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[发明专利]离子束分布-CN201180048804.3有效
发明人：龟山育也 -专利权人：威科仪器有限公司
申请日： 2011-10-04 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：一种离子束系统（100），包括具有基本上椭圆形的孔图案的栅格组件（300），用于使包括多个子束的离子束（108）转向以便产生离子束（108），其中所述离子束（108）的横截面的离子流密度剖面（700、900所述离子流密度剖面（700、900、1100、1200）可以具有关于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的一个对称的单峰。可替换地，所述单峰可以关于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的另一个非对称。在另一种实施例中，所述离子流密度剖面可以具有位于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的一个的相对侧的两个峰。将离子束（108）引导于转动的目标工件（104）上在与所述目标工件（104）的中心等距的每个点上产生基本上均匀的旋转综合平均离子流密度。
离子束分布

[发明专利]一种基于离子注入的沟道离子分布确定方法及装置-CN202211703931.9有效
发明人：倪海洋;贡顶;汤焱博 -专利权人：苏州培风图南半导体有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本申请涉及离子注入技术领域，具体而言，涉及一种基于离子注入的沟道离子分布确定方法及装置，一定程度上可以解决现有技术存在的计算得到的沟道离子分布情况与实际的沟道离子分布情况相差甚远的问题。所述基于离子注入的沟道离子分布确定方法，包括：按照预设参数，将离子分多次注入靶材料；获取每次通过预设参数注入离子后的背散射质子能谱，背散射质子能谱用于表征靶材料中晶格损伤分布；基于晶格损伤分布以及晶格损伤分布与沟道离子数量之间的关系，确定每次注入离子后，发生沟道效应的沟道离子数量，沟道离子数量用于反映离子在靶材料中的分布情况。
一种基于离子注入沟道分布确定方法装置

[发明专利]离子注入模拟方法-CN200610026759.2有效
发明人：李家豪;李素萍;刘巍;赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入模拟方法，包括：首先，得到不同离子注入剖面的实测注入离子分布曲线；然后，利用TCAD工具，设定模拟函数，拟合所述注入离子分布曲线，得到注入离子分布模拟基础曲线，并获得模拟基础数据；从模拟基础数据中提取模拟参数，通过模拟运算，获得模拟参数数据系列，形成离子注入参数矩阵；利用离子注入参数矩阵，模拟不同离子注入过程，获得注入离子分布系列曲线；最后，通过所述注入离子分布系列曲线得出离子注入参数的变化对注入离子在材料内分布的影响规律应用本发明方法可提供离子注入工艺控制窗口，优化离子注入工艺设计；同时，减少了模拟运行的时间，提高了工艺设计及生产运行的效率，降低了研发成本。
离子注入模拟方法

[发明专利]离子植入系统中用于经改良的均匀度调整的技术-CN200980115538.4有效
发明人：摩根·D·艾文斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供在离子植入系统中调整均匀度的方法。前述方法可通过一调整离子束均匀度的方法来实现。前述方法包括：于一离子植入系统中产生一离子束；沿着一离子束路径量测一第一离子束电流密度分布；沿着离子束路径量测一第二离子束电流密度分布；以及沿着离子束路径至少部分地依据第一离子束电流密度分布以及第二离子束电流密度分布来决定一第三离子束电流密度分布
离子植入系统用于改良均匀调整技术

[发明专利]一种基于进气分布控制的等离子体密度分布调控方法-CN202110376609.9在审
发明人：李志炜;范斌;雷柏平;邵俊铭;罗倩;刘盾;高国涵;辛强;刘海涛;毛羽丰 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基于进气分布控制的等离子体密度分布调控方法，利用对等离子体放电密度分布的实时监测反馈，对进气气流分布进行即时调控，从而调控等离子体密度分布乃至等离子体放电状态。该发明可以实时、精确调控等离子体放电状态，获得需要的等离子体密度分布，或者基于闭环控制维持稳定的等离子体放电状态。调控原理简单，易于实现，适用于半导体行业等离子体均匀去除或者光学加工领域的等离子体稳定去除工艺。
一种基于分布控制等离子体密度调控方法

