“碳化硅基材”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果315563个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法-CN201380066987.0在审
发明人：北林弘之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在具有彼此相反的第一主表面(11a)和第二主表面(11b)的碳化硅衬底(11)中，在碳化硅衬底(11)固定至具有比碳化硅衬底(11)更高柔性的基材(90)的情况下，去除碳化硅衬底(11)的第二主表面(11b)一侧上的碳化硅，且在第二主表面(11b)上形成电极(14)。基材(90)具有小于或等于碳化硅衬底(11)的第一主表面(11a)面积的面积。在将碳化硅衬底(11)固定至基材(90)的步骤中，基材(90)位于基材(90)覆盖第一主表面(11a)的中心(11c)的位置，使得基材(90)不延伸超过第一主表面(11a)的外周(11h)。因此，可降低碳化硅衬底(11)和电极(14)之间的接触电阻，并可提供制造碳化硅半导体器件的方法，其以简单方式制造碳化硅半导体器件。
制造碳化硅半导体器件方法

[发明专利]碳化硅纳米纸传感器及其制作方法和应用-CN201310122742.7有效
发明人：李公义;马军;李义和;胡天娇;彭刚;李效东 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米纸传感器，该传感器为电阻型传感器，其包括基材、碳化硅纳米纸和两个导电电极，基材表面覆盖有碳化硅纳米纸，导电电极与碳化硅纳米纸紧密结合在基材表面，导电电极之间的间隙连续铺覆有碳化硅纳米纸；其制备方法包括：将碳化硅纳米线置于一基材上，利用有机溶剂辅助压缩法将碳化硅纳米线压缩为碳化硅纳米纸，再将基材置于真空环境中，利用真空溅射法通过掩膜在基材上沉积导电电极即得到传感器。
碳化硅纳米传感器及其制作方法应用

[发明专利]多孔质碳化硅基材的致密化方法-CN201080045161.2无效
发明人：青木　良隆 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-10-07 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：提供一种机械强度优异的致密化碳化硅体。其是通过多孔质碳化硅基材的致密化方法而得，该方法包括：使含碳化硅粉末的硬化性硅酮组成物含浸于多孔质碳化硅基材，进行硬化后，在非氧化性气体环境下进行加热分解。可以简便地使多孔质碳化硅基材致密化并改质。
多孔碳化硅基材致密方法

[发明专利]一种复合碳材料及其制备方法和应用-CN202210786090.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：湖南泰坦未来科技有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合碳材料及其制备方法和应用，复合碳材料可用于制作MOCVD设备的托盘，包括碳基材和设置在碳基材表面的复合涂层，复合涂层包括从内至外依次叠加的碳化硅复合层、碳化硅‑碳化钽复合层以及碳化钽层，制备方法包括：（1）在碳基材上原位制备碳化硅纳米线层，制备完成后再沉积碳化硅，形成碳化硅复合层；（2）在碳化硅复合层表面沉积碳化硅‑碳化钽复合层；（3）在碳化硅‑碳化钽复合层表面沉积形成碳化钽层。本发明提高了碳基材的使用稳定性，扩宽了应用范围和应用场景，解决了热失配问题，提高了涂层结合强度，提升使用寿命；且有效降低生产周期和生产成本，可有效实现大规模产业化生产。
一种复合材料及其制备方法应用

[发明专利]碳化硅粉体、其制备方法和应用及反应装置-CN202011614500.6在审
发明人：邓树军;张洁;付芬 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C01B32/963 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅粉体、其制备方法和应用及反应装置，涉及半导体材料技术领域。碳化硅粉体的制备方法以气态硅源和气态碳源为原料，在800‑2400℃的条件下反应生成碳化硅，并在具有发热功能的基材上进行沉积。发明人创造性地利用具有发热功能的基材进行碳化硅的沉积，其有效聚集了生成的碳化硅，有利于制备形成粒径更大的碳化硅粉体。本发明实施例中的制备方法能够显著提升碳化硅的生产效率，可以实现大规模工业化生产，制备得到的碳化硅粉体可以用于碳化硅晶体生长。
碳化硅制备方法应用反应装置

[发明专利]一种隔热吸波泡沫材料的制备方法-CN202210819752.5有效
发明人：叶信立;张海洋;马小民;张俊雄;余豪;徐剑青 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本申请公开了一种隔热吸波泡沫材料的制备方法，包括步骤：1)、基材制备：将轻质多孔三聚氰胺泡沫置于真空热解炉，在氮气保护下梯度升温的方式热解制备碳泡沫基材；2)、一次强化：碳泡沫基材的孔隙内壁沉积碳化硅涂层，得到碳/碳化硅泡沫；3)、二次强化：碳/碳化硅泡沫的孔隙内壁引入二氧化硅纳米涂层；4)、气凝胶制备：向二次强化后的碳泡沫基材内填充碳化硅气凝胶；5)、纳米线制备：采用对流化学气相沉积法在碳/碳化硅泡沫的孔隙内壁和碳化硅气凝胶之间的间隙制备碳化硅纳米线
一种隔热泡沫材料制备方法

[发明专利]石墨基材的碳化硅涂布方法-CN201811422419.0在审
发明人：金锡津 -专利权人：卡博尼克斯有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及石墨基材的碳化硅涂布方法。本发明涉及一种能够在石墨材料的基材上利用结构更加简单的装置以及安全性更加优秀的原料通过单纯的工程更加经济地形成碳化硅涂层的碳化硅涂布方法，尤其涉及一种在将用于形成涂层的石墨基材与固态硅投入到真空腔室中之后以1,200～2,000℃进行热处理的石墨基材的碳化硅涂布方法。
石墨基材碳化硅方法

