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[实用新型]一种平板式半导体器件稳态热阻测试装置-CN202220282793.0有效
发明人：李杲宇;张西刚 -专利权人：深圳市深鸿盛电子有限公司
申请日： 2022-02-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种平板式半导体器件稳态热阻测试装置，包括气缸、冷源端、第一标准热阻、第二标准热阻、热源端、安装架、被测器件、缓冲柱、缓冲弹簧、弹性压片和压力检测模块，所述气缸安装在安装架的顶端且其输出端驱动连接所述冷源端，所述冷源端的底部固定有第一标准热阻，所述安装架的底部位于所述冷源端的下方固定有热源端，所述热源端的顶部固定有第二标准热阻，所述第二标准热阻的顶部放置有被测器件，第二标准热阻的顶部靠近两侧处固定有压力检测模块，第一标准热阻的底部靠近两侧处设有与其内部滑动连接的缓冲柱，缓冲柱上套接有缓冲弹簧，所述缓冲柱的底部固定有弹性压片。
一种平板半导体器件稳态测试装置

[发明专利]一种IGBT模块的稳态温度计算方法-CN201410853960.2有效
发明人：李泓志;赵岩;贺之渊;季兰兰;高凯;韩子娇;李铁 -专利权人：国家电网公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;中电普瑞电力工程有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT模块的稳态温度计算方法，所述IGBT模块的稳态温度计算方法包括以下步骤：计算IGBT模块损耗；输入IGBT模块热特性参数；建立IGBT模块散热系统热路模型，所述热路模型包括IGBT通过本发明提出的IGBT模块的计算方法，避免了现有技术通过端口传热特性数学逼近方法产生的等效热路模型，在保证稳态计算精度的同时避免非物理热阻和热容产生的失真和误差；避免了场域计算模型计算工作量巨大耗时严重的弊端
一种 igbt 模块稳态温度计算方法

[发明专利]基于稳态热路模型的架空导线允许电流的确定方法与装置-CN201210058690.7有效
发明人：张鸣;刘刚;阮班义 -专利权人：广东电网公司佛山供电局;华南理工大学
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于稳态热路模型的架空导线允许电流的确定方法与装置，首先向架空导线加载电流，待导线温度稳定后，测量此时的导线温度及导线所处环境的环境温度，根据这两个温度，采用特定的公式，依次计算此时的交流电阻、环境热阻，以及当前外界环境下导线温度达到70度时的最大允许电流。其中，计算环境热阻和最大允许电流的公式是建立在稳态热路模型基础上的，只需测量导线温度及导线所处环境温度两个参数并经过简单的运算，即可得出最大允许电流，经验证，结果的误差在允许范围内。
基于稳态模型架空导线允许电流确定方法装置

[发明专利]电静液作动器直流无刷电机元件动态热网络模型-CN201610749283.9在审
发明人：郭曼仪;王少萍;张超 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种电静液作动器直流无刷电机元件动态热网络模型，所述热网络模型将直流无刷电机中各元件抽象为一层构成的圆壁缸体，所述圆壁缸体处于一个变物性含内热源的二维非稳态温度场；所述热网络模型将圆壁缸体沿着轴向和径向进行节点分割，节点之间有可变实时热阻，能够用于分析圆壁缸体所表征元件的实时热过程。所述模型基于非稳态温度场进行描述，以可变实时热阻为基本单位对直流无刷电机中某个元件进行热传导分析，重点关注节点温度的实时变化，并且所述模型不需要进行热补偿。综上所述模型能够适用于集成度高、生热更多、散热更差的电静液作动器热环。
电静液作动器直流电机元件动态网络模型

[实用新型]一种平板式半导体器件稳态热阻测试装置-CN202121895340.7有效
发明人：杨锋 -专利权人：王勇
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平板式半导体器件稳态热阻测试装置，涉及半导体器件热阻测试技术领域，包括检测箱，所述检测箱的两侧均开设有滑槽，所述滑槽的内部滑动连接有滑块，所述滑块的一端固定连接有冷却顶板，所述冷却顶板的顶端固定连接有弹簧本实用新型，通过检测箱、弹簧、被测器件、第二标准热阻、发热底板、滑槽和滑块之间的配合设置，方便进行平板式半导体器件的夹紧安装，以便进行热阻测试，保证半导体器件测试过程中紧密贴合，增加稳定性，解决了现有的半导体器件热阻测试装置，夹紧安装较为困难复杂，导致半导体器件测试时无法保证紧密贴合效果，使热阻测试过程中稳定性较差的问题。
一种平板半导体器件稳态测试装置

