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[发明专利]一种二维范德华异质结光电探测器及其制备方法-CN201710760252.8有效
发明人：王建禄;陈艳;王旭东;孟祥建;沈宏;林铁;孙璟兰;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维范德华异质结构光电探测器及其制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的异质结构及金属源漏电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种二维半导体至底层半导体表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再运用电子束光刻技术结合剥离技术制备金属电极，最终形成范德华异质结构光电探测器
一种二维范德华异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种大面积氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜及其制备方法-CN202211360177.3在审
发明人：殷红;郭莹莹;冯源方;高伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，提供了一种大面积氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜及其制备方法，通过石墨烯界面自组装层作为晶种层，以氧化硼作为前驱体，以氩气和氨气分别作为载气和反应气体，采用化学气相沉积的手段，在介质衬底上直接生长了大面积的氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜，所得氮化硼沿着石墨烯晶核进行大面积原位生长，且均匀覆盖在石墨烯表面形成异质结构。本发明制备工艺简单，无需任何金属催化剂，绿色环保，为石墨烯和氮化硼这类二维材料在范德华异质结器件中的应用提供了极为便利的工艺途径。
一种大面积氮化石墨垂直异质结薄膜及其制备方法

[发明专利]一种通过物理吸附构建二硫化钼基异质结光电探测器的方法-CN202211341842.4在审
发明人：石凯熙;杨惠;李金华;楚学影;王婉玉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过物理吸附构建二硫化钼基异质结光电探测器的方法，属于复合纳米材料光电探测技术领域。光电探测器自下而上依次有Si/SiO2衬底层、叉指电极、MoS2层、CuO纳米棒。：先通过机械剥离将MoS2薄膜转移至叉指电极上，再将研磨并干燥后的CuO纳米棒通过洗耳球斜吹至MoS2薄膜上，来构建异质结光电探测器本实验通过材料间的范德华力构建异质结，实施过程不引入其他杂质，且无需考虑材料间的晶格结构匹配等问题。与目前其他常见的构建异质结的方法如辅助转移法、涂敷法和直接生长法等相比，通过本发明构建的异质结光电探测器有着光响应特性优良，表面无杂质污染，选用材料泛围广，制备过程简便等众多优点。
一种通过物理吸附构建二硫化钼基异质结光电探测器方法

[发明专利]一种Si(P)/H/WS2-CN202310206919.5在审
发明人：赵杨;赵洪泉;石轩;王春香 -专利权人：重庆邮电大学;中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于凝聚态物理、材料研究领域，特别涉及一种Si(P)/H/WS2(RE)范德华异质结及其制备方法，制备方法包括：将WS2材料的其中一个W原子替换为稀土原子，形成WS2(RE)层；选择对晶体硅进行切面后掺杂非金属原子磷，采用H原子饱和掉硅在切面后表面未配对的悬挂键，采用一个P原子替换一个Si原子，替换的Si原子选择与稀土原子间距最短且未与H原子形成共价键的原子；以Si(P)‑H层作为衬底，在测试层间距后将WS2(RE)层与Si(P)‑H叠加形成异质结；本发明异质结的能带带隙宽度相比单层WS2的能带带隙更窄，且会形成内置电场减小电子和空穴复合，异质结的吸收光谱强于单层WS2的吸收光谱。
一种 si ws base sub

[发明专利]一种四结级联太阳电池及其制备方法-CN202010500164.6在审
发明人：何洋 -专利权人：常州信息职业技术学院
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种四结级联太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括自上而下依次设置的背面电极、InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳电池、MoS2/InP范德瓦尔斯异质结以及正面电极；其中，MoS2/InP范德瓦尔斯异质结包括InP导电衬底及覆设于所述导电衬底一端面的二硫化钼层；四结级联太阳电池为基于MoS2/InP范德瓦尔斯异质结倒置生长的四结级联太阳电池本发明一方面结区基本位于器件表面，因此通过前表面电池的设计可以有效提高该四结太阳电池的转换效率；另一方面MoS2/InP范德瓦尔斯异质结使晶片主要靠范德华力结合
一种级联太阳电池及其制备方法

