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[发明专利]高温液相加热晶化方法及装备-CN200910053887.X有效
发明人：张志林;张建华;张浩;蒋雪茵;张良;俞东斌;李俊;张小文 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高温液相加热晶化方法及装备。本装备有一可盛高温金属液体的槽，在该槽内盛有高温的金属或非金属液体，在此液体中还可以插入一高温区，在高温金属或非金属液体上面有包括需要晶化的衬底，衬底上面有需要晶化的非晶薄膜组成的基板，该基板有一个推动系统推动可连续晶化该非晶膜本方法是将基板放在槽内并浮在高温液面上面，在真空或惰性气体或还原气体下加热至500度到1000度，在1分钟到20小时之间进行晶化，然后降温至250度到300度，取出基板。本发明能保持基板的平整度、不变形，受热均匀，传热效率高。
高温相加热晶化方法装备

[发明专利]晶化非晶Si膜的方法-CN200510072664.X无效
发明人：崔哲柊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种晶化非晶Si膜的方法。这种晶化非晶Si膜的方法包括：向形成在衬底上的非晶Si膜中掺入预定的金属离子，以及，对掺有金属离子的非晶Si膜退火以晶化该非晶Si膜。根据该晶化非晶Si膜的方法，可以用更低的能量晶化非晶Si膜，且晶化的Si膜的表面粗糙度可以得到改善。
晶化非晶 si 方法

[发明专利]半导体元件结构的形成方法-CN202210933181.8在审
发明人：何彩蓉;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该方法包括在半导体鳍片的一部分上方形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构的相对侧上形成栅极间隔物；在未由牺牲栅极结构及栅极间隔物覆盖的半导体鳍片中形成非晶化区，其中非晶化区具有第一粗糙度的非晶‑结晶界面；在非晶化区上方形成应力源层，其中应力源层的形成将非晶‑结晶界面自第一粗糙度再结晶为小于第一粗糙度的第二粗糙度；及使非晶化区经受退火工艺以将非晶化区再结晶为包含错位的结晶区。
半导体元件结构形成方法

[发明专利]激光晶化度测量设备和方法-CN201810972319.9在审
发明人：朴龙俊;韩承镐;金暻隋;徐瑨;吴世允;林东燮;梁成勋;崔峻荣 -专利权人：三星显示有限公司;科美仪器公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：提供了一种激光晶化度测量设备和一种用于测量激光晶化度的方法。该激光晶化度测量设备包括：光谱仪，被构造为测量通过激光晶化装置晶化的实际多晶硅层的光谱的实际数据；以及模拟装置，连接到光谱仪并且被构造为根据形成在虚拟多晶硅层中的虚拟突起的形状来确定虚拟多晶硅层的光谱的模拟数据
晶化度测量设备激光虚拟多晶硅层光谱仪多晶硅层模拟数据实际数据突起光谱测量激光晶化装置模拟装置最终数据晶化近似测量虚拟

[发明专利]低晶化度包覆料及其制备方法、负极材料及锂电池负极-CN202010734556.9有效
发明人：佘英奇;胡孔明;王志勇;任娜娜 -专利权人：湖南中科星城石墨有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种低晶化度包覆料及其制备方法、负极材料及锂电池负极。一种低晶化度包覆料的制备方法，主要包括：混合Al2O3纳米粒子与沥青，热处理使沥青碳化。将Al2O3纳米粒子与沥青混合，热处理使沥青碳化形成微晶结构，Al2O3纳米粒子能够阻止微晶结构进一步融合扩大，得到晶化度较低的包覆料；该包覆料的晶化度比常规软碳软化度更低。
低晶化度包覆料及制备方法负极材料锂电池

[实用新型]一种用于晶化炉的晶化系统-CN201120557792.4有效
发明人：田维 -专利权人：广州欧凯特种陶瓷有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于晶化炉的晶化系统，包括晶化炉内的滚轴，还包括晶化托盘，滚轴上设置晶化托盘，晶化托盘设置2个以上，相邻的晶化托盘呈间隔设置。本实用新型克服了现有技术中大尺寸玻璃的平面度无法得到保证、玻璃底部易划伤报废、易产生滑动摩擦和晶化炉横向宽度上不能充分利用等问题，具有结构简单、造价便宜、适于大尺寸玻璃处理、玻璃底部不易划伤、晶化炉空间利用率高等特点
一种用于晶化炉系统

