专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]材料-CN201980008713.3在审
  • F·迈耶;G·拉比格;K·克珀 - 默克专利股份有限公司
  • 2019-01-21 - 2020-08-28 - C09K19/04
  • 本发明涉及一类新型聚合物,其可用作介材料以制备电子器件中的钝化层。该聚合物由具有介晶基团的可聚合化合物制备,并且它们提供优异的成膜能力和优异的机械性能,并且具有低介电常数和低热膨胀系数(CTE)。还提供了一种形成所述聚合物的方法和含有所述聚合物作为介材料的电子器件。此外,本发明涉及一种用于制备封装的微电子结构的制造方法,以及涉及一种包括通过所述制造方法形成的所述封装的微电子结构的微电子器件。
  • 材料
  • [发明专利]触点材料-CN201410043335.1有效
  • 畠山隆志;上西昇;铃木恭彦;胡间纪人 - 联合材料公司
  • 2010-03-03 - 2014-05-14 - H01H1/023
  • 本发明提供一种能够降低电流断路器等过负荷试验或短路试验的遮断试验后的消耗率的触点材料,以及一种能够防止电流断路器等短路试验的遮断试验后的熔敷的触点材料。根据本发明一个方面的触点材料(31)含有大于或等于4质量%而小于或等于7质量%的石墨,剩余部分由银和不可避免的杂质形成,其挠度大于或等于0.5mm,维氏硬度大于或等于55,并且氧含量小于或等于100ppm该触点材料(31)优选还含有碳化钨。优选的是,碳化钨的平均粒径大于或等于40nm而小于或等于3μm,碳化钨的含量大于或等于2质量%而小于或等于4质量%。根据本发明另一方面的触点材料(31)含有大于或等于0.5质量%而小于或等于2质量%的石墨,剩余部分由银和不可避免的杂质形成,其挠度大于或等于0.8mm,维氏硬度大于或等于40,并且氧含量小于或等于100ppm
  • 触点材料
  • [发明专利]活性材料-CN201680008101.0有效
  • V·V·戴夫;J·D·艾伦;K·D·多布斯;高卫英;M·H·小霍华德;M·R·莫斯利;W·吴 - 株式会社LG化学
  • 2016-01-20 - 2022-01-18 - C07C13/66
  • Z是CR4R5、C=CR4R5、SiR4R5、GeR4R5、NR4a、PR4a、P(O)R4a、O、S、SO、SO2、Se;SeO、SeO2、Te、TeO、或TeO2;R1‑R3在每次出现时是相同或不同的并且是D、芳基、杂芳基、烷基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代烷基、氘代氨基、氘代甲硅烷基或氘代甲锗烷基,其中选自R1、R2和R3中的两个基团可以连接在一起以形成稠环;R4‑R5在每次出现时是相同或不同的并且是H、D、芳基、杂芳基、烷基、氨基、甲硅烷基、甲锗烷基、氘代芳基、氘代杂芳基、氘代烷基、氘代氨基、氘代甲硅烷基或氘代甲锗烷基;R4a是烷基、甲硅烷基、甲锗烷基、芳基、或其氘代类似物;a是从0‑4的整数;b和c是相同或不同的并且为从0‑3的整数。
  • 活性材料
  • [发明专利]触点材料-CN201080013341.2有效
  • 畠山隆志;上西昇;铃木恭彦;胡间纪人 - 联合材料公司
  • 2010-03-03 - 2012-02-22 - H01H1/023
  • 本发明提供一种能够降低电流断路器等过负荷试验或短路试验的遮断试验后的消耗率的触点材料,以及一种能够防止电流断路器等短路试验的遮断试验后的熔敷的触点材料。根据本发明一个方面的触点材料(31)含有大于或等于4质量%而小于或等于7质量%的石墨,剩余部分由银和不可避免的杂质形成,其挠度大于或等于0.5mm,维氏硬度大于或等于55,并且氧含量小于或等于100ppm该触点材料(31)优选还含有碳化钨。优选的是,碳化钨的平均粒径大于或等于40nm而小于或等于3μm,碳化钨的含量大于或等于2质量%而小于或等于4质量%。根据本发明另一方面的触点材料(31)含有大于或等于0.5质量%而小于或等于2质量%的石墨,剩余部分由银和不可避免的杂质形成,其挠度大于或等于0.8mm,维氏硬度大于或等于40,并且氧含量小于或等于100ppm
  • 触点材料
  • [发明专利]接点材料-CN201180036903.X无效
  • 大迫宽岳;汲田英生;山口祐司 - 株式会社德力本店
  • 2011-07-27 - 2013-05-15 - H01H1/04
  • 本发明存在的问题是,银-氧化物类的接点材料由于反复进行开闭,氧化物在接点表层堆积,由于该原因提高接点表面的接触电阻,引起温度升高。为了解决该问题,本发明的特征在于,在银-氧化物类的接点材料的接点面上,将1~99mass%Ag-W、1~99mass%Ag-WC、W和WC的一种以上作为一层以上的镀层形成。
  • 接点材料
  • [发明专利]活性材料-CN201180010515.4无效
  • S.索拉斯基;F.皮劳西;G.博科扎 - 法国圣戈班玻璃厂
  • 2011-02-22 - 2012-11-28 - C09K9/02
  • 本发明涉及用于具有可变的光学/能量性质的可电控装置的活性材料,所述材料呈自支撑层形式,并且包含基质或者由基质组成,该基质能够保证该材料的机械强度,在其中嵌入由以下形成的活性体系:至少一种活性有机化合物(ea1+)和至少一种活性有机化合物(ea2)和在电流作用下能够允许所述有机化合物的氧化/还原反应的离子电荷。
  • 活性材料

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