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[发明专利]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN201811222301.3在审
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。本发明的叠层太阳能电池正极靠近光的入射处，有效减小空穴移动到太阳能电池正极的距离，进而提高叠层太阳能电池的载流子收集效率、提高太阳能电池的性能。
一种钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池-CN201821699412.9有效
发明人：杨少飞;唐泽国 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，具体的，钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池包括钙钛矿电池、硅基异质结电池以及所述钙钛矿电池和所述硅基异质结电池之间的隧穿结，所述钙钛矿电池层上设置有正极，所述硅基异质结电池层下设置有负极，所述钙钛矿电池为光照入射方向。本实用新型的叠层太阳能电池正极靠近光的入射处，有效减小空穴移动到太阳能电池正极的距离，进而提高叠层太阳能电池的载流子收集效率、提高太阳能电池的性能。
钙钛矿硅基异质结叠层太阳能电池电池正极本实用新型电池层太阳能电池正极载流子收集效率太阳能电池负极空穴移动入射方向隧穿结减小入射光照

[发明专利]一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202010380465.X在审
发明人：陈昌明;周国平;李正平;刘超;杨杰;任栋樑;徐小娜 -专利权人：熵熠(上海)能源科技有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为衬底，在衬底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、氧化铝钝化层、背面透明导电氧化物层和背面金属电极；在衬底硅片的正面由内至外依次为正面本征非晶硅层、n型非晶硅前电场层、正面透明导电氧化物层、正面金属电极；所述氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明所述异质结电池的p型非晶硅发射极层位于电池的背面，同时利用氧化铝的场效应钝化来钝化p型非晶硅发射极层，提升异质结电池的开路电压和转换效率。
一种氧化铝钝化背结硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]半导体异质结及其发光晶体管-CN200710026964.3无效
发明人：郭志友;张建中;孙慧卿;范广涵 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2007-02-15 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体异质结及其发光晶体管。半导体异质结包括宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层、窄带隙的n－型掺杂层、有源层，所述窄带隙的n－型掺杂层通过突变异质结接触生长在宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层上，所述有源层渐变生长在n－型掺杂层上，在n－型掺杂层/n+型掺杂层形成突变同型异质结，在靠近n－型轻掺杂的结区一侧形成一个量子阱，n+型一侧形成势垒。在半导体异质结的n－型掺杂层上再生长有源层、p型掺杂层，然后再制作n+型电极、n－型电极、p型电极即得到发光晶体管。上述基于半导体异质结的发光晶体管，通过改变施加在n－型掺杂层的电压可以控制电子的通过和截止，从而可以控制发光晶体管的发光强度。
半导体异质结及其发光晶体管

[发明专利]一种以双异质结为光敏层的有机近红外光上转换器-CN201610079906.6在审
发明人：彭应全;许自强;吕文理;王颖 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种以双异质结为光敏层的有机近红外光上转换器，其特征在于，它采用“衬底/透明阳极/双异质结光敏层/OLED活性层/阴极”的下置结构，或“衬底/透明阴极/OLED活性层/双异质结光敏层/无论是采用上置结构或者下置结构，双异质结光敏层从下往上依次为模板层、近红外光吸收层和电子受体层。
一种双异质结为光敏有机红外光转换器

[发明专利]一种QLED及其制备方法-CN201610563128.8在审
发明人：钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：所述QLED，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极，还包括第一混合异质结层和/或第二混合异质结层，其中，所述第一混合异质结层由空穴传输材料和发光量子点混合制成，并设置在所述空穴传输层和所述量子点发光层之间；所述第二混合异质结层由电子传输材料和发光量子点混合制成，并设置在所述电子传输层和所述量子点发光层之间。
一种 qled 及其制备方法

[发明专利]一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用-CN202211080520.9在审
发明人：唐振华;方俊霖;张莉;范召缘;梁展恒;刘廷诉;唐新桂;刘秋香 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用，该MXene/NiO异质结的突触器件，包括：基片，所述基片中设置有底部电极，其中，所述基片的上顶面暴露有所述底部电极；覆盖所述基片部分区域的MXene/NiO异质结层，所述MXene/NiO异质结层包括MXene层和NiO层，所述部分区域为基片对应的区域中除底部电极的其他区域；位于所述MXene/NiO异质结层顶面的顶部电极。
一种 mxene nio 异质结突触器件制备方法及其应用

[发明专利]一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器及其制备方法和应用-CN202111062065.5在审
发明人：杨诚;张显美 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，涉及一种高隧道电阻的铁电隧道结忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括:自下而上依次设置有基底、底部金电极层、异质结层；所述异质结层为CuInP2S6/MoS2垂直异质结，作为介质层。利用两种不同的二维材料，并将它们形成垂直异质结，呈现出高速和低电压介导的忆阻器。
一种隧道电阻结忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件及其制作方法-CN201711169060.6在审
发明人：王洪;周泉斌;李祈昕 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件及制作方法。该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、钝化层、栅介质层、无金栅电极、无金源漏电极。所述AlGaN/GaN异质结外延层从下往上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、GaN沟道层、AlGaN本征势垒层和AlGaN重掺杂层，AlGaN重掺杂层通过电离施主产生电荷以补偿半导体的表面受主能级从而抑制电流崩塌本发明通过在AlGaN/GaN异质结中采用双层AlGaN层，结合无金电极工艺和低温欧姆工艺，可以有效抑制HEMT器件的电流崩塌，提高器件性能，同时降低工艺温度、简化工艺流程，解决了AlGaN/GaN异质结HEMT与Si‑CMOS工艺兼容的技术瓶颈，有助于降低AlGaN/GaN异质结HEMT的制造成本。
一种 si cmos 工艺兼容 algan gan 异质结 hemt 器件及其制作方法

