[发明专利]一种四结级联太阳电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010500164.6 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN111613689A 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 何洋 申请(专利权)人: 常州信息职业技术学院
主分类号: H01L31/0725 分类号: H01L31/0725;H01L31/0336;H01L31/18
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 王昊
地址: 213164 江苏省常州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种四结级联太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括自上而下依次设置的背面电极、InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳电池、MoS2/InP范德瓦尔斯异质结以及正面电极;其中,MoS2/InP范德瓦尔斯异质结包括InP导电衬底及覆设于所述导电衬底一端面的二硫化钼层;四结级联太阳电池为基于MoS2/InP范德瓦尔斯异质结倒置生长的四结级联太阳电池。本发明一方面结区基本位于器件表面,因此通过前表面电池的设计可以有效提高该四结太阳电池的转换效率;另一方面MoS2/InP范德瓦尔斯异质结使晶片主要靠范德华力结合,键合所需要的压力低,避免直接键合工艺引起的电池性能退化。
搜索关键词: 一种 级联 太阳电池 及其 制备 方法
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  • 寿春晖;闫宝杰;曾俞衡;盛江;叶继春;丁莞尔;郑晶茗 - 浙江浙能技术研究院有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 2020-06-18 - 2022-03-25 - H01L31/0725
  • 本发明涉及一种钙钛矿/晶硅叠层太阳电池结构,包括:底电池和钙钛矿顶电池;所述底电池为晶硅类‑PERC底电池或晶硅类‑PERT底电池;所述钙钛矿顶电池包括钙钛矿电池载流子传输层A、钙钛矿吸收层、钙钛矿电池载流子传输层B、透明导电膜和顶电极栅线;所述顶电极栅线位于透明导电膜顶部。本发明的有益效果是:这种钙钛矿/晶硅类‑PREC或钙钛矿/晶硅类‑PERT可以利用目前晶硅PREC或PERT太阳电池的生产线,只需做少量的改进,即可制备出良好的底电池,提高太阳电池效率,降低钙钛矿/晶硅叠层电池的生产成本;本结构可以形成可靠的全表面隧穿结接触,无整流效应;制备工艺完全兼容现有硅电池生产方法,可全表面均匀制备,工艺简单,可靠性强。
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