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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]嵌入式晶片级光学传感器封装-CN202110685459.X在审
发明人：栾竟恩 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及具有嵌入式光传感器和嵌入式光发射器的传感器裸片及其制造方法。传感器裸片中的光发射器被树脂围绕。传感器裸片被并入到半导体装置封装件及其制造方法中。半导体装置封装件包括传感器裸片的光传感器上的第一透光结构、以及传感器裸片的光发射器上的第二透光结构。第一透光结构和第二透光结构分别覆盖和保护光传感器和光发射器。模制化合物在传感器裸片的表面上并且覆盖传感器裸片上的第一透光结构的侧壁和第二透光结构的侧壁。
嵌入式晶片光学传感器封装

[实用新型]半导体装置-CN202121377712.7有效
发明人：栾竟恩 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开涉及具有嵌入式光传感器和嵌入式光发射器的传感器裸片。传感器裸片中的光发射器被树脂围绕。传感器裸片被并入到半导体装置封装件中。半导体装置封装件包括传感器裸片的光传感器上的第一透光结构、以及传感器裸片的光发射器上的第二透光结构。第一透光结构和第二透光结构分别覆盖和保护光传感器和光发射器。模制化合物在传感器裸片的表面上并且覆盖传感器裸片上的第一透光结构的侧壁和第二透光结构的侧壁。通过该半导体装置，可以减小半导体装置封装件的轮廓、厚度和大小。
半导体装置

[发明专利]具有存取控制机制的设备及其操作方法-CN202180062461.X在审
发明人： B·约翰逊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明描述与裸片间通信相关的方法、设备和系统。一种设备可包含通过内部总线以通信方式彼此耦合的主裸片和从裸片集合。所述主裸片可被配置成提供用于所述主裸片和所述从裸片集合两者的组合外部接口。对于裸片间通信，目标裸片可根据由所述从裸片集合外部的源产生的时序信号协调将所传送数据至内部接口的传输。
具有存取控制机制设备及其操作方法

[发明专利]用于将磷光体施加至发光二极管的方法以及其设备-CN201780027033.7有效
发明人：安德鲁·胡斯卡;科迪·彼得森;克林特·亚当斯;M·汉森 -专利权人：罗茵尼公司
申请日： 2017-03-11 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种将磷光体施加至未封装的发光二极管(LED)裸片的方法，包括：将所述未封装的LED裸片直接传递到产品衬底；将覆盖层设置在所述产品衬底上以所述未封装的LED裸片周围产生空腔；以及施加磷光体以基本上填充所述未封装的LED裸片周围的所述空腔，所述施加包括以下操作中的至少一者：使用刮板将所述磷光体放置到所述空腔中；使用所述磷光体喷涂所述空腔；或者将所述磷光体以片材形式设置到所述未封装的LED裸片上。
用于磷光体施加发光二极管方法及其设备

[发明专利]栅格扇出晶圆级封装和制造栅格扇出晶圆级封装的方法-CN201310101471.7有效
发明人： T.迈耶 -专利权人：英特尔移动通信有限责任公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：该芯片封装布置可包括：邻接电介质层的具有至少一个裸片的电介质层；在该裸片上的至少一个接合区域，该接合区域通过电介质层被暴露；包括第一热膨胀系数的第一材料，该第一材料基本上围绕该裸片且邻接该电介质层；包括第二热膨胀系数的第二材料，该第二材料基本上围绕该裸片和该第一材料；以及电连接到该裸片的至少一个导电迹线。
栅格扇出晶圆级封装制造方法

[发明专利]用于评估半导体裸片封装的可靠性的系统及方法-CN202280008416.0在审
发明人： R·J·拉瑟;D·W·普利斯;C·V·伦诺克斯;O·唐泽拉 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于评估半导体裸片封装的可靠性的系统及方法经配置以用已知良好裸片(KGD)子系统基于多个半导体裸片中的每一者的在线零件平均测试(I‑PAT)分数与多个I‑PAT分数阈值的比较对所述多个半导体裸片进行排序，其中半导体裸片数据包含所述多个半导体裸片中的每一者的所述I‑PAT分数，其中所述I‑PAT分数表示所述对应半导体裸片的加权缺陷率。可在排序之前过滤所述半导体裸片以移除有风险半导体裸片。可从多个半导体裸片供应商子系统接收所述半导体裸片数据。所述KGD子系统可将关于所述经排序多个半导体裸片的半导体裸片可靠性数据传输到多个半导体裸片封装厂商子系统。
用于评估半导体封装可靠性系统方法

