“窄禁带黑”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1972127个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜及其制备方法-CN201811274688.7有效
发明人：周灵平;陈庆伶;杨武霖;朱家俊;符立才;李德意 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜及其制备方法，所述黑氧化锆纳米管薄膜的光学禁带宽度为1.0‑3.0eV。（1）以惰性电极为阴极，以抛光后的锆片为阳极，在含氟的电解液中进行阳极氧化，制得氧化锆纳米管薄膜；（2）将所述氧化锆纳米管薄膜清洗后，干燥，再在保护或真空气氛、500‑800℃的条件下进行热处理，得到窄禁带黑氧化锆纳米管薄膜本发明首次获得了一类禁带宽度很窄的外观为黑色的氧化锆纳米管薄膜，其可以在较低温度通过较为简便的方法制备，成本较低，适合大规模生产。
一种窄禁带黑氧化锆纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202110588011.6在审
发明人：赵晓龙;丁梦璠;龙世兵;徐光伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明提供一种光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底、超宽禁带层、窄禁带层以及电极层，超宽禁带层用于响应深紫外波段的光谱，窄禁带层用于响应可见、红外至太赫兹波段光谱，电极沉积于超宽禁带层和/或窄禁带层
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种新型的异质结太阳能电池-CN201310310101.4有效
发明人：崔艳峰;袁声召 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的异质结太阳能电池，其中，超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上；浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上；超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层，该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层，每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上，最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上。
一种新型异质结太阳能电池

[实用新型]一种新型的异质结太阳能电池-CN201320438944.8有效
发明人：崔艳峰;袁声召 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的异质结太阳能电池，其中，超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上；浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上；超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层，该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层，每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上，最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上。
一种新型异质结太阳能电池

[发明专利]半导体结构-CN201010151192.8有效
发明人：王敬;许军;郭磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构，包括衬底，形成在衬底上的过渡层或绝缘层，依次形成在过渡层或绝缘层上的第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层、第二应变宽禁带半导体层，以及形成在第二应变宽禁带半导体层之上的栅堆叠，和形成在第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层和第二应变宽禁带半导体层之中的源极和漏极。该半导体结构不仅能抑制两种BTBT漏电的产生，另外还能在中间的应变窄禁带半导体层(例如应变Ge层或应变SiGe层)中产生空穴势阱，提高载流子的迁移率，改善器件性能。
半导体结构

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN202210137156.9在审
发明人：戴星强 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板及显示面板，该阵列基板包括衬底和设置于所述衬底上的有源层，所述有源层包括沟道部和设置于沟道部两侧的导电部，沟道部中窄禁带元素的质量占比小于导电部中窄禁带元素的质量占比；本申请通过将有源层中沟道部的窄禁带元素的占比减小，减少沟道部中氧化窄禁带的占比，以及提高沟道部中由宽禁带元素构成的氧化物占比，提高有源层的电子迁移率，进而保证薄膜晶体管的稳定性。
阵列显示面板

[发明专利]一种光电极的制备方法-CN200910092312.9无效
发明人：孙文涛;彭练矛;高显峰 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电极的制备方法，首先在导电基底上制备宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列，然后在减压条件下利用近空间升华法将窄禁带半导体纳米颗粒填充到宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列中，得到窄禁带半导体和宽禁带半导体异质结薄膜光电极窄禁带半导体纳米颗粒加强了宽禁带半导体纳米阵列膜对可见光的响应，该光电极对可见光的吸收明显增强，从而提高了光电转换效率。
一种电极制备方法

[发明专利]一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法-CN202010672178.6在审
发明人：潘东;刘磊;赵建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法，包括：将衬底(10)放置于制备设备中，在衬底表面生长半导体纳米线(11)，以半导体纳米线(11)为内核，在半导体纳米线(11)的侧壁上原位外延生长窄禁带半导体纳米线壳层(12)，在窄禁带半导体纳米线壳层(12)表面原位外延生长超导体层(13)。该方法制备的窄禁带半导体/超导体异质结纳米线具有高的晶体质量，异质结界面可达原子级平整。
一种窄禁带半导体超导体异质结纳米制备方法

[发明专利]一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器-CN202110242787.2有效
发明人：胡仕刚;高龙;贡凯伦;李炉焦 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其结构包括：集成电路板、窄禁带芯架板、电阻架块、单片机板、铜片引脚板，本发明实现了运用集成电路板与窄禁带芯架板相配合，通过在内置叠层的复合电路面板引导二极管通孔对接变频继电板与窄禁带引脚形成横通错位变频继电操作效果，保障变频继电器内斜架波纹管增幅防护度和窄禁带引脚的半导体化合物的窄禁带叠层继电操作效果，再通过灭弧刷轮杆提升磁随机存储器的电磁抗干扰强度和隔板静电粒子与灰尘颗粒，提升内部继电接触的中控输入输出精细化架构电路面板操作效果
一种基于 iii 族窄禁带半导体随机存储器

