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[发明专利]红外探测器及其制备方法-CN201710509150.9有效
发明人：黄勇;赵宇;熊敏;吴启花 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种红外探测器及其制备方法，所述红外探测器包括衬底、第一电极、第二电极及从下而上依次设置于所述衬底上的接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层，所述第一电极与所述接触层连接，所述第二电极与所述电子势垒层连接，所述空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格。所述红外探测器的制备方法包括：提供一衬底；从下而上依次在所述衬底上生长形成接触层、空穴势垒层、吸收层、电子势垒层，所述空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格；分别在所述接触层上沉积第一电极、在所述电子势垒层上沉积第二电极本发明提供的红外探测器的空穴势垒层为InGaAs/InAsSb超晶格，空穴势垒层中不含铝，降低了材料生长和加工的难度、提升了稳定性和可靠性。
红外探测器及其制备方法

[发明专利]互补势垒超晶格长波红外探测器-CN202110222852.5在审
发明人：崔素宁;蒋洞微;李勇;陈伟强;蒋俊锴;王国伟;徐应强;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本公开提供了一种互补势垒超晶格长波红外探测器自下而上顺次包括：衬底、缓冲层、n型InAsSb层、电子势垒层、吸收层、空穴势垒层、n型接触层和盖层；所述空穴势垒层自下而上包括：p型掺杂空穴势垒区和n型掺杂空穴势垒区；所述互补势垒超晶格长波红外探测器还包括上电极和下电极，上电极设置在所述盖层上；下电极设置在所述缓冲层上。
互补势垒超晶格长波红外探测器

[发明专利]荧光淬火器件以及使用荧光淬火器件的显示器-CN200410028419.4有效
发明人： M·雷德克;J·费希尔 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：一种具有空穴势垒层和/或电子势垒层的显示器，借此空穴势垒层和/或电子势垒层设置在显示器的发射体层和第一电极层或第二电极层之间。空穴势垒层的最高被占据的分子轨道的能量小于发射体层的最高被占据的分子轨道的能量，和/或电子势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量大于发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量。通过安排空穴势垒层和/或电子势垒层的分子轨道的能级，可以产生势垒，阻止不期望的电荷载流子在显示器的再次发射模式操作期间沿相反方向的注入。
荧光淬火器件以及使用显示器

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管及其制作方法-CN201610037518.1有效
发明人：王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：所述氮化镓基发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、有源层、P型层，P型层包括多个P型子层，各个P型子层均包括空穴低势垒层、空穴提供层、空穴高势垒层，空穴低势垒层和空穴高势垒层均包括AlGaN层和InGaN层，空穴提供层包括P型GaN层。本发明通过空穴低势垒层和空穴高势垒层均采用晶格失配较大的AlGaN层和InGaN层，AlGaN层和InGaN层的界面处由于较强的极化应力而产生可有效铺展电荷的空穴二维气，为空穴注入有源层提供一定的驱动力，提高空穴的注入效率，进而提高发光效率。
一种氮化发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器-CN202211303364.8在审
发明人：巫江;唐星宇;郭大千;沈凯;李创;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，引入一种全新设计的空穴势垒结构，该空穴势垒降低了陷阱相关的隧穿，与吸收层之间的单级势垒Np结降低了SRH相关暗电流，和电子势垒组合形成互补势垒CBIRD结构，解决了现有技术中InAs/InAsSb T2SL探测器暗电流高、响应度/比探测率较低等问题。其包括衬底，衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、底部接触‑空穴势垒层、吸收层、电子势垒层、顶部接触层，底部接触‑空穴势垒层上表面设置底部接触电极，顶部接触层上表面设置有顶部接触电极。本发明适用于一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器。
一种互补 cbird 结构长波红外探测器

[发明专利]一种氮化镓器件及其制造方法、半导体集成平台-CN202210170106.0在审
发明人：魏进;杨俊杰;吴妍霖 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓器件及其制造方法、半导体集成平台，在衬底上可以依次堆叠第一势垒层、沟道层和第二势垒层，第一势垒层、沟道层和第二势垒层的材料为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，且第一势垒层和第二势垒层的带隙大于沟道层的带隙，由于极化效应使第一势垒层和沟道层之间形成空穴积累层，沟道层和第二势垒层之间形成的二维电子气作为器件的沟道，之后可以形成第二势垒层上的源极以及与源极电连接的连接结构，连接结构完全贯穿第二势垒层且至少部分贯穿沟道层，这样连接结构将源极和空穴积累层连接在一起，使空穴积累层的电位和源极电位一致，空穴积累层作为二维电子气和衬底之间的屏蔽层，抑制衬底效应对二维电子气的调制作用，提高器件性能。
一种氮化器件及其制造方法半导体集成平台

