“负型光阻材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5349382个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]TFT基板的制作方法-CN201810793136.0有效
发明人：朱茂霞 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT基板的制作方法，首先利用半透光光罩对钝化层上的负型光阻材料进行曝光，形成交联部、外露的第一未交联部及由交联部覆盖的第二未交联部，通过第一次显影去除第一未交联部，在钝化层上形成过孔，然后对负型光阻材料进行灰化处理，将负型光阻材料减薄至露出第二未交联部，通过第二次显影去除第二未交联部，在负型光阻材料及露出的钝化层上沉积透明导电材料，形成钝化层上的像素电极，最后用光阻剥离液去除剩余的负型光阻材料及其上的透明导电材料；本发明通过分步显影的方式，解决了利用负型光阻材料形成half tone结构的技术难点，使3mask工艺使用负型光阻材料具有制程上的可行性。
tft 制作方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、负性光阻材料及其制备方法-CN202010113025.8在审
发明人：刘雪 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法、负性光阻材料及其制备方法，本发明实施例中的显示面板包括光阻层，所述光阻层包括负性光阻材料，所述负性光阻材料包括具备笼型聚倍半硅氧烷的丙烯酸酯聚合物，利用具备笼型聚倍半硅氧烷的丙烯酸酯聚合物来提高负性光阻材料热性能，从而解决负性光阻热性能差、易形成烘烤升华物产生小分子脱气，影响显示面板产品特性的问题。
一种显示面板及其制备方法负性光阻材料

[发明专利]具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法-CN202210355408.5在审
发明人：许铭案 -专利权人：许铭案
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B1/118 文献下载
摘要：一种具有波浪纹路抗反射层的基板及其制造方法，其中该制造方法包含：形成一负型光阻层于一基板上，该负型光阻层由一负型光阻材料所构成；执行一软烤制程、一第一曝光制程、一显影制程，以形成欲制作的一保留图案区，该第一曝光制程对该负型光阻材料当中的部分形成第一次交联；执行一热处理制程，以使该保留图案区的表面形成一波浪纹路结构；执行一第二曝光制程，将该保留图案区的该负型光阻材料的剩余部分形成第二次交联而固化该波浪纹路结构；以及以一硬烤制程对已完成第二次交联的该负型光阻材料进行加热据此，得到具有超低反射率的负型光阻层的特殊技术功效。
具有波浪纹路反射层及其制造方法

[发明专利]负型光阻混合物及光阻图案形成方法-CN202010187210.1有效
发明人：高攀 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种负型光阻混合物及光阻图案形成方法，负型光阻混合物包括香豆素衍生线性聚合物，光阻图案形成方法包括整层涂布负型光阻混合物形成一负型光阻层，使用掩模构件对负型光阻层的遮光部分进行遮光，对负型光阻层未被掩模构件遮住的部分进行曝光，形成曝光部分，曝光部分包括负型光阻层和包裹负型光阻层的体型凝胶，使用显影液对负型光阻层进行蚀刻，去除遮光部分，形成负型光阻图案。
负型光阻混合物图案形成方法

[发明专利]集成电路制造方法-CN02147386.2有效
发明人：何邦庆;陈建宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-10-21 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种集成电路制造方法，是应用水溶性负型光阻在具有填充洞的光罩的光刻制造过程中，利用水溶性负型光阻与原先光阻中酸成分的反应，而在两者的接口间形成固化薄膜。并且，在光刻制造过程后暴露出接触洞的开口但保留填充洞中的水溶性负型光阻材料，但上述的薄膜并不被光刻制造过程所去除，如此可缩小接触洞开口的宽度。上述的水溶性负型光阻成分包含：聚合物、光活性化合物、抑制剂、交联剂、以及溶剂。
集成电路制造方法

