专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种多功能床垫-CN201320409845.7有效
  • 刘晓光 - 刘晓光
  • 2013-07-10 - 2013-10-16 - A47C27/00
  • 本实用新型公开了一种多功能床垫,包括硬质框架,及设置在硬质框架中部的置板,并通过该置板将硬质框架分为上、下两腔,所述硬质框架顶面设置有软垫,所述硬质框架底面设置有垫,所述软垫和垫的外表面均设置有按摩磁石,所述软垫和垫内部均设置有放置槽,所述放置槽内设置有加热片,所述上腔内设置有连接加热片的蓄电池,所述下腔内设置有储格,所述垫包括固定垫和活动垫,通过所设的按摩磁石,可以舒缓使用者的身体,通过所设的加热片,可以在冬天的时候提供一定的热量,保证使用者的正常睡眠需求,通过活动垫和固定垫组合而成的垫,使得本装置内可以存储一定的物品,使用较为方便。
  • 一种多功能床垫
  • [实用新型]微创手术标本取样器-CN201620218549.2有效
  • 聂新法;焦亚桂;李洪瑞;张雪英;顾冠球;焦大勇 - 聂新法;焦亚桂
  • 2016-03-21 - 2017-04-05 - A61B10/04
  • 包括可缩放的下伞式网状盛器,下伞式网状盛器上倒扣有可缩放的上伞式带筋撑开器,上伞式带筋撑开器和下伞式网状盛器之间通过第一筋、第二筋和第三筋相连接,第一筋和第二筋之间形成与开口相连通的第一通口,第二筋和第三筋之间形成与开口相连通的第二通口,第一筋和第三筋之间形成与开口相连通的第三通口,第一通口的弧形长度分别大于第二通口和第三通口的弧形长度,上伞式带筋撑开器与手持撑开推进杆相连接,且当手持撑开推进杆相对于上伞式带筋撑开器推进时下伞式网状盛器撑开
  • 手术标本取样
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010288709.1在审
  • 吴庭玮;杨政达;周信宏 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-04-14 - 2021-10-22 - H01L27/11529
  • 本发明为半导体结构的形成方法,包含:形成目标层于基板上;将第一遮罩层以及第二遮罩层形成目标层上;图案化第二遮罩层以形成多个图案化第二遮罩,并且此些图案化第二遮罩包括第二宽遮罩及第二窄遮罩;形成多个间隙于第二宽遮罩及第二窄遮罩的侧壁;形成光阻层以覆盖第二宽遮罩的顶面,且光阻层覆盖位于第二宽遮罩的侧壁的一对间隙的侧表面,并执行刻蚀工艺来移除位于此些间隙之间的第二窄遮罩;以及移除光阻层,接着通过此些间隙与第二宽遮罩作为刻蚀遮罩来刻蚀第一遮罩层,以形成多个图案化第一遮罩于目标层上,其中此些间隙用以定义第一线宽,第二宽遮罩与形成在第二宽遮罩的侧壁的一对间隙共同用以定义第二线宽。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010765884.5在审
  • 潘增耀;尤建祥;陈宏生;王景擁;韦承宏 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-08-03 - 2022-02-18 - H01L27/11529
  • 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法,包含:形成主动层于基板上,基板具有相邻的字线预定区和选择栅极预定区;形成包含第三遮罩层的遮罩堆叠于主动层上;图案化第三遮罩层,形成第三遮罩,在字线预定区最靠近选择栅极预定区的两个紧临的第三遮罩之间具有第一间距,第一间距小于任何其他两个之间的第二间距;形成间隔于第三遮罩的侧壁上,在两个紧临的第三遮罩的相对的侧壁上的两个间隔合并成组合间隔;形成图案化遮罩结构于选择栅极预定区中;将间隔与图案化遮罩结构的图案转移到主动层将间隔的图案转移到主动层的步骤包含将组合间隔的图案转移到主动层,在最靠近选择栅极处形成第一字线。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN201711086263.9有效
  • 张海洋;纪世良 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2017-11-07 - 2021-04-02 - H01L21/027
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,在第一金属掩膜层上方形成具有第一开口的第二金属掩膜层,所述第二金属掩膜层的主要成分为金属氧化,能够改善光刻胶层的第一开口图案直接向第一金属掩膜层转移时的形貌偏差、开口坍塌以及开口中有大量聚合残留等问题,且以具有第一开口的第二金属掩膜层为掩膜来刻蚀下方相应叠层形成目标开口时,第二金属掩膜层既能够改善形成的目标开口的侧壁形貌,又易于去除以减小目标开口中的刻蚀残留的产生;进一步利用自组装工艺在第二金属掩膜层上方的图案化光刻层中形成二嵌段共聚层,利用嵌段共聚层中互不相溶的第一嵌段和第二嵌段来缩小光掩模图案的线宽。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN201711086262.4有效
  • 张海洋;纪世良 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2017-11-07 - 2021-02-12 - H01L21/3213
  • 本发明提供一种半导体器件的制造方法,在第一金属掩膜层的上方先旋涂一层主要由金属氧化形成的第二金属掩膜层,并在第二金属掩膜层上再覆盖一层盖掩膜层,通过盖掩膜层来形成多个第一开口,由此可以获得较大且形貌较好的工艺窗口,避免光刻图形直接向第二金属掩膜和/或第一金属掩膜层转移时产生的工艺窗口小、开口形貌欠佳、堆叠对准偏差、开口坍塌以及开口中有大量聚合残留等问题,且以具有第一开口的盖掩膜层为掩膜来刻蚀下方相应叠层形成目标开口时,第二金属掩膜层的耐刻蚀性能够改善形成的目标开口的侧壁形貌,而且在目标开口形成后第二金属掩膜层又易于去除,能够减小所述目标开口中的刻蚀残留的产生。
  • 半导体器件制造方法

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