[发明专利]碲镉汞-黑磷范德华异质结红外偏振探测器及制备方法-CN202110107189.4有效
发明人：王旭东;焦韩雪;陈艳;王建禄;孟祥建;沈宏;林铁;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞‑黑磷范德华异质结红外偏振探测器及制备方法。探测器的结构自下而上依次为衬底、碲镉汞材料、绝缘层、二维半导体黑磷、金属电极。首先在衬底上生长碲镉汞材料，通过紫外光刻和氩离子刻蚀去除部分碲镉汞，采用电子束蒸发的方法填充氧化铝作为绝缘层，利用聚碳酸亚丙酯薄膜辅助定点转移二维半导体材料黑磷在碲镉汞和绝缘层的交界处，通过电子束光刻技术结合剥离工艺制备金属源漏电极，形成碲镉汞范德华异质结红外偏振探测器结构。
碲镉汞黑磷范德华异质结红外偏振探测器制备方法

[发明专利]非对称范德华异质结器件、其制备方法及用途-CN201810564781.5有效
发明人：何军;程瑞清;王峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种非对称范德华异质结器件，包括从下到上依次设置的石墨烯纳米片、六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片、二碲化钼纳米片；所述石墨烯纳米片和六方氮化硼纳米片、二硫化钼纳米片、二碲化钼纳米片有重叠的区域本发明还提供所述非对称范德华异质结器件的制备和应用。本发明的非对称范德华异质结器件可以实现超高性能与多种功能的有机统一。工作为晶体管时，器件展现出超高电流开关比，超小亚阈值摆幅以及明显的负跨导行为。
对称范德华异质结器件制备方法用途

[发明专利]一种铁电场调控的范德华异质结隧道二极管及其制备方法-CN202211353126.8在审
发明人：袁永刚 -专利权人：德阳红外科技创新中心有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明属于二维半导体材料微电子器件技术领域，尤其涉及一种铁电场调控的范德华异质结隧道二极管及其制备方法。本发明的隧道二极管自下而上依次为衬底、二维半导体异质结层、金属电极对和铁电薄膜层和顶部金属电极。首先在衬底上制备两种二维半导体材料，然后将其转移至衬底表面上进行堆叠，制备出二维半导体材料异质结，再运用电子束光刻技术结合剥离工艺制备金属电极对，接着在该结构上制备铁电薄膜层，然后通过电子束蒸发和掩膜技术制备顶部电极在铁电场的作用下，二维半导体异质结的载流子浓度被有效的调控，出现了负微分电阻的趋势，实现了隧道二极管的器件功能。
一种电场调控范德华异质结隧道二极管及其制备方法

[发明专利]一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法-CN202210042135.9有效
发明人：张跃;洪孟羽;张铮;杜君莉;杜文龙;高丽;柳柏杉;于慧慧;汤文辉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H10K71/16 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法。首先通过模板法制备金属电极，然后通过膜辅助法将制备好的金属电极转移到半导体表面构筑晶体管器件，通过该方法构筑的晶体管，半导体表面和晶格不会被破坏，金属电极和半导体依靠范德华力形成接触，不会产生费米能级钉扎即通过改变金属电极，使用不同功函数的金属与半导体形成异质结，异质结肖特基势垒高度不同，载流子输运类型可以改变。
一种转移金属电极构筑范德华晶体管方法

[发明专利]一种MoS₂/MoO₂异质结的制备方法-CN201811037524.2在审
发明人：陈波;韩燕;薛林;李向前 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种MoS₂/MoO₂异质结的制备方法，属于纳米光电子材料制备技术领域，可解决现有异质结的制备方法容易引入杂质，重复性差的问题，以固态S和MoO₃为前驱体，经过化学气相反应后在目标衬底上合成MoS₂/MoO₂异质结，其中，管式炉温区中S蒸汽的浓度可以通过载气流量的大小来调节。相比于定位机械转移法，该方法可以稳定高效地制备大面积MoS₂/MoO₂异质结，也可以扩展到以二维过渡金属硫族化合物为基础的范德华异质结的制备中。所得到MoS₂/MoO₂异质结既可以用于科学研究，又可以用于制作纳米光电子器件。
异质结制备过渡金属硫族化合物纳米光电子材料纳米光电子器件化学气相反应制备技术领域定位机械载气流量前驱体转移法衬底二维管式炉温蒸汽科学研究合成引入制作

