专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种疫苗分离膜加工用制膜液及制备方法-CN202010981121.4在审
  • 尹泽桦;郭文群;陈明森;李舜尧 - 苏州关怀新材料技术研究有限公司
  • 2020-09-17 - 2020-12-08 - B01D67/00
  • 本发明公开了一种疫苗分离膜加工用制膜液,涉及疫苗分离膜加工技术领域,包括如下组分,聚偏氯乙烯、丙烯酸、有机纤维、聚维酮、聚乳酸、、添加与溶剂。本发明在内设置有分布搅拌步骤,大大提高了制膜液的融合效果,在方法内还设置有添加添加过程,添加可使混合液的粘结在一起的固定分散开来,且可使混合液内产生多孔,多孔的形成有利于释放粘合物质内物质,配合分步不同温度、转速的搅拌使制膜液得到有效充分的融合,大大提高了制膜液的整体质量,同时在方法内设置有消泡步骤,可有效对于打开物质产生多孔时使液体上方产生气泡进行有效消除,避免气泡干扰该制膜液的整体使用
  • 一种疫苗分离工用制膜液制备方法
  • [发明专利]一种聚丙烯多孔膜及其制备方法-CN201510066637.5在审
  • 姜修磊 - 浙江新恒泰新材料有限公司
  • 2015-02-07 - 2015-05-20 - C08L23/12
  • 本发明涉及一种聚丙烯多孔膜,包括以下组分:100重量份的聚丙烯树脂、1~15重量份的相容、5~30重量份的,并通过应用超临界流体发泡技术使聚丙烯树脂发泡膨胀,并依靠低界面张力的使泡壁在生长过程中破裂连通;本发明的优点:通过应用超临界流体发泡技术使聚丙烯树脂发泡膨胀,并依靠低界面张力的使泡壁在生长过程中破裂连通,容易制得高通量的聚丙烯多孔膜,应用超临界流体的多孔成型技术,过程清洁无污染,含硅氧基团的同时也是亲二氧化碳的物质
  • 一种聚丙烯多孔及其制备方法
  • [发明专利]场发射器件的制造方法-CN200710186971.X无效
  • 崔濬熙;裵民钟 - 三星电子株式会社
  • 2007-11-15 - 2008-05-21 - H01J9/02
  • 本发明提供了一种场发射器件的制造方法,包括:在基板上依次形成阴极和光阻挡层,并构图所述光阻挡层以形成阻挡层;在所述光阻挡层上依次形成绝缘层和栅极材料层,并构图所述栅极材料层以形成栅电极,在所述栅电极中形成栅电极;在所述栅电极上涂覆光抗蚀,并曝光和显影所述光抗蚀以在所述栅电极内形成抗蚀;各向同性地蚀刻通过所述抗蚀暴露出的绝缘层的部分从而形成绝缘层;蚀刻通过所述绝缘层暴露出的栅电极的部分,以形成栅极,并除去所述光抗蚀;和在通过所述阻挡层暴露的阴极电极上形成发射器。
  • 发射器件制造方法
  • [发明专利]一种灭杀冠状病毒的微介树脂及其制备方法-CN202210900227.6在审
  • 徐庆南;杨德正;陈朝军 - 大连理工大学
  • 2022-07-28 - 2022-10-11 - C08F212/08
  • 本发明公开了一种灭杀冠状病毒的微介树脂及其制备方法,包括步骤:S1、配制水相;将分散剂、去离子水倒入烧瓶中均匀搅拌形成水相;S2、添加:为气泡放电等离子体,在S1得到的水相中放置气泡放电装置;S3、形成微介树脂:将将苯乙烯、二乙烯苯、丙烯酸甲酯、过氧化苯甲酰依次缓慢添加至水相中并均匀搅拌加热,得到共聚微介白球,且等离子体作为能够在制的同时植入众多活性官能团;S4、将成型的吸附树脂进行水洗分离本发明加入等离子体作为,等离子体中羟基和氧原子与共聚白球中的聚苯乙烯‑二乙烯苯产生官能化反应,增加共聚白球上的官能团含量并丰富孔隙结构,提高了吸附的吸附灭杀性能。
  • 一种灭杀冠状病毒微介孔树脂及其制备方法
  • [发明专利]晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片-CN201610547901.1有效
  • 谢安;张旻澍;陈文哲 - 厦门理工学院
  • 2016-07-13 - 2020-08-04 - H01L33/60
  • 一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法,包括以下步骤:S1,制备LED的硅基板,所述LED晶片区内设有硅通以及与之配合的电极;S2,在空腔内注射光抗蚀,然后烘焙形成光抗蚀层,所述光抗蚀层覆盖LED晶片区上;S3,制备反射层,制备过程在室温环境下完成;S4,去除光抗蚀层,将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中,采用超声波去除光抗蚀层使LED晶片区裸露出来;S5,在LED晶片区内设置LED本发明通过涂覆光抗蚀层,依据需要在硅基板的顶面形成反射层,然后剥离光抗蚀层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通的上方制备反射层的问题,具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
  • 晶圆级led芯片反射层制备方法
  • [发明专利]一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片-CN201610548054.0有效
  • 张旻澍;谢安;陈文哲 - 厦门理工学院
  • 2016-07-13 - 2020-05-05 - H01L33/60
  • 一种精准制备LED芯片反射层的方法,包括以下步骤:S1,制备LED的硅基板,所述LED晶片区内设有硅通以及与之配合的电极;S2,在空腔内注射光抗蚀,然后烘焙形成光抗蚀层,所述光抗蚀层覆盖LED晶片区上;S3,制备反射层,制备过程在室温环境下完成;S4,去除光抗蚀层,将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中,采用超声波去除光抗蚀层使LED晶片区裸露出来;S5,在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光抗蚀层,依据需要在硅基板的顶面形成反射层,然后剥离光抗蚀层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通的上方制备反射层的问题,具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
  • 一种精准制备led芯片反射层方法

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