[发明专利]一种检测IGBT功率器件可靠性的系统和方法-CN201410038972.X在审
发明人：成星;胡爱斌;高振鹏;佘超群 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：该方法包括：测量IGBT功率器件在不同栅压下漏压值和漏电流值，计算得到IGBT功率器件的直流稳态功率；通过显微红外热像设备检测IGBT功率器件的峰值结温，得到IGBT功率器件的峰值结温值和显微红外热像图；通过数学拟合方法分别得到峰值结温与直流稳态功率的关系和峰值热阻与直流稳态功率的关系；对显微红外热像图进行分析，得到IGBT功率器件的可靠性的检测结果。本发明通过对比不同结构和材料器件的显微红外热像图，对器件的材料、结构和工艺进行有效评估，进而实现了IGBT功率内匹配器件的初步评价。
一种检测 igbt 功率器件可靠性系统方法

[发明专利]一种检测IGBT功率器件可靠性的系统和方法-CN201410194176.5有效
发明人：成星;胡爱斌;高振鹏;佘超群 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：该方法包括：测量IGBT功率器件在不同栅压下漏压值和漏电流值，计算得到IGBT功率器件的直流稳态功率；通过显微红外热像设备检测IGBT功率器件的峰值结温，得到IGBT功率器件的峰值结温值和显微红外热像图；通过数学拟合方法分别得到峰值结温与直流稳态功率的关系和峰值热阻与直流稳态功率的关系；对显微红外热像图进行分析，得到IGBT功率器件的可靠性的检测结果。本发明通过对比不同结构和材料器件的显微红外热像图，对器件的材料、结构和工艺进行有效评估，进而实现了IGBT功率内匹配器件的初步评价。
一种检测 igbt 功率器件可靠性系统方法

[发明专利]一种基于分割法的10kV三芯电缆稳态热路模型的构建方法-CN201610667909.1在审
发明人：王鹏宇;刘刚;王鹏;王振华 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分割法的10kV三芯电缆稳态热路模型的构建方法，包括根据三芯电缆径向截面温度分布的对称性，将三芯电缆径向截面对称分割为1/3径向截面三芯电缆，分割的每一部分包含一根线芯；根据传热学原理，建立简化后的10kV三芯电缆稳态热路模型；对分割后的1/3三芯电缆，计算各层材料的热阻；比拟电路中的节点电压法，建立每个节点的温度方程，推导出10kV三芯电缆稳态条件下由电缆表皮温度求解导体温度的计算公式本发明利用分割法将三芯电缆径向截面对称分割为三部分，建立分割后的1/3三芯电缆的稳态热路模型，能够指导实际应用的电缆稳态热路计算模型，可以实现由实时电缆表皮温度计算推算实时导体温度。
一种基于分割 10 kv 电缆稳态模型构建方法

[发明专利]一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置-CN201910974943.7有效
发明人：冯士维;白昆;石帮兵;肖宇轩;潘世杰 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置属于功率MOS器件热设计和测试领域。本发明设计了被测SiC MOS器件栅‑漏短接快速切换开关以及栅压供给装置。可用于得到温敏参数曲线，随后施加一定的工作电流并使器件输出功率达到稳态；由加热状态快速切换为测试状态并采集源‑漏寄生二极管的导通压降，得到器件的结温曲线；由结构函数法处理分析得到SiC MOS器件的热阻构成本发明旨在研究SiC MOS器件纵向热阻分析技术，为SiC MOS器件的热阻特性研究和失效分析提供条件。
一种用于压下 sic mos 测量短路供给装置

[发明专利]一种应用于电主轴稳态温度场的热网络建模方法-CN201210337062.2有效
发明人：洪军;王梦茜;吴文武;郭俊康;刘光辉 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于电主轴稳态温度场的热网络建模方法，包括以下步骤：（1）建立电主轴轴对称二维模型，（2）建立轴系的等效热网络；（3）计算轴承和电机的整体发热量，并将热量分配给发热节点；（4）根据不同散热条件下的传热学经验公式，计算边界节点与流体进行换热的对流换热系数；（5）将各节点之间的传热等效为理想几何体传热，求出各部分传导热阻和边界对流热阻，建立传热物理模型；（6）建立数学模型，选定求解算法。本发明将热网络法应用于具有轴承和电机两大热源以及复杂对流换热边界的高速主轴系统，降低了求解主轴复杂装配体各零件特征温度的难度，与求解传热微分方程相比，是一种快速准确的稳态温度场计算方法。
一种应用于主轴稳态温度场网络建模方法