[发明专利]一种高取代度醚化玉米淀粉的制备方法-CN201810331795.2有效
发明人：林兆云;杨桂花;陈嘉川;夏媛媛 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C08B31/12 文献下载
摘要：本发明提供一种高取代度醚化玉米淀粉的制备方法，以玉米淀粉为原料在纳米微晶纤维素存在的条件下，采用溶媒法制备高取代度醚化淀粉；所述高取代度是指取代度大于0.2；所述纳米微晶纤维素为纤维长度100‑500nm的纳米微晶纤维素NCC。以纳米纤维素为催化剂制备醚化淀粉，操作简单、效果明显、污染小。步骤简单、操作方便、实用性强。
一种取代度醚化玉米淀粉制备方法

[发明专利]一种干胶快速晶化制备沸石分子筛的方法-CN201910502519.2有效
发明人：窦涛;谭富江 -专利权人：太原大成环能化工技术有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种干胶快速晶化制备沸石分子筛的方法，涉及分子筛固相合成领域；具体包括步骤：在硅铝型分子筛母液中，加入铝源、氟化物晶化得到该硅铝型分子筛导向剂；在此硅铝型分子筛导向剂中加入碱源、硅源、模板剂R和去离子水，混合均匀后干燥成干胶粉末；所述干胶粉末在连续晶化釜内蒸汽气氛下晶化，晶化时间为2~10h，得到沸石分子筛；本发明的导向剂是二次晶化所得，活性高、导向作用强、可以缩减模板剂用量，提高结晶度，避免固相合成的杂晶相产生，缩短晶化周期；连续晶化釜，无需降温泄压，可连续化生产，所需的晶化时间短，效率产量高，制得的沸石分子筛稳定性好、结晶度高、硅铝比高。
一种快速制备分子筛方法

[发明专利]一种微晶硅薄膜的沉积方法-CN201010206866.X无效
发明人：肖金泉;赵彦辉;崔连武;华伟刚;宫骏;孙超;黄荣芳 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料领域，是一种微晶硅薄膜的制备方法。具体是在玻璃基板上沉积的非晶硅薄膜表面采用激光表面晶化的方法制备一薄层微晶硅层的方法。将直接沉积在玻璃板上的非晶硅薄膜，用激光加热晶化的方法使非晶硅薄膜部分转化为微晶硅；所用的激光加热晶化的方法是将非晶硅薄膜样品置于激光器的样品台上，用激光束进行照射，非晶硅薄膜吸收了激光的能量转换为自身能量，发生局部熔化再结晶，经表面晶化处理使得非晶硅转变为微晶硅。本发明可以解决现有技术中存在的生长速率低、结晶度低、迁移率低、光电转换效率低等问题，利用准分子激光晶化的微晶硅薄膜具有结晶度高、晶粒均匀、可实现大面积低温制备、工艺周期短等优点。
一种微晶硅薄膜沉积方法

[发明专利]一种制备ZSM-5分子筛的方法-CN201010588155.3无效
发明人：万焱波;黄道培;周继承 -专利权人：岳阳怡天化工有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B39/38 文献下载
摘要：一种制备ZSM-5分子筛的方法，包括制备前躯体胶液、晶化、过滤、干燥和焙烧，两种晶化方法，方法一，是采用微波场直接照射密封容器中的前躯体胶液，利用微波效应和胶液自生的水热压力的共同作用进行晶化。方法二，是采用饱和蒸汽对密封容器中的前躯体胶液加热进行晶化处理，可以同时在微波场中进行。晶化处理的饱和蒸汽的温度为摄氏170-＜180度，晶化时间为1-6小时。前躯体胶液在老化后和晶化前，按质量比加入了1-10％晶种。制备前躯体胶液采用无模板剂法。本发明的方法具有以下优点：工艺简单易行，晶化过程的温度均匀，得到了结晶度高、晶相纯、粒度可控且范围较广，晶化时间短，能够提高生产率，降低成本，节约能源。
一种制备 zsm 分子筛方法

[发明专利]晶圆平坦度的预测-CN202180005051.1在审
发明人：雷鑫;周盈;宋豪杰;鲍琨;王璠;金国秀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开内容的方面提供了用于确定晶圆平坦度和用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：存储在光刻工艺期间沿着平行于第一晶圆的工作表面的第一方向收集的第一晶圆的第一晶圆膨胀。光刻工艺用于在第一晶圆的工作表面上对结构进行图案化。在具有晶圆平坦度要求的制造步骤之前，使用被配置为预测晶圆平坦度的平坦度预测模型、并基于在光刻工艺期间收集的第一晶圆膨胀来确定第一晶圆的晶圆平坦度。在示例中，在第一晶圆的背面上沉积具有基于所确定的第一晶圆的晶圆平坦度的厚度的层。
平坦预测

