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[发明专利]一种硒化物靶溅射制备铜锌锡硒吸收层薄膜的方法及应用-CN202111328336.7在审
发明人：王书荣;李祥;李新毓;刘信;李秋莲 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化物靶溅射制备铜锌锡硒吸收层薄膜的方法，具体包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)钼层的制备；(3)铜锌锡硒预制层的制备：以Cu靶、ZnSe化合物靶、SnSe靶作为靶源，在所述钼层上按照ZnSe/SnSe/Cu的顺序溅射，即得到铜锌锡硒预制层；(4)铜锌锡硒吸收层薄膜的制备：将所述铜锌锡硒预制层制备完成后的所述衬底退火硒化处理后，得到一种硒化物靶溅射制备的铜锌锡硒吸收层薄膜；本发明的制备工艺简便、薄膜组分可控、样品制备周期短、薄膜重复性较好，可以制备出符合高效率铜锌锡硒薄膜太阳电池要求的贫铜富锌的铜锌锡硒吸收层薄膜。
一种硒化物靶溅射制备铜锌锡硒吸收薄膜方法应用

[发明专利]铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法-CN201010542692.4无效
发明人：钟润文 -专利权人：慧濠光电科技股份有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法，包含铜铟镓硒硫化合物制作步骤、铜铟镓硒粉末制作步骤、靶材初胚制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，主要是依照原子比例，将铜、铟、镓、硒、硫的元素粉末以合成溶剂混合，再反应合成为铜铟镓硒硫化合物，再制作为铜铟镓硒靶材，或将作为五元靶材先驱物混合步骤的三元或四元化合物粉末混合，经过高压烧结而完成，以本发明铜铟镓硒靶硫五元材制作铜铟镓硒薄膜，可省略硒化、硫化步骤，以确保制程安全性，且该靶材的导电度适用直流溅镀及射频溅镀，能提升溅镀效率、形成无污染、成分均匀的铜铟镓硒硫薄膜。
铜铟镓硒硫五元靶材制作方法

[发明专利]一种碲硒砷镉化合物、靶材及其制备方法-CN202111429740.3有效
发明人：李青霄;张心会;徐开东;王继娜;李志新;王朝勇;徐龙云;包云;杨欢;丁凌凌;李文静 -专利权人：河南城建学院
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲硒砷镉化合物/靶材及制备方法，由摩尔比为(60‑90):(0.999‑39.99):(0.001～0.01)的碲化镉颗粒、碲硒镉颗粒和砷化镉颗粒研磨成粉、混匀，将混匀的物料装入石墨坩埚中，或者将混匀的物料放入模具中室温压片成靶材坯，压片成形的靶材坯装入石墨治具内，石墨治具放入真空烧结炉内，在真空烧结炉内压实，真空状态加热烧结，自然降温至室温，打开真空烧结炉即得到碲硒砷镉化合物/靶材。制备出的碲硒砷镉化合物结晶度好，制备出的碲硒砷镉靶材相对密度高于90％（晶粒尺寸小于300nm）。
一种碲硒砷镉化合物及其制备方法

[发明专利]铜铟镓硒靶材的制作方法-CN201010132083.1无效
发明人：锺润文 -专利权人：慧濠光电科技股份有限公司
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒靶材的制作方法，包含铜铟镓硒化合物制作步骤、铜铟镓硒粉末制作步骤、靶材初坯制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，主要是依照原子比例，将铜、铟、镓的金属粉末或其合金粉末以及硒粉以有机溶剂均匀混合，再以高温反应合成为铜铟镓硒化合物，再将铜铟镓硒化合物形成粒径小于5μm的粉末，然后制作为铜铟镓硒靶材。藉由本发明铜铟镓硒靶材制作铜铟镓硒薄膜，可以省略硒化步骤，以确保制程的安全性，同时能够缩减制程时间、减少耗能、增加材料的利用率，进一步改善薄膜的均匀度及晶相，更提升太阳能电池的转换效率。
铜铟镓硒靶材制作方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜制备方法-CN201310277577.2有效
发明人：杨春雷;于冰;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。在上述铜铟镓硒薄膜制备方法中，通过在磁控溅射过程中，镓靶晚于铟靶开始磁控溅射，且镓靶晚于铟靶停止磁控溅射，从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓硒薄膜的底部富集，增加镓组分在铜铟镓硒薄膜顶部的含量，达到提升开路电压的目的，此外，使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种薄膜电池铜铟镓硒合金靶材的制备方法-CN201810570617.5在审
发明人：刘保材 -专利权人：合肥甘来新材料有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜电池铜铟镓硒合金靶材的制备方法，采用多室真空梯度液相合成技术，制备熔点、密度相当的In2Se3、Ga2Se3等中间化合物解决硒的挥发以及硒与其它元素充分合金化问题，再在同一梯度真空炉中合成制备铜铟镓硒四元化合物，然后将这些化合物真空制粉、热压烧结可制得纯度高、密度大、晶粒细、成分均匀布、单一相黄铜矿结构的铜铟镓硒合金靶材。
制备铜铟镓硒合金靶材薄膜电池熔点液相合成技术黄铜矿结构四元化合物中间化合物晶粒热压烧结铜铟镓硒真空梯度合金化真空炉多室挥发制粉合成

