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[发明专利]一种ITO表面特性均一化装置-CN201910222037.1有效
发明人：孙刚;周盼华 -专利权人：浙江晶鲸科技有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种ITO表面特性均一化装置，包括真空箱体、送料机构、移动机构与等离子体表面处理机，所述真空箱体内从下往上依次安装有送料机构与移动机构，送料机构上方布置有等离子体表面处理机，等离子体表面处理机安装在移动机构上本发明可以解决目前ITO表面特性均一化过程中存在的不能连续对ITO进行表面处理、工作效率低、使用等离子体处理时气密性无法得到保证与表面处理均匀性差等难题。
送料机构移动机构真空箱体等离子体表面处理机表面特性均一化等离子体处理工作效率均匀性差时气密性旋转电机直线导轨出料口封闭筒固定架滑动架进料口连接架伸缩板伸缩架旋转辊移动架保证

[发明专利]一种表面孔径均一的复合分离膜的制备方法-CN201010262047.7无效
发明人：万灵书;柯蓓蓓;徐志康 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： B01D71/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面孔径均一的复合分离膜的制备方法，包括：1)将聚合物溶解于溶剂，配置聚合物溶液；2)采用多孔材料为基膜；3)将步骤1)制得的聚合物溶液通过浸涂、涂布或喷涂等方式涂覆于基膜表面；4)将涂覆有聚合物溶液的基膜在18℃～35℃、相对湿度为60～95％的环境中放置，制得表面孔径均一的复合分离膜。本发明采用水辅助法在多孔材料表面形成表面孔径均一的复合层，方法操作简单且耗时短，复合分离膜的孔径均一可调，通用性强，在精密过滤领域具有广泛的应用前景。
一种表面孔径均一复合分离制备方法

[发明专利]一种半导体器件表面厚度均一化方法-CN201510189260.2在审
发明人：纪登峰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体器件表面厚度均一化方法，在半导体衬底上形成金属线路层之后，依次沉积氮化硅层与二氧化硅层，然后研磨掉金属线路上方的二氧化硅层。二氧化硅层的厚度比现有技术中需要沉积的二氧化硅厚度减少4～5μm，沉积完成后，采用化学机械研磨二氧化硅层，直至金属线路上的氮化硅层暴露，继续研磨，当二氧化硅完全被研磨去除后，氮化硅层仍能够完全覆盖金属线路，且经研磨后氮化硅表面与其它部分厚度较为一致因此本发明降低了二氧化硅的研磨量，且通过继续研磨半导体器件表面，利用氮化硅的耐研磨性，控制半导体器件表面各处厚度的均一性。
一种半导体器件表面厚度均一方法

[发明专利]金属玻璃产品的成型方法-CN201711475485.X在审
发明人：曹雪峰;王晶;唐中开 -专利权人：瑞声精密制造科技（常州）有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B29C45/14 文献下载
摘要：本发明涉及加工成型技术领域，尤其涉及一种金属玻璃产品的成型方法，包括：提供金属玻璃坯料；对所述金属玻璃坯料的表面进行均一化处理，形成均一化半成品；对所述均一化半成品进行第一次腐蚀处理，使所述均一化半成品的表面形成凹坑，以形成粗加工半成品；对所述粗加工半成品进行第二次腐蚀处理，使所述粗加工半成品的表面形成通孔，以形成精加工半成品；其中所述通孔的开口面积小于所述凹坑的开口面积。本发明使金属玻璃坯料的表面粗糙度比较一致，后续腐蚀处理时，能够使金属玻璃坯料的表面孔洞比较均匀，在精加工半成品与塑料结合时，结合力比较均匀，以提高产品的质量。
金属玻璃半成品坯料粗加工半成品腐蚀处理均一化精加工成型开口表面形成凹坑表面形成通孔加工成型技术表面粗糙度均一化处理表面孔洞塑料结合结合力凹坑通孔