[发明专利]一种集成化离子电推进仿真模型及方法-CN202011063438.6有效
发明人：耿海;陈娟娟;王润福;杨三祥;刘超;孙新锋;贾艳辉;杨福全 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开的集成化离子电推进仿真模型及方法，通过空心阴极，模拟热电子发射过程和自维持放电过程，得到电子速度分布和密度分布的仿真数值，输出到放电室；放电室，模拟气体放电过程，得到等离子体密度分布和速度分布及空间电势分布的仿真数值，输出到离子光学系统；离子光学系统，模拟束流离子加速、聚焦、引出过程和交换电荷离子对栅极表面的轰击溅射过程，得到束流离子密度分布、速度分布、溅射速率、溅射沉积量的仿真数值，输出到羽流区；羽流区，模拟束流离子和电子的中和过程，得到准中性等离子体密度分布和速度分布、空间电势分布等仿真数值。能够快速预测离子电推进性能、寿命及可靠性等因素，优化结构设计，缩短研发周期和降低研发成本。
一种集成化离子推进仿真模型方法

[发明专利]一种时间-动能二次压缩的离子飞行时间质谱仪-CN202310788906.3在审
发明人：杨岩;杨帆;赵启旭;唐鹏;李雪莹;孙海涛;孙真荣 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J49/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种时间‑动能二次压缩的离子飞行时间质谱仪，包括：离子加速电极、离子水平偏转电极、离子竖直偏转电极、离子聚焦透镜、离子二次压缩电极、离子飞行时间探测器和离子飞行管道。离子水平偏转电极和离子竖直偏转电极用于矫正离子的飞行方向，离子聚焦透镜用于约束离子的径向分布，离子二次压缩电极用于调控离子的轴向焦点位置或动能分布。调整离子轴向焦点的位置可以实现离子的空间和时间聚焦，提高离子飞行时间质谱仪的质量分辨率并拓展与其它探测技术的结合。调整离子的动能分布可以消除掉离子初始能量分布和空间分布对质量分辨率的影响，消除离子飞行距离的限制，进一步提高离子飞行时间质谱的质量分辨率。
一种时间动能二次压缩离子飞行质谱仪

[实用新型]一种离子交换柱-CN201820469381.1有效
发明人：李会强;董玉明;张笛;裴丽丽;张红玲;徐红彬;张懿 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： B01J47/014 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子交换柱，所述离子交换柱包括柱体、上端盖和下端盖，所述柱体内设置至少三块分布板，分别包括上分布板、中间分布板和下分布板，所述中间分布板至少为一块。本实用新型通过改变传统离子交换柱的内部结构，在离子交换柱内设置分布板，合理调整分布板的数量和位置，使料液在交换柱内均匀分布，从而提高离子交换树脂的吸附量，并提高离子交换柱处理效率；同时减少离子交换树脂的使用量
离子交换柱分布板离子交换树脂本实用新型中间分布板节约生产成本处理效率上分布板下分布板交换柱上端盖吸附量下端盖料液柱体体内

[发明专利]混凝土细观氯离子扩散系数预测方法-CN201910697227.9在审
发明人：龙武剑;冯甘霖;刘铁军;李龙元;叶涛华;郉锋 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G01N33/38 文献下载
摘要：本发明揭示了一种混凝土细观氯离子扩散系数预测方法，包括获取混凝土中孔结构信息、孔隙率以及孔径分布；通过微观成像技术结合孔隙率以及孔径分布确定混凝土中骨料体积分布，构建所述混凝土的二维细观结构；在所述二维细观结构的基础上确定混凝土的孔隙表面离子浓度及分布；根据质量守恒定律、离子浓度、离子流量、离子表观扩散系数以及离子带电量等，构建多离子传输模型；根据定律所述多离子传输模型计算混凝土中氯离子传输浓度分布；根据氯离子传输浓度分布计算混凝土中氯离子扩散系数。本发明在预测混凝土氯离子扩散系数时，考虑了混凝土微、细观结构以及表面离子对氯离子扩散的影响，较现有的电加速测试方法更准确、也更具科学性。
混凝土氯离子扩散系数离子细观结构孔径分布离子传输浓度分布孔隙率二维构建微观成像技术质量守恒定律表面离子加速测试孔隙表面离子流量模型计算体积分布中孔结构传输带电量中骨料预测扩散

[发明专利]一种检测装置、离子植入设备及离子束剖面的离子浓度分布的可视化方法-CN201910735926.8在审
发明人：唐瑞龙;廖宜专;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明提供一种检测装置、离子植入设备及离子束剖面的离子浓度分布的可视化方法，检测装置用于检测离子束剖面方向的离子浓度分布，包括：检测屏，所述检测屏能够接收所述离子束辐照的一侧涂布有磷光材料；和处理器，与所述检测屏电性连接，能够根据所述磷光材料因接收所述离子束辐照而产生的磷光响应，获得所述离子束剖面的离子浓度分布，利用磷光材料在电磁辐射和离子射线激发下能发出磷光的特性，根据磷光材料因接收离子束辐照而产生的磷光响应，获得离子束剖面的离子浓度分布，其结构简单，且能够获得直观的磷光响应图像以供分析或计算，为离子束剖面的离子浓度分布检测提供了便利。
浓度分布离子束离子磷光材料磷光离子束辐照检测屏离子植入设备可视化种检测响应电磁辐射电性连接检测装置离子射线剖面方向检测处理器直观图像便利激发分析

