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[发明专利]基于多源信息融合的颗粒捕集器碳载量估计方法-CN202310510895.2在审
发明人：胡云峰;林相学;孙耀;王博;宫洵;陈虹 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：一种基于多源信息融合的颗粒捕集器碳载量估计方法，属于车辆汽油机控制技术领域。本发明的目的是基于卡尔曼滤波理论分别建立压差法估计和再生模型法估计的局部估计器，分别计算每种方法的局部次优估计值和反映估计精度的协方差矩阵，由此计算全局最优估计碳载量的基于多源信息融合的颗粒捕集器碳载量估计方法。本发明基于联邦卡尔曼滤波的颗粒捕集器碳载量估计器的分布式框架结构，基于车速和排气流量融合尺度的自适应融合系数和信息分配系数的计算方法；将多源信息融合理论应用在碳载量估计研究领域的理念。本发明最大程度上利用了传感器信息，解决单一估计方法在使用中精度不足和工况受限的问题，提升了估计系统的准确度。
基于信息融合颗粒捕集器碳载量估计方法

[发明专利]硬罩幕组成物与形成图案的方法-CN201880073203.X有效
发明人：尹星莉;朴惟廷;林相学 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明揭示一种硬罩幕组成物及一种使用所述硬罩幕组成物形成图案的方法，所述硬罩幕组成物包含：聚合物，包含由化学式1表示的结构单元；以及溶剂。[化学式1]化学式1与说明书中定义的相同。
硬罩幕组成形成图案方法

[发明专利]聚硅氧氮烷氢氧化物薄膜清洗溶液及使用其的聚硅氧氮烷氢氧化物薄膜图案形成方法-CN201280055366.8有效
发明人：金奉焕;郭泽秀;裴镇希;尹熙灿;林相学;金相均;李真旭 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C11D7/50 文献下载
摘要：提供一种聚硅氧氮烷氢氧化物薄膜清洗溶液，相对于清洗溶液整体包括0.01wt％至7wt％之间的选自由醇类溶剂、酯类溶剂、硅烷醇类溶剂、烷氧基硅烷类溶剂、和烷基硅氮烷类溶剂以及它们的组合组成的组中的添加剂。
聚硅氧氮烷氢氧化物薄膜清洗溶液使用图案形成方法

[发明专利]改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法-CN201380049625.0有效
发明人：宋炫知;朴银秀;林相学;郭泽秀;金古恩;金美英;金补宣;金奉焕;罗隆熙;裵镇希;徐珍雨;尹熙灿;李汉松;田钟大;韩权愚;洪承希;黄丙奎 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明揭示改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法。改质氢化聚硅氧氮烷是藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。
氢化聚硅氧氮烷含有用于形成氧化为主绝缘组合制备方法制造

[发明专利]用于氧化硅类绝缘层的组成物及其制造方法、氧化硅类绝缘层及其制造方法-CN201380044747.0有效
发明人：尹熙灿;郭泽秀;金美英;林相学;韩权愚;金古恩;金奉焕;金相均;罗隆熙;朴银秀;裵镇希;宋炫知;李汉松;洪承希 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01B3/46 文献下载
摘要：本发明提供一种用于氧化硅类绝缘层的组成物及其制造方法，并揭示一种氧化硅类绝缘层及其制造方法。本发明提供的用于氧化硅类绝缘层的组成物，包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷，且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物，所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布，由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。
用于形成氧化绝缘组成制备方法制造

[发明专利]制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法-CN201310718120.0无效
发明人：裴镇希;李汉松;郭泽秀;金古恩;金补宣;金相均;罗隆熙;朴银秀;徐珍雨;宋炫知;林相学;任浣熙;洪承希;黄丙奎 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本发明披露了制备间隙填充剂的方法；通过所述方法制备的间隙填充剂；和使用所述间隙填充剂的半导体电容器。制备间隙填充剂的方法包括将卤代硅烷注入碱性溶剂并以约1g/hr至约15g/hr的速度加入基于100重量份卤代硅烷的约50重量份至约70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。
制备间隙填充方法使用制造半导体电容器

[发明专利]填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法-CN201210241251.X有效
发明人：朴银秀;金奉焕;林相学;郭泽秀;裵镇希;尹熙灿;金相均;李真旭 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C01B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。
填充间隙填料制备方法制造半导体电容器

[发明专利]用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法-CN201110425397.5有效
发明人： 林相学;金奉焕;吴正堈;郭泽秀;裵镇希;尹熙灿;韩东一;金相均;李真旭 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C08L83/14 文献下载
摘要：本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。<化学式1>、<化学式2>如下所示。
用于形成绝缘组合及其制造方法

[发明专利]形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法-CN201110430768.9有效
发明人：尹熙灿;郭泽秀;金奉焕;裵镇希;吴正堈;林相学;韩东一;金相均;李真旭 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。
形成硅氧层组合及其生产方法利用