[发明专利]边缘带凹口衬底封装以及相关联的系统和方法-CN202111072006.6在审
发明人： O·R·费伊;M·E·瓦勒;J·L·沃尔茨;D·W·萨瑟恩 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：所述装置大体上包含衬底，所述衬底具有前侧、具有衬底触点的背侧和处于所述衬底的边缘处的向内凹口。所述装置包含裸片，所述裸片具有附接到所述衬底的所述前侧的作用侧并且定位成使得能够从所述衬底的所述背侧穿过所述向内凹口接入所述裸片的接合衬垫。所述装置包含线接合件，所述线接合件布设穿过所述向内凹口并且将所述裸片的所述接合衬垫电耦合到所述衬底触点。所述装置可另外包含第二裸片，所述第二裸片具有附接到所述第一裸片的所述背侧的作用侧并且定位成从所述第一裸片横向偏移以使得能够在所述第一裸片的所述边缘周围穿过所述向内凹口接入所述第二接合衬垫。
边缘凹口衬底封装以及相关系统方法

[发明专利]芯片封装模组及其制备方法、电源模块、电子设备-CN202210194673.X在审
发明人：何俊卿;张摹怀;李艳秋;杨文韬 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请提供一种芯片封装模组，包括第一导电框架、设置在第一导电框架上的第一裸片、间隔设置于第一导电框架旁边的第二导电框架。芯片封装模组还包括第一导电连接片、第二裸片、导电盖板。第一导电连接片连接第一裸片背离第一导电框架的表面并延伸搭接第二导电框架。第二裸片层叠设置在第一裸片上且连接第一导电连接片。导电盖板连接第二裸片背离第一导电框架的表面且延伸连接第一导电框架。通过第一导电连接片和导电盖板实现上下层叠的第一裸片和第二裸片之间的电性互连，将两个裸片封装在一个器件内部，提高了单个器件的性能。
芯片封装模组及其制备方法电源模块电子设备

[发明专利]离子注入机台水汽的检测方法-CN201410427604.4有效
发明人：国子明;郭国超;王毅;姚雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明采用对裸片进行离子注入，比较离子注入前后裸片表面的颗粒物的数量差值，从而判断离子注入机台的水汽含量是否超标。上述检测方法利用了注入的离子流快速定向移动，在裸片上表面空间以及裸片附近区域的空间形成压强差，离子注入机台内的水汽在上述压强差下定向运动聚集在裸片上表面空间，聚集在裸片上表面空间的水汽在不断持续的离子注入流带动下进一步聚集在裸片表面，即将离子注入机台的水汽反映在裸片的颗粒物上，如此，通过对离子注入前后的裸片进行扫描，采用同一预定颗粒检验程式统计颗粒物的数量，若上述数量超过预定差值，则认为离子注入机台的水汽含量超标。
离子注入机台水汽检测方法

[发明专利]半导体器件和在TSV转接板中形成开口腔以在WLCSMP中容纳半导体裸片的方法-CN201010294420.7有效
发明人： H·基;N·仇;H·辛 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：将第一半导体裸片安装到第二半导体裸片上。将该第一和第二裸片安装到该晶圆以便该第一裸片被置于该晶圆上方并被电连接到该TSV，且该第二裸片被置于该空腔内。在该晶圆和第一及第二裸片上方沉积密封剂。除去该密封剂的一部分以暴露该第一裸片的第一表面。除去该晶圆的一部分以暴露该TSV和该第二裸片的表面。该晶圆的剩余部分作为用于该第一和第二裸片的TSV转接板而工作。在该TSV转接板上方形成互连结构。
半导体器件 tsv 转接形成开口 wlcsmp 容纳半导体方法