[发明专利]微晶玻璃及其生产方法和应用-CN201911269768.8在审
发明人：戴佳卫;黎展宏;欧阳辰鑫;刘再进;宫汝华;何根;陈佳佳;梁雅琼;沈于乔 -专利权人：四川旭虹光电科技有限公司;华为技术有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃制备领域，具体涉及微晶玻璃及其生产方法和应用。生产微晶玻璃的方法，包括：将原玻璃体进行微晶化处理，所述微晶化处理包括：(1)升温：将原玻璃体从起始温度以升温速率VT1升温至核化温度；(2)核化：在核化温度下进行核化；(3)过渡期：从核化温度以升温速率Vg升温至晶化温度；(4)晶化：在晶化温度下进行晶化；(5)降温：从晶化温度开始降温；其中，所述核化温度为550‑640℃，所述晶化温度为640‑750℃。本发明所述方法得到的微晶玻璃具有厚度薄、透光率好、表面质量好、翘曲高度小、外形完整度高等优势。
玻璃及其生产方法应用

[发明专利]恢复甲醇制低碳烯烃分子筛变质滤饼结晶度的方法-CN201610098819.5有效
发明人：梁光华;刘环昌;明曰信;陈文勇;彭立 -专利权人：山东齐鲁华信高科有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C01B39/54 文献下载
摘要：本发明属于分子筛合成技术领域，具体涉及一种恢复甲醇制低碳烯烃分子筛变质滤饼结晶度的方法。按甲醇制低碳烯烃分子筛的合成工艺进行水热合成，晶化完全后，回收挥发性模板剂，之后对晶化原浆进行固液分离得回收母液和滤饼，滤饼经洗涤后保存；待滤饼变质后，将变质滤饼加入到母液中，最后加入挥发性模板剂，制备初始凝胶混合物；将初始凝胶混合物置于高压晶化釜中晶化，得到分子筛晶化液；将分子筛晶化液经固液分离得滤饼，滤饼洗涤得恢复结晶度的分子筛滤饼，干燥得分子筛。通过本发明的实施，变质的分子筛滤饼结晶度基本可以恢复至变质前的水平，大大降低了生产损失，有效的保证了分子筛生产的连续性。
恢复甲醇制低碳烯烃分子筛变质滤饼结晶度方法

[发明专利]一种快速晶化合成高结晶度介孔ZSM-5分子筛的方法-CN201910462013.3在审
发明人：蔡建华 -专利权人：天津金玺科技发展有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速晶化合成高结晶度介孔ZSM‑5分子筛的方法，属于分子筛技术领域。包括前驱体制备、晶化、过滤、干燥和焙烧，其中晶化方法有两种。方法一，是采用干胶转化法制备前驱体，利用乙醇自生压力进行晶化。方法二，是采用饱和蒸汽对密封容器中的前驱体进行加热进行晶化处理。晶化处理的饱和蒸汽的温度为160～180℃，晶化时间为1‑6小时。前驱体在晶化过程中，按质量比加入了硅源和模板剂，硅源和模板剂的摩尔比为1：(0.01～0.5)，初始前驱体和硅源的质量比为2～15％。本发明的方法具有以下优点：工艺简单，晶化过程的温度均匀，产品结晶度高、模板剂用量极少，晶化时间短，能够提高生产率，节约能源。
晶化前驱体硅源饱和蒸汽高结晶度晶化处理晶化过程模板剂质量比介孔合成分子筛焙烧分子筛技术模板剂用量产品结晶密封容器前驱体制温度均匀自生压力摩尔比乙醇干胶加热过滤节约能源转化

[发明专利]一种原位晶化催化裂化催化剂的制备方法-CN201810504994.9有效
发明人：赵红娟;田爱珍;王宝杰;熊晓云;王久江;胡清勋;杨周侠;张莉;刘宏海;赵晓争;孙雪芹;滕秋霞 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B01J29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种原位晶化催化裂化催化剂的制备方法，具体为通过调整原位晶化工艺，即将焙烧后的土球与晶化所用的氢氧化钠溶液首先进行混合处理，然后直接加入导向剂进行晶化，而不需加入任何外加硅源，直接获得高结晶度，大孔体积、低堆比的原位晶化产物的方法，该方法避免了常规的向高岭土微球中加入特殊功能组份，改善孔结构，提高结晶度的方法。而且该方法使原位晶化产物的生产成本降低，具体表现在原料成本低，无需加入外加硅源；合成过程中液固比降低，单釜收率增加。将原位晶化产物经稀土改性后，可提高重油转化率，并提高目的产物的收率。
一种原位催化裂化催化剂制备方法

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