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[发明专利]界定不同光阻图案的双重显影方法-CN202111534539.1在审
发明人：叶永全;陈任和 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本公开提供一种界定不同光阻图案的双重显影方法。该双重显影方法包含：提供一基底，该基底包括一周围区以及一阵列区，该阵列区邻近该周围区；使用一双型光阻而形成一光阻层在该基底上；通过一第一光遮罩而将该光阻层曝光到辐射，以界定出一第一图案在该周围区中；使用一正型显影剂显影该光阻层，以形成一第一图案在该周围区中以及形成该光阻层的一余留未曝光部分在该阵列区中；通过一第二光遮罩将在该周围区中的该第一图案与在该阵列区中的该光阻层曝光到辐射，以界定出一第二图案；以及使用一负型显影剂显影在该阵列区中的该光阻层
界定不同图案双重显影方法

[发明专利]高解析度负型光阻剂-CN200610152352.4有效
发明人：郭光埌;戴伟仁;温世豪;陈健龙;赖育成 -专利权人：新应材股份有限公司
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明的负型光阻剂为一种新的光阻组成，其主要成分为：高分子树脂(Resin)、颜料(Pigment)、感光起始剂(Photo initiator)、单体(Monomer)、溶剂(Solvent)，以及添加剂(Additives)；其中，高分子树脂(Resin)的分子量(Mw)最好低于40,000，而且使用水溶性单体增加显影对比，俾在光阻图像(Pattern)成像后，能够有效缩短光阻的图像斜边(Taper)长度，使光阻层图像的线宽(CD)值愈接近光罩图像大小，进而获致较佳的解析度。
解析度负型光阻剂

[发明专利]具有双负阻特性的负阻材料-CN200910077046.2无效
发明人：李建奇;曾伦杰;杨槐馨;秦元斌 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-01-16 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双负阻特性的负阻材料及其制备方法，所述负阻材料是过渡金属氧化物，其化学式为(Lu_xR_1+n-x)(Fe_yM_{本发明在室温下同时具有电压控制型和电流控制型负阻特性，低温下负阻特性更加明显。而且，进入负阻区需要很小的阈值电场强度和阈值电流密度，并可以以多晶、单晶和薄膜形式存在，使得其在新型器件发展中有广阔的应用前景。}
具有双负阻特性材料

[发明专利]COA型液晶显示面板及其制作方法-CN201510417134.8有效
发明人：宋利旺 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种COA型液晶显示面板及其制作方法。该COA型液晶显示面板的色阻层(3)包括白色色阻(31)、红色色阻(32)、绿色色阻(33)、及蓝色色阻(34)，间隙物层(4)至少与一种颜色的色阻在制作过程中同时形成，且材料相同，省去了现有技术中以光阻为材料的光阻间隙物层该COA型液晶显示面板的制作方法，将由白色色阻(31)、红色色阻(32)、绿色色阻(33)、及蓝色色阻(34)构成的色阻层(3)制作于TFT层(2)上，利用至少一种颜色的色阻材料在制作相应色阻的同时形成间隙物层(4)，省去了现有技术中单独制作光阻间隙物层的制程，能够节省光罩，缩短制程时间，提高生产效率。
coa 液晶显示面板及其制作方法

[发明专利]平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法-CN201110174161.9无效
发明人：何宣仪;林俊安 -专利权人：福州华映视讯有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开一种平坦化绝缘层的方法及制作具有平坦化绝缘层的数组基板的方法，包含提供一具一第一表面以及一第二表面的基板；于基板的第一表面上形成至少一图案化金属层，以及于图案化金属层上形成至少一绝缘层；涂布一负光阻覆盖于绝缘层之上；于基板的第二表面进行一曝光制程，使未被图案化金属层遮挡的负光阻受到曝光，以及使被图案化金属层遮挡的负光阻不会受到曝光；进行一显影制程以去除未受到曝光的负光阻；去除未被负光阻覆盖的部分绝缘层；以及去除受到曝光的负光阻
平坦绝缘方法制作具有数组

[发明专利]负型光阻组合物及其用途-CN201811338084.4有效
发明人：吴旻霏;黄新义;叶子瑭;邱美秀 -专利权人：台湾永光化学工业股份有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种负型光阻组合物，包括：一双酚类树脂，是由一双酚F与一醛类化合物缩合而得的碱可溶性树脂；一酚醛类树脂，是由一酚类化合物与另一醛类化合物缩合而得的碱可溶性树脂；一光酸产生剂；一交联剂；一添加剂；以及一溶剂本发明更涉及一种前述负型光阻组合物的用途，其用于形成一显示设备用的倒梯形间隔壁。
负型光阻组合及其用途

[发明专利]一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件-CN201910705434.4有效
发明人：郑育新;詹智梅;陈东仰;肖俊鹏;林豪;王潮斌;林张鸿;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件，其中方法包括如下步骤：在完成增强型的栅极的器件表面，沉积保护层；涂布光阻，并在耗尽型栅极位置进行显影开口，所述开口为梯形窗口；以光阻为掩膜蚀刻耗尽型栅极位置的保护层；继续蚀刻耗尽型栅极位置的帽层；蒸镀金属，沉积金属到耗尽型栅极位置形成耗尽型栅极。本发明通过在增强型栅极制作完成之后，立即沉积上保护层，可以第一时间保护器件，避免栅极受到粒子、氧化物、氢气等外界因素的影响，保护了栅极金属的健壮。而后在制作耗尽型栅时，可以采用正光阻的图形反转技术，丰富了工艺的选择性。避免采用负光阻所面临的光阻粘附性差，蚀刻后光阻脱落等问题。
一种晶体管器件增强耗尽栅极集成制作方法