[发明专利]利用硅连接层集成HBM存储裸片的多裸片FPGA-CN202010620175.8有效
发明人：徐彦峰;范继聪;单悦尔;闫华;张艳飞 -专利权人：无锡中微亿芯有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种利用硅连接层集成HBM存储裸片的多裸片FPGA，涉及FPGA技术领域，该多裸片FPGA内部设计有源的硅连接层并在其上集成FPGA裸片和HBM存储裸片，硅连接层内部布设硅连接层互连框架，HBM存储裸片接入硅连接层互连框架，与多个网络接口和多个路由器形成HBM节点，FPGA裸片内部已有的裸片路由节点接入硅连接层互连框架与HBM节点形成更大的片上网络，HBM节点可以使用多个路由器同时与FPGA裸片内部多个裸片路由节点传输数据，该结构实现了HBM存储裸片与FPGA裸片的高效通信互联，具有高存储带宽、高数据输入输出。
利用连接集成 hbm 存储多裸片 fpga

[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构-CN202011218428.5在审
发明人：周辉星 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：所述半导体封装方法包括：形成包封结构，包封结构包括包封层及第一裸片，包封层上设有内凹的腔体，第一裸片位于腔体内，第一裸片的正面设有焊垫；在第一裸片的正面形成第一导电结构，第一导电结构包括与第一裸片的焊垫电连接的第一再布线层以及第一导电凸柱；将第二裸片贴装在第一再布线层背离第一裸片的一侧，所述第二裸片的正面背离所述第一再布线层；形成第二导电结构，第二导电结构将第一导电凸柱与第二裸片的焊垫电连接；在包封层上形成通孔；形成第三导电结构，第三导电结构通过位于通孔中的第一导电部与第一导电结构电连接
半导体封装方法结构

[发明专利]用于裸片上微处理器的操作码存储-CN202180035696.X在审
发明人： T·A·曼宁;J·D·哈姆斯;T·D·拉森;G·E·胡申;T·P·芬克拜纳 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-05 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：描述用于裸片上微处理器的操作码存储的方法、系统和装置。微处理器可与存储器阵列一起形成于裸片上。用于所述微处理器的操作码可存储于所述存储器阵列中，可能与供所述裸片上微处理器使用或由所述裸片上微处理器产生的其它数据(例如，跟踪或统计数据)一起存储。耗损均衡算法可引起所述存储器阵列内的某一数目的行在任何给定时间不用以存储用户数据，且这些行可用以存储所述操作码并且可能存储用于所述裸片上微处理器的其它数据。可基于存储于存储器阵列中的所述操作码来启动和运行所述裸片上微处理器。
用于裸片上微处理器操作存储

[发明专利]接近度和测距传感器-CN201610180174.X有效
发明人： E·索吉尔;黄永盛;D·加尼 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：其中，一种具有相对小的占用面积的接近度传感器包括衬底、半导体裸片、发光器件和帽盖。该发光器件覆盖该半导体裸片。该半导体裸片固定到该衬底上并且包括能够检测来自该发光器件的光的传感器区域。该帽盖也固定到该衬底上并且包括阻止该发光器件发出的一部分光到达该传感器区域的挡光板。在一个实施例中，该发光器件和该半导体裸片定位在该衬底的同一侧上，其中，该发光器件定位在该半导体裸片上。在另一个实施例中，该发光器件定位在该衬底的一侧上而该半导体裸片定位在该衬底的相反侧上。
接近测距传感器

[实用新型]接近度传感器-CN201620241230.1有效
发明人： E·索吉尔;黄永盛;D·加尼 -专利权人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：其中，一种具有相对小的占用面积的接近度传感器包括衬底、半导体裸片、发光器件和帽盖。该发光器件覆盖该半导体裸片。该半导体裸片固定到该衬底上并且包括能够检测来自该发光器件的光的传感器区域。该帽盖也固定到该衬底上并且包括阻止该发光器件发出的一部分光到达该传感器区域的挡光板。在一个实施例中，该发光器件和该半导体裸片定位在该衬底的同一侧上，其中，该发光器件定位在该半导体裸片上。在另一个实施例中，该发光器件定位在该衬底的一侧上而该半导体裸片定位在该衬底的相反侧上。
接近传感器

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