[发明专利]一种基于非对称势垒能带结构的宽谱响应红外探测器-CN202210785145.1在审
发明人：龙明生;王秀秀 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：一种基于非对称势垒能带结构的宽谱响应红外探测器，是超低暗电流垂直范德华异质结宽谱响应红外探测器，结构如下：衬底绝缘层(1)，底面反射电极层(3)，n‑型二维层状半导体薄膜层即吸收层(5)，调控层(7)为带隙可调二维薄膜材料层，宽带隙型二维薄膜材料层即势垒层(6)，接触层(8)为n‑型二维层状材料，与吸收层导电类型相同；顶栅电极层(9)和顶电极层(4)；所述顶电极层设置在所述异质结上方接触层的一侧或一周；所述顶栅电极层设置在所述异质结势垒层的正上方
一种基于对称能带结构响应红外探测器

[发明专利]一种PVK-TMDCs范德华异质结及其制备方法-CN202110140994.7有效
发明人：黄寒;邵子依;郭晓;肖君婷;游思雯 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了PVK‑TMDCs范德华异质结及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜；采用物理气相沉积法在所述过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，得到PVK‑TMDCs范德华异质结。本发明采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜，得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜，然后采用物理气相沉积法在过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，过渡金属硫族化合物薄膜可以对钙钛矿薄膜生长的结构和能级起到调控作用，防止异质结界面中出现杂质
一种 pvk tmdcs 范德华异质结及其制备方法

[发明专利]一种自下而上的范德华异质结光催化及光电催化材料的组装方法-CN202111431065.8在审
发明人：陈华军;席晓晶;赵莉;李冬;田文杰;王小庆 -专利权人：洛阳理工学院
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种自下而上的范德华异质结光催化及光电催化材料的组装方法，属于光催化和光电催化材料合成领域，步骤如下：将纳米粉末光催化材料加入到三（羟甲基）氨基甲烷水溶液，分散得溶液A；加入多巴胺，在粉末光催化材料表面进行多巴胺聚合反应，得产物B；离心分离、洗涤、烘干、焙烧，得产物C；将产物C加到去离子水中，分散得悬浮液D；将碳纤维织物浸入悬浮液D，产物C与碳纤维织物组装形成宏观范德华异质结光催化和光电催化材料。本发明采用自下而上方式，通过范德华作用将粉末光催化材料组装在碳纤维织物表面，所得产品易分离回收，方法简单易行，过程环保，解决了粉末光催化剂分离和回收的难题，为光催化的工业化应用开辟了新途径。
一种自下而上范德华异质结光催化光电催化材料组装方法

[发明专利]一种自供电的偏振敏感型光电探测器及其制备方法-CN202211356524.5在审
发明人：周楠;李俊浩;谢涌;李晓波;李浩然;党紫薇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：利用紫外光刻技术和镀膜技术在氧化硅衬底上制备数字标记的Mark；通过定点转移的方法在Mark标记的氧化硅衬底上制备二维P‑WS2/N‑GeAs2范德华异质结；在二维P‑WS2/N‑GeAs2范德华异质结上制备对电极图案并蒸镀电极；利用丙酮溶液去胶，得到基于二维P‑WS2/N‑GeAs2范德华异质结的光电探测器。
一种供电偏振敏感光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种乐高式范德华异质结及其制备方法-CN202211634556.7在审
发明人：胡少杰;王苗欣;高福朋;苏旭晖;王康 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种乐高式范德华异质结及其制备方法，利用PDMS和PPC制备成的微圆点及其阵列在各种类型基底上进行大面积二维范德华材料的转移和堆垛。本发明的制备方法主要包括三部分：第一部分是微圆点及其阵列制备；第二部分是范德华转移系统；第三部分是转移步骤及控制条件。本发明通过微圆点或其阵列在各种类型基底上进行二维范德华材料的转移和堆垛，在此过程中几乎不残留粘胶，能够省却除胶步骤，是一种快速实现二维材料的清洁转移方法，大大简化了制备工艺以及避免了由于除胶对乐高式范德华异质结结构和性能的影响
一种乐高式范德华异质结及其制备方法