[发明专利]一种等离子空气消毒机喷射浓度调制方法-CN202210373437.4在审
发明人：孔德华;黄保家;金浩强 -专利权人：雷神等离子科技（杭州）有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子空气消毒机喷射浓度调制方法，通过设定离子能量转移函数f(t)作为输入函数，也是喷射调制函数，可以解决等离子喷射杀毒存在的远近浓度不均的问题，函数为一个先强后弱的指数式衰减函数，根据离子在空中的衰减速度设定，离子采用非均匀喷射形式，通过设定时序和空间的离子满足最大安全空间离子能量的安全标准，构建等离子喷射空间分布模型，计算出离子浓度沿路径分布曲线和等离子浓度时域分布于空间分布的对比图，能够得到时域浓度分布函数、理论的不计消耗浓度分布函数、实际的消耗后浓度分布，对于离子进行精准的调制，可以完全的解决浓度不均导致的安全问题
一种等离子空气消毒喷射浓度调制方法

[发明专利]等离子体分布监测装置及方法-CN202010831196.4在审
发明人：杨宏旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种等离子体分布监测装置及方法。等离子体分布监测装置包括：电压可调电源和多个等离子体探针，多个等离子体探针对称地分布在等离子刻蚀机反应室的外周；等离子体探针包括工作端和检测端；电压可调电源连接等离子体探针的检测端，用于给等离子体探针施加可变电压；等离子体探针的工作端伸入等离子刻蚀机的反应室中，用于探测反应室中的等离子体。本申请提供的等离子体分布监测装置及方法，通过多个等离子体探针在各个位置，对称地探测反应室中的等离子体，能够多方位判断等离子体在反应室中的分布情况，为判断等离子体分布均匀性的判断提供依据。
等离子体分布监测装置方法

[发明专利]离子注入装置及束电流密度分布的调整方法-CN201010528640.1有效
发明人：中尾和浩 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2010-11-01 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供离子注入装置及束电流密度分布的调整方法。在使m个(m为2以上的整数)带状离子束在玻璃基板上的照射区域至少部分重叠，在玻璃基板上实现规定的注入量分布的离子注入装置中，能高效地调整各带状离子束的束电流密度分布。对各带状离子束设定作为束电流密度分布的调整目标的目标分布，按照预先决定的顺序，调整第一个至第m-1个带状离子束的束电流密度分布，使得其相对于目标分布进入第一容许范围内。其后，根据将各带状离子束的调整结果合计得到的分布与将对m个离子束设定的目标分布合计得到的分布的差，设定用于调整第m个束电流密度分布的新的目标分布，调整第m个束电流密度分布，使得其相对于新的目标分布进入第二容许范围内
离子注入装置电流密度分布调整方法

[发明专利]离子注入方法-CN201110369489.6有效
发明人：田慧;龙春平;金馝奭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入方法，涉及离子注入技术领域。该方法包括步骤：设定第一检测间隔检测离子束的分布，获取离子束电流分布的不均匀度；调节引出电压，直至离子束电流分布的不均匀度与参考不均匀度之间的差值在预设的误差范围内；以及在调整后的稳定引出电压下，对待注入基材进行离子注入本发明的方法通过调节离子注入设备的引出电压，适时地对离子束的分布进行监测和改善，改善了因不同时间段离子束分布发生波动和变化的问题，从而可提高在对大批量基材进行离子注入过程中离子束分布的稳定性。
离子注入方法

[发明专利]硅背面的离子注入方法-CN201210550558.8有效
发明人：童宇锋;肖胜安;刘尧;刘国淦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种进行硅背面的离子注入方法，适用于减薄后的硅片背面的离子注入工艺，先对硅片背面进行浅结的离子注入，注入深度可以根据最终需要的深度和注入机的能力而定，在离子注入完成后，利用激光设备，设置合理的机器参数，主要包括退火能量，扫描叠加范围等，对注入完的薄片进行激光高温处理，使最后的离子分布向里扩散推进。由于激光工艺具有良好的离子分布保型性，可以同时确保后续的离子分布曲线与离子注入刚完成时的分布曲线保持一致，从而在不影响离子分布曲线的状况下，满足离子分布的设计深度。
背面离子注入方法

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