专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]应用于集成电路的图案化的方法-CN03100364.8有效
  • 钟维民 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2003-01-13 - 2004-08-04 - H01L21/027
  • 一种应用于集成电路的图案化的方法,此方法首先在一基底上形成一材料层,并且在材料层上形成图案化的一层,其中此层的厚度足够薄,而能克服微影工艺的限制。接着在层表面形成一衬套层,其中此衬套层的高度为其位于层侧壁的厚度。之后对衬套层进行一处理步骤,以移除位于层侧壁的衬套层。然后进行一蚀刻工艺,以图案化材料层。在本发明中,由于层的厚度足够薄,因而可以克服微影工艺的限制,再加上图案化材料层时是利用衬套层作为蚀刻罩幕,而并非使用光层来作为蚀刻罩幕,因此仍可以使材料层顺利的被图案化。
  • 应用于集成电路图案方法
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210336009.4有效
  • 孟娟;许春龙;杨宗凯;陈信全;李波 - 晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2022-07-01 - H01L21/8238
  • 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法,所述半导体结构的制备方法包括:提供一衬底;提供第一层,以第一层为掩膜对衬底进行刻蚀和填充,形成多个浅沟槽隔离结构;未用光罩对衬底进行P离子注入,形成无光罩P阱;提供第二层,以第二层为掩膜进行N离子注入,形成多个间隔分布的中压晶体管N区域以及位于每个中压晶体管N区域下方的深N阱区;提供第三层,以第三层为掩膜进行P离子和N离子注入,形成多个中压晶体管P区域以及位于每个中压晶体管P区域下方的深N阱区;对衬底进行高温退火,使得深N阱区连接在一起。本发明的半导体结构的制备方法可以节省使用的罩数量,缩短工艺周期。
  • 半导体结构及其制备方法
  • [实用新型]浸润式涂布装置-CN201922183973.4有效
  • 林刘恭 - 光群雷射科技股份有限公司
  • 2019-12-09 - 2020-08-04 - G03F7/16
  • 本实用新型有关于一种浸润式涂布装置,用于将一全像图图案转移至一饰材,浸润式涂布装置包括:一基座、装有材料的一容器及一圆柱形滚轮。其中第一致动构件能使圆柱形滚轮与容器产生一相对位移,且在材料以浸润式涂布于圆柱形滚轮后的状态下,第一致动构件能于容器中或容器外旋转圆柱形滚轮,以将材料均匀涂布至圆柱形滚轮上。本实用新型的浸润式涂布装置,可使材料涂布地更均匀且缩短制作时间。
  • 浸润式光阻涂布装置

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