[发明专利]一种硒化锗靶材及其制备方法-CN201910610004.4有效
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云;谢小林 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及光电材料生产技术领域，尤其涉及一种硒化锗靶材及其制备方法。所述制备方法包括：A)加热锗块至980～1050℃，保温后，得到锗液；B)加热硒块至230～250℃，保温后，硒块熔化，并滴入所述锗液中，得到混合熔炼液；C)将所述混合熔炼液在980～1050℃下加热30～60min，冷却后，得到硒锗合金；D)将所述硒锗合金进行球磨，得到的硒锗粉末经真空热压烧结，得到硒化锗靶材；步骤A)、B)和C)在真空的条件下进行。本发明采用真空滴落法制备硒锗合金，再通过球磨得到硒锗粉体，然后运用真空热压法制备得到硒化锗靶材，制备出的硒化锗靶材致密度较高，与理论硒含量相差较小。
一种硒化锗靶材及其制备方法

[发明专利]薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料的制备方法-CN200910306793.9有效
发明人：谢元锋;黄小珂;吕宏;伍祥武;王玉民;陈进中;苏家红;何焕全;廖春图 -专利权人：北京有色金属研究总院;柳州百韧特先进材料有限公司
申请日： 2009-09-09 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料制备方法，硒化物材料是Cu₂Se_x、M₂Se_y，其中M为或是选自Al、In、Ga中的一种元素，x的取值为0.95～1.05，y的取值为2.8～3.2，硒化物材料状态为粉末或块体靶材，其制备方法是：将密闭的真空容器或密闭的充入低于大气压力的氩气或氮气的容器置于炉内为梯度升温恒温以一定的升温速率，分几段恒温后，液相冷却合成上述材料的块体；将块体破碎，得到所需的粉末；最后在热压炉中合成所需要的块体靶材。该方法是一种纯元素法液相合成工艺，具有适用性广，配比准确，成本低的优点，制备的靶材质量高，粉末材料和块体靶材的致密度分别达99.7％以上和99.0％以上。
薄膜太阳能电池吸收层用硒化物材料制备方法

[发明专利]一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法-CN201110343687.5无效
发明人：余洲;晏传鹏;张勇;李珂;刘斌;赵勇 -专利权人：西南交通大学;成都欣源光伏科技有限公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公布了一种制备禁带宽度可调的硒化物薄膜的方法，所述的硒化物薄膜为非晶态，组成通式为InxSe1-x，0.3≤x≤0.6，其作法是：对结晶态的In2Se3靶进行射频磁控溅射，沉积的薄膜即为所述的硒化物薄膜；调节溅射过程中的工艺参数即可调节制备物的禁带宽度。该方法能通过调节制备过程中的工艺参数实现硒化物薄膜的禁带宽度的调节，而无需进行掺入任何杂质元素，其制备工艺简单，对设备要求低，环保节能。
一种制备宽度可调硒化物薄膜方法

[发明专利]室温铁磁二硒化钒纳米颗粒及其制备方法和作为析氧反应电催化剂的应用-CN202210400383.6有效
发明人：骆兴芳;袁彩雷;胡策;周行;俞挺;郭满满;杨勇;徐铿 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-04-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种室温铁磁二硒化钒纳米颗粒及其制备方法和作为析氧反应电催化剂的应用。所述制备方法具体为：提供衬底和靶材，所述靶材为二硒化钒靶和碳靶的混合靶材；在真空环境中，使所述衬底和靶材沿相反方向旋转，并利用准分子激光轰击所述靶材，使得所述靶材中的二硒化钒和碳交替沉积到所述衬底上；在惰性气体氛围中，将沉积了二硒化钒和碳的所述衬底进行退火处理，得到所述室温铁磁二硒化钒纳米颗粒。这种新颖的室温铁磁二硒化钒纳米颗粒在充分暴露边缘催化活性位点的同时保证了较好的导电性，且在外磁场作用下析氧反应性能可以得到大幅提升；其在电解水析氧反应中表现出优异的催化活性、良好的稳定性以及显著的磁场增强析氧反应
室温铁磁二硒化钒纳米颗粒及其制备方法作为反应催化剂应用