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202310751771.3在审
发明人：董栩婷;张畅;黄永;包军林;王亦飞;卢灏;解靖飞;常娟雄;陈财;龚子刚;万坤;邵语嫣;陈兴;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，其中的光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的缓冲层和沟道层；势垒层，设置于沟道层上，势垒层包括分别覆盖沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域的第一子势垒层和第二子势垒层，以及位于第一子势垒层和第二子势垒层之间且分别与第一子势垒层和第二子势垒层相连的第三子势垒层和第四子势垒层；第一钝化隔离层，填充于势垒层中的间隙内；阴电极和阳电极，分别设置于第一子势垒层和第二子势垒层上；空穴传输层，设置于阴电极以及第一钝化隔离层上，且空穴传输层与阳电极之间具有隔离间隙；透明导电层，设置于空穴传输层上。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]发光芯片的外延结构、发光芯片及显示背板-CN202110211462.8有效
发明人：翟小林;杨顺贵 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光芯片的外延结构、发光芯片及显示背板，发光芯片的有源层包括多个交替生长的量子阱层和量子垒层，且量子垒层包括第三势垒子层，以及分别位于第三势垒子层上、下两侧的第一势垒子层和第五势垒子层，第一势垒子层、第五势垒子层与量子阱层的晶格常数之差，小于第三势垒子层与所述量子阱层的晶格常数之差，使得因晶格失配导致的量子限制斯塔克效应得以遏制，减小能带弯曲，使电子和空穴的辐射复合效率得到提升；第三势垒子层掺杂有P型杂质，注入到量子阱中的空穴数显著增加，空穴可尽可能均匀的分布在所有量子阱中，可进一步提升电子和空穴的辐射复合效率，从而提升内量子效率。
发光芯片外延结构显示背板

[发明专利]半导体发光单元及级联型中红外光发光二极管-CN201910519723.5有效
发明人：朱赫;赵宇;吴启花;黄勇 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光单元及级联型中红外光发光二极管，半导体发光单元包括依序叠层的空穴势垒层、有源层和电子势垒层，空穴势垒层和电子势垒层的有效带宽分别大于有源层的有效带宽，空穴势垒层和有源层的导带相互平齐且价带形成势差，电子势垒层和有源层的价带相互平齐且导带形成势差。
半导体发光单元级联红外光发光二极管

[实用新型]一种II类超晶格长波红外探测器-CN202022076504.5有效
发明人：刘永锋;张传杰 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型涉及红外探测器技术领域，提供了一种II类超晶格长波红外探测器，包括衬底，还包括于所述衬底上依次生长的P型接触层、吸收层、空穴势垒层以及N型接触层，所述P型接触层未生长所述吸收层的部位上制作有下电极，所述N型接触层上制作有上电极；所述空穴势垒层为InAsSb空穴势垒层。本实用新型与传统的InAs/GaSb超晶格PIN长波结构相比，引入了宽禁带的InAsSb空穴势垒层，通过掺杂调制，可使PN结耗尽区尽可能分布在InAsSb势垒层，从而有效抑制产生‑复合电流，提高器件的电学性能；InAsSb结构的空穴势垒层和N型接触层不含Al元素，可以规避含Al结构在材料生长过程中吸杂和器件加工过程中稳定性差的问题。
一种 ii 晶格长波红外探测器

[发明专利]量子点发光二极管以及制备方法-CN201910630715.8在审
发明人：王恺;孙小卫;郑凡凯;李晨昊;刘皓宸 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种量子点发光二极管以及制备方法，包括：基底；形成在基底上的阳极；形成在阳极上的空穴传输层；形成在空穴传输层上的多量子阱层，多量子阱层包括至少两层势垒层和比势垒层的层数少一层的发光层，势垒层和发光层间隔层叠设置，空穴传输层紧邻势垒层；形成在多量子阱层的电子传输层，紧邻多量子阱层中的势垒层；形成在电子传输层上的阴极。本发明实施例提供的技术方案，通过势垒层将载流子更好的限制在发光层中复合发光，从而提高了量子点发光二极管的发光效率。
势垒层多量子阱层发光二极管空穴传输层发光层量子点电子传输层阳极基底制备载流子阴极发光效率复合发光间隔层叠两层

[实用新型]量子点发光二极管-CN201921091313.7有效
发明人：王恺;孙小卫;郑凡凯;李晨昊;刘皓宸 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种量子点发光二极管，包括：基底；形成在基底上的阳极；形成在阳极上的空穴传输层；形成在空穴传输层上的多量子阱层，多量子阱层包括至少两层势垒层和比势垒层的层数少一层的发光层，势垒层和发光层间隔层叠设置，空穴传输层紧邻势垒层；形成在多量子阱层的电子传输层，紧邻多量子阱层中的势垒层；形成在电子传输层上的阴极。本实用新型实施例提供的技术方案，通过势垒层将载流子更好的限制在发光层中复合发光，从而提高了量子点发光二极管的发光效率。
势垒层多量子阱层空穴传输层发光层本实用新型电子传输层发光二极管阳极量子点基底载流子阴极发光效率复合发光间隔层叠两层

[发明专利]含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法-CN201610660268.7在审
发明人：于春满;朱海军;张兴 -专利权人：成都斯科泰科技有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N 型GaSb衬底；一N型GaSb缓冲层，该缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下波导层，该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆接触层，该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
含有空穴阻挡锑化镓基量子激光器外延生长方法

[发明专利]含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构-CN201610660267.2在审
发明人：于春满;朱海军;张兴 -专利权人：成都斯科泰科技有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N型GaSb衬底；一N型GaSb缓冲层，该缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下波导层，该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆接触层，该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
含有空穴阻挡锑化镓基量子激光器结构

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200910260838.3有效
发明人：颜胜宏;蔡孟伦;蔡清富 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：该发光元件包含n型束缚层；p型束缚层；以及有源层，位于n型束缚层与p型束缚层之间，有源层是由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而形成的多重量子阱结构。于势垒层掺杂p型杂质以增加空穴数目，其中越靠近n型束缚层的势垒层掺杂浓度越低，越靠近p型束缚层的势垒层掺杂浓度越高，以形成具渐变式掺杂浓度的势垒层结构。上述的元件可增加空穴和电子结合的几率，提高发光效率。
发光元件及其制造方法

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