[发明专利]负光阻及其显影的方法-CN202011154513.X在审
发明人：杨立柏;赖韦翰;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本揭露提供一种负光阻及其显影的方法。例如；负光阻包含溶剂、溶解抑制剂以及聚合物。聚合物包含一个羟基。聚合物占负光阻总重的40重量百分比以上。
负光阻及其显影方法

[发明专利]光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板-CN202111350222.2有效
发明人：陈建荣 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10K59/123 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种光阻层的加工方法、显示面板的制作方法以及显示面板，通过对负性光阻层的第一曝光区域进行第一次曝光处理；对负性光阻层的第二曝光区域进行第二次曝光处理，第二曝光区域至少具有设于第一曝光区域的一侧且与第一曝光区域连接的部分，第一次曝光处理的曝光量大于第二次曝光处理的曝光量；对负性光阻层进行显影处理，去除未进行光反应的负性光阻层；对剩余的负性光阻层进行加热固化处理，得到底切结构。本申请通过对负性光阻层进行两次曝光处理和一次显影处理，即可制得底切结构，有效简化了底切结构的制作工艺，从而提高了生产效率。
光阻层加工方法显示面板制作方法以及

[发明专利]一种提升电容的半导体阵列基板的制造方法-CN202310348225.5在审
发明人：陈伟;卢盼 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种提升电容的半导体阵列基板的制造方法，包括：依序在玻璃基板上沉积一层SiOx缓冲层；采用公共电极层光罩，搭配负型光阻，进行曝光显影制程；对显影后的位置进行干蚀刻，蚀刻掉未被光阻覆盖位置的SiOx；剥膜掉负型光阻
一种提升电容半导体阵列制造方法

[发明专利]滤光片的制作方法及曝光掩膜板-CN201310747120.3在审
发明人：张莉;唐文静;范刚洪;陈颖明 -专利权人：上海仪电显示材料有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：所述滤光片的制作方法包括提供基板；在基板上形成网状结构的黑色矩阵，黑色矩阵存在开口且露出基板表面；在基板和黑色矩阵表面形成负性的光阻材料；采用曝光掩膜板对光阻材料进行曝光处理，使光阻材料与黑色矩阵交叠的区域接收到的曝光量小于其余开口区域接收到的曝光量；对曝光后的光阻材料进行显影处理，以形成光阻层。本发明可以减小或消除光阻层中的牛角，防止由于牛角过厚造成液晶偏转不良，影响滤光片以及液晶显示器的显示性能，进一步的还可以降低滤光片的成本。
滤光制作方法曝光掩膜板

[发明专利]显示系统-CN201680009551.1有效
发明人： P·科斯塔莫 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：用负光阻涂覆所述基板的表面的至少一区域，所述区域涵盖所述部分。此所述负光阻在暴露于光时变得不能显影。在所述部分的每个部分上投影形成光栅结构的光。在除了所述部分的所述区域的整体上投影基本均匀强度的光，由此保留所述部分之外的所述负光阻不能显影。对所述负光阻进行显影以便将所述光栅结构具体化在覆盖所述部分的所述光阻中。图案化所述基板的表面以将所述光栅结构从经显影的光阻施加在所述基板的表面上，所述不能显影的光阻抑制所述部分之外的所述表面区域的图案化。所述光学组件包括经图案化的基板。
显示系统

[发明专利]一种用于封框胶固化遮挡的掩模板的制造方法-CN201310125028.3有效
发明人：刘永;李小和;李红敏;邵贤杰;姜清华 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明涉及液晶显示装置制造技术领域，公开了一种用于封框胶固化遮挡的掩模板的制造方法，包括：在透明基板上形成负性光阻遮光材料层；采用制造彩膜基板时对彩色滤光膜层进行曝光的彩膜掩模板组对形成有负性光阻遮光材料层的基板进行曝光
一种用于封框胶固化遮挡模板制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN201410528396.7有效
发明人：马孝田;高燕 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供晶圆，晶圆包括半导体衬底和位于半导体衬底上的器件，以及形成于半导体衬底上覆盖器件的层间介电层；在层间介电层上形成负光阻层；对晶圆边缘的无效芯片区域的负光阻层进行预曝光；对剩余的未曝光的负光阻层进行曝光和显影，以形成图案化的负光阻层；以图案化的负光阻层为掩膜，蚀刻层间介电层，形成开口暴露半导体衬底；对开口内暴露的部分半导体衬底进行蚀刻，以形成硅通孔；去除负光阻层。
一种半导体器件制作方法

[发明专利]多个光阻图案的界定方法-CN202210166358.6在审
发明人：叶永全;陈任和 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供一种多个光阻图案的界定方法。该方法包含：提供一基底，该基底具有一周围区以及一阵列区，该阵列区邻近该周围区；涂布一双型光阻在该基底上以形成一光阻层；依序经由一第一光罩以及一第二光罩而将该光阻层曝光于紫外线辐射，以界定多个沟槽图案在该阵列区以及该周围区中；使用一正型显影剂而显影该光阻层，以形成该等沟槽图案在该阵列区以及该周围区中；经由一第三、一第四或一第五光罩而将该光阻层曝光在紫外线辐射，以界定一穿孔图案在该阵列区、该周围区或其两者的任何其中一个中的该沟槽图案；以及使用一负型显影剂而显影该光阻层，以形成一穿孔图案在该阵列区、该周围区或其两者的任何其中一个中的该沟槽图案。
多个光阻图案界定方法