[发明专利]一种单畴水合无机盐相变材料及其制备方法-CN202210286634.2有效
发明人：林鹏程;骆滢滢;乔骏鹏;何智锋;刘骏;陈颖 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单畴水合无机盐相变材料及其制备方法，具体是：对水性胶体施加直流电场，使水性胶体中的纳米颗粒呈现均一取向，将该均一取向的胶体流经液氮管道，使胶体中的纳米颗粒固化定型，再经冷冻干燥得到具有均一取向的纳米颗粒气凝胶；对纳米颗粒气凝胶进行等离子化表面极化和聚酰亚胺喷涂，在气凝胶表面形成锚定层；将各向同性的无机盐溶液灌装至表面锚定有聚酰亚胺的气凝胶中，真空脱泡，得到无机盐溶液@纳米颗粒气凝胶，然后在温度梯度场和移动式超声波的联合诱导下无机盐溶液缓慢结晶，得到取向均一的单畴水合无机盐相变材料。本发明制得的取向均一的单畴水合无机盐相变材料，能够提高相变材料的热导率和相变焓值。
一种水合无机盐相变材料及其制备方法

[发明专利]均一沉积-CN201780089178.X有效
发明人： T·马利南;J·科斯塔莫;M·普达斯 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：至少三个侧向化学物入口各自从不同的方向指向反应空间的中心区域，至少三个侧向化学物入口中的每个侧向化学物入口提供第一前体化学物到反应空间的独立可关闭路线。
均一沉积

[实用新型]混凝土均一器-CN202221779315.7有效
发明人：刘保权;赵贵英;瞿婧晶;赵庆华;张学文;谷立宁;陈志 -专利权人：衡橡科技股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： E04G21/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及混凝土输送装置，具体地说是一种混凝土均一器，包括连接法兰盘、缓冲料仓及传输带，缓冲料仓及传输带均为中空结构，缓冲料仓的一端与连接法兰盘固接，缓冲料仓的另一端设有传输带，传输带的内部与缓冲料仓的内部相连通本实用新型将混凝土较高的下落空间分成多个下落单元，每个下落单元中的缓冲料仓将不同下落速度的材料进行富集集中后再传输，有效地解决了分离现象，提高了混凝土最终均一稳定性。
混凝土均一

[发明专利]一种解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法-CN201610109837.9有效
发明人：吴以赢;侯多源;王科;韩晓刚;陈建维 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，通过优化腔体清洁中隔离片与电子吸附装置表面的相对位置，在整个腔体清洁过程中使隔离片覆盖在电子吸附装置表面，防止了副产物在电子吸附装置边缘表面微孔吸附过程的发生，同时，还可配合氧气等离子对电子吸附装置表面进行更彻底的处理，可有效抑制整个电子吸附装置保养周期内晶圆厚度均一性不断变差的趋势，使得厚度均一性得到大幅改善，从而提高了产品的良率与稳定性、可靠性。
一种解决 hdp psg 厚度均一持续跳高方法

[发明专利]锂离子二次电池及其制造方法-CN201711136039.6在审
发明人：松原伸典;武田和久 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：负极合剂层形成于负极集电体的表面。负极合剂层包含石墨粒子、无机填料粒子、钛酸锂粒子和水系粘合剂。无机填料粒子的平均一次粒径为石墨粒子的平均一次粒径的1/2以下。钛酸锂粒子的平均一次粒径为1μm以下。钛酸锂粒子的平均一次粒径相对于无机填料粒子的平均一次粒径之比为1以下。
平均一次粒径锂离子二次电池无机填料粒子负极合剂层钛酸锂粒子负极集电体负极石墨粒子正极水系粘合剂电解液制造

[发明专利]一种非均一凸体直径模板的制备方法-CN201810046586.3在审
发明人：杨文芳;李庆梦;王婵铭;尤恩普;申庭耀 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种非均一凸体直径模板的制备方法，包括以下步骤：步骤1：混合配制环氧树脂与固化剂作为基底材料，以玻璃板、金属板等为基底平面，在基底平面上均匀刮涂基材，静置1‑5min；步骤2：按照不同形式和大小的比例混合不同粒径大小的碳化硅颗粒，并平铺于基材表面，置于烘箱中80‑110℃固化2‑4h；步骤3：取出后冷却至室温，磕掉表面层的碳化硅颗粒，然后用气枪连接空气泵后去除未固着的部分碳化硅颗粒，得到具有非均一凸体直径的模板。本发明所述的一种非均一凸体直径模板的制备方法是基于“荷叶效应”理论，能够用于制备表面具有非均一凸体直径的高分子材料膜，使其具有疏水性。
一种均一直径模板制备方法