[发明专利]一种三元核壳型复合光催化剂及其制备方法-CN201110081513.6有效
发明人：王桂赟;王延吉;张广林;赵新强 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： B01J23/888 文献下载
摘要：该催化剂由外覆宽禁带半导体氧化物，内包n型和p型窄禁带半导体氧化物的异质复合体组成，其配比为：质量比外覆的宽禁带氧化物∶内包的窄禁带n型和p型半导体氧化物二元组合体之和＝0.01-0.9∶1，摩尔比n型窄禁带半导体氧化物∶p型窄禁带半导体氧化物＝0.2-5.0∶1。
一种三元核壳型复合光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种锰掺杂MgTiO3-CN202211358430.1在审
发明人：刘超前;李金阁;王楠 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C01G45/00 文献下载
摘要：本发明公开了涉及氧化物材料制备技术领域，尤其涉及一种锰掺杂MgTiO3窄禁带材料及其应用。第一个目的在于提供一种锰掺杂MgTiO3窄禁带材料，该锰掺杂MgTiO3窄禁带材料的化学通式为(Mg3，其中x为Mn4+掺杂的摩尔比，0.1≤x≤0.6；该锰掺杂MgTiO3窄禁带材料的带隙宽度从该材料带隙会随掺杂的Mn元素含量变化而变化，使材料体系相对纯MgTiO3的带隙具有显著降低的优点。第二个目的在于提供一种锰掺杂MgTiO3窄禁带材料的应用，所制备材料在太阳能利用领域具有更为广阔的应用。
一种掺杂 mgtio base sub

[发明专利]一种含有双谱段布拉格反射器的窄禁带多结太阳电池-CN201610802857.4有效
发明人：陆宏波;朱凯;李欣益;张玮;杨丞;张华辉;陈杰;张梦炎;张建琴;郑奕 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有双谱段布拉格反射器的窄禁带多结太阳电池，其为基于InP衬底生长的晶格匹配窄禁带多结太阳电池，在该太阳电池结构的双谱段分别设置有布拉格反射器，该布拉格反射器由与InP衬底晶格匹配的窄禁带材料组成本发明提供的太阳电池，通过在电池结构中引入双谱段布拉格反射器来增加窄禁带电池对未被吸收的光子的反射，实现光子再利用，增加电池光生电流，而且，布拉格反射器位于电池底部，处于外延生长的初始阶段，有效地抑制了来自衬底的缺陷，提高外延层晶格质量；从而提升太阳电池的整体性能，克服了窄禁带材料吸收系数小的缺点，显著提高了窄禁带子电池的晶格质量和光生电流，为下一代多结高效太阳电池的研制奠定了坚实的基础。
一种含有双谱段布拉格反射窄禁带多结太阳电池

[发明专利]一种变禁带宽度的超结VDMOS器件-CN201710726176.9有效
发明人：李泽宏;罗蕾;谢驰;李佳驹;张金平;任敏;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种变禁带宽度的超结VDMOS器件，包括金属化漏电极、第一导电类型半导体掺杂衬底、第一导电类型掺杂区、第二导电类型半导体掺杂柱区、多晶硅栅电极、栅介质层、金属化源电极；本发明在常规超结VDMOS器件的第二导电类型掺杂柱区侧面引入采用窄禁带半导体材料的窄禁带第一导电类型掺杂区，并在第一导电类型掺杂区和窄禁带第一导电类型掺杂区的正上方引入采用宽禁带半导体材料的宽禁带第一导电类型掺杂区，通过上述措施
一种变禁带宽度 vdmos 器件

[发明专利]一种光电阴极及其制备方法-CN201711272587.1在审
发明人：郝广辉;邵文生;张珂;于志强;高玉娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1‑xN发射层和形成在p型AlxGa1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度本发明的光电阴极在p型AlxGa1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1‑xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数
一种光电阴极及其制备方法

[发明专利]一种窄禁带铋层状共生结构铁电材料及其制备方法-CN201811542101.6在审
发明人：张发强;刘志甫;李永祥 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种窄禁带铋层状共生结构铁电材料及其制备方法，所述窄禁带铋层状共生结构铁电材料的分子式为Bi₄Ti₃O₁₂‑Bi₅Ti₃FeO₁₅；所述窄禁带铋层状共生结构铁电材料具有长程有序的BiT‑BTF超周期结构，所述超周期结构中Bi₄Ti
电材料结构铁铋层状禁带共生周期结构单层制备长程有序交替排列

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条