[发明专利]一种复合衬底及制备方法、射频集成芯片制备方法-CN202110374676.7有效
发明人：朱庆芳;蔡文必;罗捷 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种复合衬底及制备方法、射频集成芯片制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：提供砷化镓基底，在高电子迁移率晶体管区域刻蚀异质结双极晶体管外延层结构以露出高电子迁移率晶体管外延层结构，高电子迁移率晶体管外延层结构位于高电子迁移率晶体管区域、异质结双极晶体管区域和键合区域，异质结双极晶体管外延层结构位于异质结双极晶体管区域和键合区域；在键合区域的异质结双极晶体管外延层结构上沉积结合层。在结合层上通过键合形成键合压电层，从而可以将高电子迁移率晶体管外延层结构、异质结双极晶体管外延层结构和键合压电层集成，在封装时，能够提高芯片集成化，减小打线，减小体积。
一种复合衬底制备方法射频集成芯片

[发明专利]含油废水异质结微通道分离方法及装置-CN202110713979.7在审
发明人：刘毅;徐博文;孙玉萧;汪华林;郭靖;赵德银;梁坡 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C02F1/40 文献下载
摘要：本公开涉及含油废水异质结微通道分离方法及装置，提供了一种含油废水异质结微通道分离方法，该方法包括以下步骤：(i)将介质颗粒均匀混合以构建异质结微通道床层；(ii)依靠异质结微通道的拦截、破乳、聚并作用实现含油废水中悬浮物、油类污染物的分离；以及(iii)对床层进行反洗，并通过旋流自转强化介质颗粒表面的油、油泥的脱附并最终实现床层介质颗粒再生。还提供了一种含油废水异质结微通道分离装置。
含油废水异质结微通道分离方法装置

[发明专利]半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂-CN202010641110.1在审
发明人：吕锋仔;黄文财 -专利权人：吕锋仔;厦门大学
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： B01J27/185 文献下载
摘要：本发明公开了半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体异质结/同质结包括半导体过渡层、第一半导体层和第二半导体层，半导体过渡层包括半导体层，第一半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第二半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第一半导体层与第二半导体层不接触，第一半导体层和与其直接接触的半导体层至少之一的厚度不超出它们所形成的半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度、和/或第二半导体层和与其直接接触的半导体层至少之一的厚度不超出它们所形成的半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度。该半导体异质结/同质结具有优异的氧化还原能力、最大化的有效活性表面、可控的内建电场、灵活的能带结构匹配和良好的稳定性。
半导体异质结同质及其制备方法具有光催化剂

[发明专利]切片硅异质结太阳能电池及制备方法、太阳能电池组件-CN202110417597.X在审
发明人：王文静;徐晓华;龚道仁;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及切片硅异质结太阳能电池、制备方法及太阳能电池组件。该制备方法包括：对整片硅异质结太阳能电池切割形成切片硅异质结太阳能电池主体；还包括：在切片硅异质结太阳能电池主体的被切割侧表面形成侧接触含硅薄膜，侧接触含硅薄膜的介电常数范围为1－10；其中，切片硅异质结太阳能电池主体至少包括晶硅基底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电层。该方法在异质结太阳能电池被切割后，通过含硅薄膜对侧表面的缺陷和悬挂键进行钝化，减少硅异质结太阳能电池效率的切割损失，提高硅异质结太阳能电池效率；同时还通过含硅薄膜取代一定厚度的透明导电层，减少使用ITO
切片硅异质结太阳能电池制备方法组件

[实用新型]异质结太阳能电池-CN202021878779.4有效
发明人：张美荣;姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池包括：衬底层；在所述衬底层的一面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，在所述第一透明导电层上设置有正面电极；其中，所述第一掺杂层包括叠层设置的至少三层掺杂子层该异质结太阳能电池可以降低掺杂层对光的寄生吸收，提升异质结太阳能电池性能。
异质结太阳能电池

[发明专利]带有具有整合的掺杂分布的吸收体的异质结太阳能电池-CN200980125790.3无效
发明人：尼尔斯-彼得·哈德尔 -专利权人：太阳能研究所股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结太阳能电池(1)及其制备方法。异质结太阳能电池具有硅制成的吸收体层(3)以及掺杂半导体材料制成的至少一个异质结层(5，7)，吸收体层(3)具有基区掺杂，掺杂半导体材料的带隙不同于吸收体层的硅的带隙。吸收体层(3)在朝异质结层(5，7)方向的界面(13，15)处具有掺杂层，所述掺杂层的掺杂浓度高于吸收体层的基区掺杂浓度。作为该掺杂分布的结果，产生了场效应，该场效应防止吸收体层内产生的电荷载流子对朝向吸收体层和异质结层之间的界面扩散，以及防止在那里复合。
带有具有整合掺杂分布吸收体异质结太阳能电池