[发明专利]一种显示面板的制造方法、显示面板及显示装置-CN201910772147.5有效
发明人：蔡奇哲;汪红 -专利权人：咸阳彩虹光电科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板的制造方法，包括提供衬底基板；通过第一次曝光在衬底基板上形成具有像素坑的第一光阻层，第一光阻层的材料包括混合有光敏材料的负性光阻材料；对第一光阻层进行第二次曝光形成最终光阻层，最终光阻层包括剩余部分的第一光阻层及位于剩余部分的第一光阻层上的第二光阻层，且第一光阻层和第二光阻层的亲水特性不同。本发明的负性光阻材料中混合有光敏材料，在第二次曝光的过程中，负性光阻材料的上层部分接收光照较多，光敏材料在光照条件下发生反应变成疏水特性，而负性光阻材料的下层部分受光照影响较小仍然是亲水特性，当色阻材料注入至像素坑的时候可有效防止墨水溢出像素坑
一种显示面板制造方法显示装置

[发明专利]一种Top com结构的a-Si转IGZO的阵列基板的制造方法-CN202211069732.7在审
发明人：陈伟;陈鑫 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种Topcom结构的a‑Si转IGZO的阵列基板的制造方法，包括：依序在Glass上形成GE、PEITO、GI、SEIGZO；采用DC光罩，干蚀刻出DC孔，便于SD与PE搭接；在IGZO及GI层上涂上一层负型光阻PR；用SD的光罩对负型光阻PR进行曝光；显影掉未被光照到的负型光阻PR；采用PVD方式在负型PR及IGZO上沉积一层SD；在SD上涂一层正型光阻PR，并用SD的原有光罩进行曝光；显影掉被光照到的正型光阻PR；采用湿蚀刻方式，蚀刻掉未被光阻PR保护的金属层；进行剥膜制程，去掉正型和负型光阻，形成SD；沉积一层CH；形成公共电极层UCITO。
一种 top com 结构 si igzo 阵列制造方法

[发明专利]一种BCE结构TFT的制作方法及结构-CN202010755484.6在审
发明人：阮桑桑 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCE结构TFT的制作方法及结构，在有源层上涂布负型光阻层，对负型光阻层曝光显影，保留有源层上的负型光阻层，光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；沉积源漏极金属层；涂布正型光阻层，对正型光阻层曝光显影，去除部分正型光阻层；以正型光阻层为掩膜，蚀刻源漏极金属薄膜；去除正型光阻层。本方法通过2次曝光显影，采用负型光阻在有源层上方沟道区留下光阻，保护有源层在源漏极金属层蚀刻中不受酸液或等离子体的损伤，先沉积SD金属层，再用正型光阻，并形成SD。在不增加光罩兼容现有工艺流程下，就能够保护有源层在沟道处不受SD蚀刻影响，而提高TFT电性均匀性和稳定性。
一种 bce 结构 tft 制作方法

[发明专利]水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法-CN200310122533.9有效
发明人：何邦庆;陈建宏;高野洋介;卢炳宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;瑞士商科莱恩国际股份有限公司
申请日： 2003-12-08 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法，该水溶性负型光阻至少包括聚合物、光活性化合物、抑制剂、交链剂、以及溶剂。由于此水溶性负型光阻不会与之前形成的光阻层互相混合，在曝光之后即可用去离子水来显影出预定的光阻图案。本发明提供的该形成光阻图案的方法，应用此水溶性负型光阻于构装与解除(Packing AndUnpacking；PAU)的光罩组合的方式，可增加聚焦深度(Depth OfFocus；DOF)，降低光罩误差系数(Mask Error Factor；MEF)，并缩小洞与洞的分离率(Hole－to－separation Ratio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。
水溶性负型光阻及其形成图案方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201410291981.X有效
发明人：吴德峻;林苡娴 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：于半导体层上形成第一光阻图案。以第一光阻图案为罩幕图案化半导体层，以形成信道。以光罩为罩幕图案化第一光阻图案，以形成信道保护图案。于基板上形成导电层，以覆盖信道保护图案及信道。于导电层上形成第二光阻材料层。再度以光罩为罩幕图案化第二光阻材料层，以形成第二光阻图案。第一光阻图案与第二光阻图案的一为正型光阻，而第一光阻图案与第二光阻图案的另一为负型光阻。以第二光阻图案为罩幕图案化导电层，以形成源极与漏极。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]电镀电极的制作方法-CN200410049084.4无效
发明人：山野孝治 -专利权人：新光电气工业株式会社
申请日： 2004-06-11 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：在负型光阻层(120)表面贴上保护膜(130)，再沿负型光阻层(120)的外缘部在保护膜(130)表面形成遮光层(140，142)。然后用步进投影光刻装置，仅使用一种网线图案，对负型光阻层(120)的各个单位光刻区域进行光刻处理。在光刻处理，剥离掉贴在负型光阻层(120)上的保护膜(130)和遮光层(140，142)、进行显像处理、除去先前被遮光层(140，142)覆盖的负型光阻层(120)的部分，露出其下方的导电金属层(110
电镀电极制作方法