[发明专利]基于大电流饱和压降的IGBT结壳热阻测量方法-CN202111313178.8有效
发明人：肖标;涂春鸣;郭祺;肖凡;龙柳;姜飞;兰征 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：基于大电流饱和压降的IGBT结壳热阻测量方法，包括以下步骤：(1)利用电热参数测试系统测量f(ICE)；f(ICE)表示为IGBT模块导通时漂移区和导电沟道的等效欧姆电阻；ICE为测试IGBT模块的输入电流；(2)基于测量的f(ICE)，利用稳态结壳热阻测量系统测量测试IGBT模块的稳态结壳热阻值。本发明不需要测量IGBT模块的结温，一方面能够保护IGBT模块的完整性，另一方面也能简化测量电路并减小结温测量所带来的误差；在测量IGBT模块稳态结壳热阻时，不需要将IGBT模块从装置中拆卸下来，对IGBT
基于电流饱和 igbt 结壳热阻测量方法

[发明专利]一种新型提取LED系统热容和热时间常数的方法-CN201310180105.5有效
发明人：陶雪慧;张冬利 -专利权人：苏州大学
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型提取LED系统热容和热时间常数的方法和理论，包括以下步骤：1）测量LED结温温度曲线；2）读取该曲线中温度上升到最高稳态温度的63.2%所对应的时间，记为LED器件的热时间常数τjc；3）读取曲线中最大结温和初始结温，两者相减之后再除以LED输入的热功率，得到LED器件的热阻Rjc；4）用提取的热时间常数除以提取的热阻，得到LED器件的热容Cjc。该方法可一次性提取整个器件的热阻、热容和热时间常数，简化了LED器件热阻和热容的提取过程，也创新性的提出了LED器件热时间常数的提取过程。
一种新型提取 led 系统热容时间常数方法

[发明专利]一种电池包的热阻计算方法、系统、存储介质及设备-CN202310159107.X在审
发明人：李伟;黄晖;段龙杨;李小华;邱施荣;宗宽;王友华 -专利权人：江铃汽车股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明提供一种电池包的热阻计算方法、系统存储介质及设备，所述方法包括：获取电池包各部件的相关参数，并搭建电池包的模型；根据电池包的模型设定电池包各部件的热量输入端与热量输出端；获取电池包的预设发热总功率，并对电池包的模型进行三维热稳态仿真运算；然后获取预算时电池包各部件的热量输入端和热量输出端的温度参数以及电池包的散热总功率；根据温度参数通过预设规则得到热量输入端和热量输出端的平均温度；将热量输出端的平均温度与热量出入端的平均温度的差值除以散热总功率，得到电池包各部件的热阻；所有热阻求和得到电池包的总热阻。本发明解决了现有技术中传统热阻计算方法会导致较大的偏差，易造成热阻控制失误的问题。
一种电池计算方法系统存储介质设备

[发明专利]一种获得IGBT器件热阻的系统和方法-CN201210525856.1有效
发明人：董少华;朱阳军;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种获得IGBT器件热阻的系统和方法，属于大功率器件的技术领域。本系统包括建模模块、网格划分模块、施加条件模块、温度分布模块和计算热阻模块；建模模块根据IGBT器件的组件的特性参数建立三维模型；网格划分模块将三维模型进行划分网格；施加条件模块对IGBT器件施加载荷和边界条件；温度分布模块对IGBT器件的三维模型进行温度求解，得到IGBT器件的芯片上表面温度和导热硅脂下表面的温度；计算热阻模块得到IGBT器件的稳态热阻。本发明可以对影响热分布的诸多因素进行计算机模拟,计算结果通过图形化显示直观的温度场分布。
一种获得 igbt 器件系统方法

[发明专利]一种多层导热材料热阻测量方法-CN201310001086.5无效
发明人：郭春生;万宁;冯士维;张燕峰;石磊;史冬 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-01-02 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G01N25/00 文献下载
摘要：一种多层导热材料热阻测量方法涉及测试领域，能够测量多层导热材料中每一层材料的热阻。测试系统中半导体器件起热源作用及测试作用；将半导体器件固定在多层导热材料上表面，多层导热材料下表面固定在恒温平台上；在任一时刻对半导体器件施加一段时间的工作电流，达到稳态后撤除工作电流，并在测试电流下测量出半导体器件结温随时间的变化曲线；由于多层导热材料中各层材料的热阻、热容以及热量传输速率的不同，测量得到的半导体器件结温随时间的变化曲线反映了各层导热材料的热阻和热容；通过结构函数法，计算出多层导热材料中各层材料的热阻构成；该方法为非破坏性测试
一种多层导热材料测量方法