[发明专利]弹性矫形植入物及其制造方法-CN202110019276.4在审
发明人： D·F·切尼 -专利权人：生物医药企业公司
申请日： 2016-09-01 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： A61B17/064 文献下载
摘要：矫形植入物包括桥接件以及至少从桥接件的第一端部延伸的第一腿部和从桥接件的第二端部延伸的第二腿部。该桥接件包括第一上部区段和第二下部区段。第一上部区段包括非正交的并且从中心表面渐缩的表面，以为该第一上部区段提供不均一的横截面。第二下部区段包括非正交的并且从中心表面渐缩的表面，以为该第二下部区段提供不均一的横截面。第一上部区段和第二下部区段的不均一的横截面使桥接件的轮廓变平，从而产生具有平滑的复合表面的矫形植入物。
弹性矫形植入及其制造方法

[发明专利]弹性矫形植入物及其制造方法-CN201680050856.7有效
发明人： D.F.切尼 -专利权人：生物医药企业公司
申请日： 2016-09-01 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： A61B17/064 文献下载
摘要：矫形植入物包括桥接件以及至少从桥接件的第一端部延伸的第一腿部和从桥接件的第二端部延伸的第二腿部。该桥接件包括第一上部区段和第二下部区段。第一上部区段包括非正交的并且从中心表面渐缩的表面，以为该第一上部区段提供不均一的横截面。第二下部区段包括非正交的并且从中心表面渐缩的表面，以为该第二下部区段提供不均一的横截面。第一上部区段和第二下部区段的不均一的横截面使桥接件的轮廓变平，从而产生具有平滑的复合表面的矫形植入物。
弹性矫形植入及其制造方法

[发明专利]膜层结构、显示面板、显示装置及膜层结构制备方法-CN201910855632.9有效
发明人：李伟丽;刘明星;甘帅燕 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例提及了一种膜层结构、显示面板、显示装置及膜层结构制备方法，解决了现有膜层结构中承载的像素单元的厚度不均匀、膜层均一性差的问题。该膜层结构包括像素限定层和与像素限定层层叠设置的导电层，导电层的第一表面包括凸起部，其中，第一表面为与像素限定层相邻的表面。本发明实施例提供的膜层结构，通过在导电层与像素限定层相邻的第一表面设置凸起部的方式，实现了基于墨水液滴的表面张力制备厚度均匀、膜层均一性较好的像素单元的目的，进而提高了像素单元的膜层均一性，保证了膜层结构的发光性能
结构显示面板显示装置制备方法

[发明专利]改善氧化膜CMP均一性的方法-CN200610029998.3无效
发明人：程晓华;王贝易;赵正元;谢煊;王海军 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善氧化膜化学机械抛光(CMP)均一性的方法，该方法包括步骤：在晶圆的主研磨阶段，采用高硬度的研磨垫研磨晶圆表面，以消除段差；用中等硬度的研磨垫对经前述步骤研磨的晶圆表面进行研磨。本发明的改善氧化膜CMP均一性的方法通过在不同的主研磨阶段分别采用高硬度和中等硬度的研磨垫，改善了残膜的面内均一性和局部的平坦化程度，且控制了制程缺陷率。
改善氧化 cmp 均一方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010585384.3有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的第一掺杂层；在第一掺杂层上形成牺牲材料层形成牺牲材料层的工艺窗口较大，易精准控制牺牲材料层的厚度，且形成牺牲材料层的厚度均一性较高，刻蚀牺牲材料层，形成牺牲层，牺牲层的厚度较为精准，且牺牲层的厚度均一性较高，去除牺牲层后，在功函数层和衬底之间形成隔离槽，在衬底表面法线方向上，隔离槽的尺寸满足工艺需求，且隔离槽各处的尺寸均一性较高，使得形成在隔离槽中的隔离层的厚度满足工艺要求，且隔离层的厚度均一性较高，所述隔离层电隔离的能力的均一性高，有利于提高半导体结构的电学性能以及性能均一性。
半导体结构及其形成方法

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