通态损耗计算公式；然后将所有模块的开关损耗在一个工频周期内进行求和，得出开关损耗表达式；最后对总损耗求导，得出损耗最低时的输电电压，该电压即为优化设计后的电压等级。本发明确定了损耗最低时的电压等级，可以减少系统损耗，为电网电压等级的确定提供参考标准。
一种柔性直流输电系统电压等级优化设计方法

[发明专利]SiC MOSFET结温监测方法、装置、设备及介质-CN202210719772.5在审
发明人：张品佳;张擎昊;陆格野 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及电力电子器件状态监测技术领域，特别涉及一种SiC MOSFET结温监测方法、装置、设备及介质，方法包括：获取被测碳化硅金属氧化物场效应管SiC MOSFET的通态电流和通态电压；根据通态电流和通态电压计算其通态电阻；基于预先建立的通态电阻和结温之间的映射关系，根据测得通态电阻计算SiC MOSFET结温。由此，解决了相关技术中的结温监测方法只能应用于较窄的开关频率范围，且精度受器件老化影响严重等问题，通过提出新型的通态压降在线测量电路以及考虑老化的SiC MOSFET结温监测策略，提高了工作频率，降低了成本以及器件老化对结温监测的影响
sic mosfet 监测方法装置设备介质

[发明专利]一种提升选通管器件性能的方法、系统、设备和介质-CN202010643502.1在审
发明人：罗庆;丁亚欣;余杰;吕杭炳;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种提升选通管器件性能的方法、系统、设备和介质。所述方法包括：确定选通管器件的直流操作时的操作电压和限制电流；对选通管器件施加操作电压和限制电流，直至关态漏电流减小；继续对选通管器件施加操作电压和限制电流，直至关态漏电流减小到最小值；并获取与关态漏电流最小值所对应的第一操作电压和第一限制电流，并以该第一操作电压和第一限制电流为中心获取操作电压区间和限制电流区间；对选通管器件施加在操作电压区间和限制电流区间范围内的第二操作电压和第二限制电流，以进行直流操作或脉冲操作；确定选通管器件的反向操作电压，对选通管器件施加所述反向操作电压，使选通管器件出现复位现象。
一种提升选通管器件性能方法系统设备介质

[发明专利]通态充电电路控制方法、控制电路及通态充电电路-CN201910306184.7在审
发明人：龙昊;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子(杭州)有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H02J7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种通态充电电路的控制方法、控制电路及通态充电电路，通态充电电路包括第一开关管、第一导通元件、第二开关管和第三开关管，第一输入端通过第一导通元件和第一开关管形成的串联电路连接到通态充电电路的输出端，第一输入端通过第二开关管连接到参考地，第二输入端通过第三开关管连接到参考地；当负载电路导通时，第一开关管导通，当充电电路的输出端相对于参考地的电压低于第一电压阈值时，充电电路的输出端处于充电状态，当输出端电压上升到第二电压阈值时，充电电路的输出端处于非充电状态，当充电电路的输出端电压降低到所述第一电压阈值，则回到充电状态；在非充电状态时，第二开关管和第三开关管都导通。
充电电路开关管通态第一开关参考地输出端输入端导通非充电状态输出端电压充电状态导通元件控制电路阈值时串联电路负载电路输出

[实用新型]通态充电电路控制电路及通态充电电路-CN201920516323.4有效
发明人：龙昊;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子(杭州)有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H02J7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通态充电电路的控制电路及通态充电电路，通态充电电路包括第一开关管、第一导通元件、第二开关管和第三开关管，第一输入端通过第一导通元件和第一开关管形成的串联电路连接到通态充电电路的输出端，第一输入端通过第二开关管连接到参考地，第二输入端通过第三开关管连接到参考地；当负载电路导通时，第一开关管导通，当充电电路的输出端相对于参考地的电压低于第一电压阈值时，充电电路的输出端处于充电状态，当输出端电压上升到第二电压阈值时，充电电路的输出端处于非充电状态，当充电电路的输出端电压降低到所述第一电压阈值，则回到充电状态；在非充电状态时，第二开关管和第三开关管都导通。
充电电路开关管通态第一开关参考地输出端输入端导通非充电状态输出端电压充电状态导通元件阈值时本实用新型串联电路负载电路控制电路输出

[发明专利]MOS管的通态损耗获取方法、装置、存储介质以及电子设备-CN202111004817.2在审
发明人：廖胜峰;任文 -专利权人：广州视源电子科技股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06F30/18 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种MOS管的通态损耗获取方法、装置、存储介质以及电子设备，方法包括：构建MOS管通态损耗计算模型；MOS管通态损耗计算模型包括MOS管的通态损耗与温度系数、导通电压和导通电流的关系函数，MOS管在各个工作温度下的导通电压和导通电流的关系函数以及MOS管的温度系数函数；获取待测MOS管的工作参数；拓扑电路参数用于指向待测MOS管的导通电流；将待测MOS管的工作参数输入至MOS管通态损耗计算模型，根据拓扑电路参数、待测MOS管的工作温度、以及待测MOS管的工作温度对应的导通电压和导通电流模型、待测MOS管的工作温度对应的温度系数，获得待测MOS管的通态损耗。本申请实施例可使计算出的MOS管的通态损耗更加准确。
mos 损耗获取方法装置存储介质以及电子设备

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