[发明专利]光学膜片的转印式制造方法及转印母模的制造方法-CN202011098673.7在审
发明人：林刘恭 -专利权人：光群雷射科技股份有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光学膜片的转印式制造方法及转印母模的制造方法，所述转印母模的制造方法包括：于金属滚筒的外表面涂布一负光阻层；通过第一波长光源穿通过至少一个光罩形成二维图形化光源照射于负光阻层；使得负光阻层显影后形成多个压印图形，进而使得负光阻层和金属滚筒构成一转印滚轮；通过转印滚轮滚压于一母模基材表面的光硬化材料层，而于光硬化材料层形成多个转印微结构；通过第二波长光源照射使得光硬化材料层固化，而使得光硬化材料层和母模基材构成一转印母模
光学膜片转印式制造方法转印母模

[发明专利]一种碱性水系显影的负型感光树脂组合物及其制备方法与应用-CN202211129624.4在审
发明人：左立辉;贾斌;唐新颖;范圣男;孙朝景;李涛;杜亚琳;宗文敏 -专利权人：明士（北京）新材料开发有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明公开一种负型感光树脂组合物，由包括如下的组分制成：聚酰亚胺树脂、光致交联剂、光引发剂及阻聚剂；所述阻聚剂具有式(I)或式(II)所示结构；所述光致交联剂由具有双官能度的光致交联剂和具有多官能度的光致交联剂组成本发明提供了所述负型感光树脂组合物的制备方法；本发明还提供所述负型感光树脂组合物在作为光刻材料中的应用。本发明提供的碱性水系显影的负型感光树脂组合物在应用过程中，具有80％以上的留膜率，在曝光前后放置24h后再进行显影，依然可以保持较好的图形和分辨率。
一种碱性水系显影感光树脂组合及其制备方法应用

[发明专利]掩膜板、彩膜基板及其制作方法、显示面板、显示装置-CN201710801197.2在审
发明人：王伟;郝明迁;曹振洋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：彩膜基板的制作方法包括在衬底基板上涂布彩色负性光阻材料，利用如上所述的掩膜板对所述彩色负性光阻材料进行曝光，显影后保留像素区域的彩色负性光阻材料，去除虚拟像素区的部分彩色负性光阻材料。
掩膜板彩膜基板及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]OLED显示器的制作方法及OLED显示器-CN201710899825.5有效
发明人：唐甲;张晓星 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该OLED显示器的制作方法，在TFT基板的阳极层上形成防反射层，而后再在防反射层及TFT基板上涂布负性光阻材料，并对负性光阻材料进行曝光及显影形成像素定义层，由于防反射层的存在，能够有效避免在采用两层氧化铟锡夹一层银的结构的阳极层时，对负性光阻材料进行曝光的曝光光线被阳极层反射至与像素区域对应的负性光阻材料上使像素区域产生光阻残留，从而使后续制作在像素区域内的OLED发光层的膜厚均匀，提升OLED显示器的显示品质。
oled 显示器制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条