[发明专利]碳化硅包覆碳基材的制造方法、碳化硅包覆碳基材、碳化硅碳复合烧结体、陶瓷包覆碳化硅碳复合烧结体以及碳化硅碳复合烧结体的制造方法-CN201080039227.7有效
发明人：中村正治;宫本钦生;东城哲朗 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP2碳结构构成的基部、和由具有悬空键的SP2碳结构构成的边缘部的碳基材的工序；和通过在温度1400～1600℃、压力1～150Pa的气氛中使碳基材的表面与SiO气体反应而形成碳化硅，制造由碳化硅所包覆的碳基材的工序。
碳化硅包覆碳基材制造方法复合烧结陶瓷以及

[发明专利]玻璃模造用碳化硅陶瓷模仁及其制备方法-CN201410314758.2无效
发明人：黄政仁;王凤艳;闫永杰;刘学健;陈忠明 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C03B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃模造用碳化硅陶瓷模仁及其制备方法，所述碳化硅陶瓷模仁包括基材、保护膜以及位于所述基材和保护膜之间的金属过渡层，其中，所述基材为碳化硅陶瓷，保护膜为碳化钨硬质合金，所述金属过渡层为钛、铬或钨
玻璃模造用碳化硅陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种碳化硅薄壁结构件的制备方法-CN201911156094.0在审
发明人：杨金 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C04B35/571 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅薄壁结构件的制备方法，包括以下步骤：S1、利用石墨基材制作模具；S2、采用化学气相沉积法在石墨基材表面生长碳化硅；S3、从工件的边缘处切割碳化硅包裹部分使内部的石墨基材重新裸露出来；S4、将工件中的石墨基材完全与氧气进行反应，获得固体碳化硅工件。本发明具有碳化硅薄壁结构件具有较高的纯度，有利于避免高温、污染、氧化、腐蚀等问题，有助于提高设备工艺能力和稳定性的优点。
一种碳化硅薄壁结构件制备方法

[发明专利]一种具有多层镀膜的模具-CN200510102017.9无效
发明人：陈杰良 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多层镀膜的模具，其包括一基材，以及在该基材上依次形成的一铬层或硅化铬层，一硅层，一碳化硅层，一碳化硅与碳的组合层及一含氢类金刚石碳层。本发明通过在基材上形成一铬层或硅化铬层以及一硅层，可增强后续镀层与基材的附着性；最外层选用含氢类金刚石碳材，可有效增强模具的脱膜性；另，碳化硅具有较强的硬度，中间采用一碳化硅层及一碳化硅与碳的组合层，可增强模具的耐磨性
一种具有多层镀膜模具

[实用新型]一种铝碳化硅复合材料制备的带型腔热沉-CN201721670316.7有效
发明人：张兴;陈锋 -专利权人：西安创正新材料有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铝碳化硅复合材料制备的带型腔热沉，包括铝碳化硅基材和高温热熔胶层，所述铝碳化硅基材的一端面开设有凹槽，所述高温热熔胶层位于所述铝碳化硅基材的凹槽内；所述铝碳化硅基材的内部包括呈锥形分布的石墨
铝碳化硅带型腔基材热沉发热元件铝碳化硅复合材料高温热熔胶层本实用新型热膨胀系数制备发热过程锥形分布石墨不分离散热变形

[发明专利]一种碳化硅基材的连接材料、制备方法和应用-CN202310065945.0有效
发明人：柴杰;叶明亮 -专利权人：成都超纯应用材料有限责任公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种碳化硅基材的连接材料、制备方法和应用，一种碳化硅基材的连接材料，按质量百分含量计，原料包括：40%‑50%的碳化硅、10%‑20%的聚碳硅烷、20%‑30%的氧化铝和10%‑20%的碳化硼。本发明以碳化硅为填料，聚碳硅烷为粘结剂，氧化铝和碳化硼为反应助剂；通过加热实现聚碳硅烷转化为碳化硅晶体，碳化硅晶粒与碳化硅母材在温度和反应助剂的共同作用下进行反应，连接材料与母材形成一个整体。
一种碳化硅基材连接材料制备方法应用

[发明专利]高纯度碳化硅陶瓷制造方法和陶瓷基材-CN201610076154.8有效
发明人：向绍斌;向其军;谭毅成 -专利权人：深圳市商德先进陶瓷有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C04B35/573 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度碳化硅陶瓷制备方法和陶瓷基材。本发明高纯度碳化硅陶瓷制备方法包括的步骤有：将碳和硅源化合物、载体气体和保护气体通入化学气相沉积反应室内进行碳化硅的沉积反应；其中，所述沉积反应过程中，反应室内压强为40～50kPa，温度为900～1100本发明高纯度碳化硅陶瓷制备方法制备的碳化硅纯度高达99.999％以上，而且致密度高，机械性能好，高耐等离子腐蚀性能，经济成本低。本发明陶瓷基材是由本发明高纯度碳化硅陶瓷的制备方法制备的高纯度碳化硅陶瓷形成。
纯度碳化硅陶瓷制造方法基材

[发明专利]经碳化硅被覆的碳材料的制造方法-CN201080045170.1有效
发明人：青木　良隆 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-10-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：提供一种经碳化硅被覆的碳材料的制造方法，其将通过对非熔融性固体状硅酮加热而得的非晶质无机陶瓷物质与碳基材在非氧化性气体环境下进行加热，从而在碳基材上形成碳化硅被膜。本发明可以获得耐热性优异、具有均匀的碳化硅被覆的经碳化硅被覆的碳材料。
碳化硅被覆材料制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条