[发明专利]用于形成蚀刻剂下层膜且具有改善的储存稳定性的硬掩模组合物-CN200880132341.7有效
发明人：高尚兰;金相均;林相学;金美英;尹熙灿;金到贤;鱼东善;金锺涉 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成蚀刻剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(A)有机硅烷聚合物以及(B)至少一种稳定剂。该硬掩模组合物在储存期间非常稳定，并且由于其优良的硬掩模特性，可以允许将良好的图案转移至材料层。
用于形成蚀刻下层具有改善储存稳定性模组

[发明专利]用于抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物及使用该组合物生产半导体集成电路器件的方法-CN200680055586.5有效
发明人：尹熙灿;金相均;林相学;金美英;高尚兰;鱼东善;金钟涉;金到贤 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2006-12-31 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。这种硬掩模组合物含有：(a)由[RO]₃Si-R′(1)表示的化合物制备的含烷氧基有机硅烷聚合物(其中R是甲基或乙基，而R′是取代或未取代的环状或无环烷基)，或由式1的化合物和[RO]₃Si-Ar(2)表示的化合物(其中R是甲基或乙基，而Ar是含芳环官能团)制备的含烷氧基有机硅烷聚合物；和(b)溶剂。该硬掩模组合物具有优良的膜特性。另外，该硬掩模组合物表现出优良的硬掩模特性，由此能够把好的图案有效地转印到材料层。特别地，该硬掩模组合物在储存期间是高度稳定的。进而本申请还公开了一种用于采用该硬掩模组合物生产半导体集成电路器件的方法。
用于抗蚀剂下层模组使用组合生产半导体集成电路器件方法

[发明专利]用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物、使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法、以及通过该方法生产的半导体集成电路器件-CN200780025924.5有效
发明人：金美英;金相均;林相学;高尚兰;尹熙灿;金到贤;鱼东善;金钟涉 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R¹O]₃S-X(1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C₆-C₃₀官能团，而R¹是C₁-C₆烷基；[R²O]₃S-R³(2)，其中R²是C₁-C₆烷基，而R³是C₁-C₁₂烷基；以及[R⁴O]₃S-Y-S[OR⁵]₃(3)，其中R⁴和R⁵每一个独立地是C₁-C₆烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C₁-C₂₀亚烷基、含有芳环的C₁-C₂₀亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C₂-C₂₀烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O₂等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。
用于加工抗蚀剂下层模组使用合物来生产半导体集成电路器件方法以及通过

[发明专利]抗反射硬掩膜组合物-CN200680054744.5有效
发明人：尹熙灿;金相均;林相学;鱼东善;金钟涉;李镇国;吴昌一;金旼秀;邢敬熙;南伊纳 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明披露了一种抗反射硬掩膜组合物，其具有对于光刻工艺有用的抗反射性能。该硬掩膜组合物提供了优异的光学性能、优异的机械性能以及高的蚀刻选择性。另外，该硬掩膜组合物可以通过旋涂技术容易地施用。有利地，该硬掩膜组合物适用于短波长光刻工艺，并具有最小的剩余酸含量。
反射硬掩膜组合

[发明专利]有机硅烷聚合物和含有该聚合物的硬掩模组合物以及使用有机硅烷硬掩模组合物制造半导体装置的方法-CN200780002634.9无效
发明人：尹熙燦;金相均;林相学;鱼东善;金钟涉;李镇国;吴昌一;金旼秀;尹敬皓;南伊纳 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2007-01-15 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： C08G77/00 文献下载
摘要：根据本发明的一些实施方式，本发明提供了有机硅烷聚合物，该有机硅烷聚合物是通过使含有(a)至少一种式(I)的化合物Si(OR₁)(OR₂)(OR₃)R₄，其中R₁、R₂和R₃可以各自独立地为烷基，且R₄可以为－(CH₂)_nR₅，其中R₅为芳基或取代的芳基，且n可以为0或正整数；和(b)至少一种式(II)的化合物Si(OR₆)(OR₇)(OR₈)R₉，其中R₆、R₇和R₈可以各自独立地为烷基或芳基，且R₉可以为烷基的有机硅烷化合物反应而制备得到的。还提供了含有本发明实施方式的有机硅烷化合物或其水解产物的硬掩模组合物。还提供了使用本发明实施方式的硬掩模组合物制备半导体装置的方法，和由该硬掩模组合物制成的半导体装置。
有机硅烷聚合物含有模组以及使用制造半导体装置方法

[发明专利]抗蚀乙硅烷和饱和烃桥接的含硅聚合物及制备和使用方法-CN200810090419.5有效
发明人：沙赫罗赫·莫塔莱比;林相学 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： C08L83/14 文献下载
摘要：本发明涉及抗蚀乙硅烷和饱和烃桥接的含硅聚合物及制备和使用方法。本发明还涉及一种组合物，其包含共聚物，该共聚物含有具有结构(A)、(B)和(C)以及结构(D)或(E)之一或更多的单体单元的混合物：其中，a、b、c、d、e和f独立地为0至2，n是0至约10，R1是生色团，R2是亲水基团。
抗蚀乙硅烷饱和烃桥接聚合物制备使用方法

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