[发明专利]非易失存储装置及退化检测方法无效
| 申请号： | 98120106.7 | 申请日： | 1998-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1216388A | 公开（公告）日： | 1999-05-12 |
| 发明（设计）人： | 武田正树 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/04 | 分类号： | G11C11/04;G11C29/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一非易失半导体存储装置包括一存储单元阵列及一检测存储单元阵列,每个检测存储单元与包括多个存储单元的单元存储块相连并与存储单元性能相同,在每次将数据写入相应的单元存储块时,将一预定值写入检测存储单元通过将存储在检测存储器件中的值与预定值进行比较,可检测存储单元的退化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储 装置 退化 检测 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失存储装置，包含：电可写的第一非易失存储器件；其特征在于还包含：电可写且与第一非易失存储器件性能基本相同的第二非易失存储器件；存储控制器，用于控制第二非易失存储器件的写/读操作，从而每次在第一非易失存储器件中进行写操作时将一预定值写入第二非易失存储器件；及一比较器，用于将存储在第二非易失存储器件中的值与预定值进行比较。
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- 非易失存储装置及退化检测方法-98120106.7
- 武田正树 - 日本电气株式会社
- 1998-09-29 - 1999-05-12 -
- 一非易失半导体存储装置包括一存储单元阵列及一检测存储单元阵列,每个检测存储单元与包括多个存储单元的单元存储块相连并与存储单元性能相同,在每次将数据写入相应的单元存储块时,将一预定值写入检测存储单元通过将存储在检测存储器件中的值与预定值进行比较,可检测存储单元的退化状态。
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