[发明专利]硒化铟靶材的制备模具及制备方法-CN201910579741.2在审
发明人：白平平;童培云;白向钰;谢小林;赵佳 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化铟靶材的制备模具，模具包括上方开口且中空的外模和上封盖，外模形成一圆筒形的装料空间，上封盖包括与外模盖合的盖面和自盖面向上凸伸的封盖柄，封盖柄上开设有真空抽气孔，模具还包括垫设于外模内的若干石墨纸和支撑片本发明同时提出一种硒化铟靶材的制备方法。该制备模具和制备方法采用热等静压技术制备高密度、低电阻的硒化铟靶材，所制备得到的硒化铟靶材的密度达到99%以上、靶材1cm间的电阻值低于1200Ω/cm，所制备得到的硒化铟靶材适用于半导体镀膜。
靶材硒化铟制备外模制备模具上封盖封盖盖面模具热等静压技术半导体镀膜真空抽气孔上方开口装料低电阻石墨纸圆筒形支撑片中空的电阻盖合凸伸

[发明专利]铜铟镓硒靶材金属化层制备方法-CN201510232814.2在审
发明人：吕宏;谢元锋;夏扬 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒靶材金属化层制备方法，在制备铜铟镓硒靶材的同时制备金属化层，属于有色金属加工领域。首先，将石墨垫板置于热压炉模具的下压头上，然后将金属片放在石墨垫板上，放入铜铟镓硒粉料，再放入上压头，将模具放于热压炉中进行热压烧结，在升温的同时加压，进行保温保压，然后冷却至室温；然后，将靶材从热压炉中取出，先加工靶面，然后加工金属化层，根据需要的金属化层的厚度确定加工量。本发明方法得到的铜铟镓硒靶材金属化层易于钎焊；导电、导热性能好；成本低，与靶材制备过程同步，大大降低生产成本。
铜铟镓硒靶材金属化制备方法

[发明专利]一种二维α相硒化铟的生长方法-CN202211461709.2在审
发明人：王广;周溯媛;祁祥 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维α相硒化铟的生长方法，以硒化铟为靶材，加热，在目标温度下通入保护气体和氢气的混合气体，进行化学气相沉积，将硒化铟沉积在衬底上，得到二维α相硒化铟；所述目标温度为800‑900℃，在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体；本申请在加热升温阶段采用逆向气流，逆向气流可以很好地避免在升温过程中过早出现化合物生长成核，可以使其更容易获得大面积的原子级薄膜，α相硒化铟的生长质量较好，表面平整度更高，在整个过程中气流方向可以随时切换，操作较为简便；采用本申请的方案，可以调整反应参数，比如气流速度、沉积时间等，调节α相硒化铟的生长，改变生长层厚及尺寸等，满足产品的各种需要。
一种二维相硒化铟生长方法

[发明专利]一种磁过滤技术制备钠离子电池负极材料的方法-CN202110793972.0有效
发明人：刘显慧;陈子博;顾旻;杨威威;卜雅丽;何倩;吴强;焦云飞;刘瑞卿;应世强;李谊;马延文 -专利权人：南京邮电大学;南京亿浦先进材料研究院有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本发明揭示了一种磁过滤技术制备钠离子电池负极材料的方法，具体为一种预先进行功能化处理多壁碳纳米管，并将多壁碳纳米管做基底，再通过磁过滤筛选射频等离子体的化学气相共沉积技术制备功能化多壁碳纳米管与半金属靶材源的复合材料载体这种结构中的功能化多壁碳纳米管作为导电骨架提高了涂敷载体的结构稳定性和导电性能，半金属靶材源作为活性材料，其上的硒和磷与功能化多壁碳纳米管骨架具有高的化学结合力，提高了电极的固硒和固磷性能、多硒化物及磷化物转化动力学和循环寿命
一种过滤技术制备钠离子电池负极材料方法

[发明专利]一种掺杂硒化铟靶材及其制备方法-CN202210573235.4有效
发明人：沈文兴;白平平;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C04B35/547 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂硒化铟靶材及其制备方法，属于陶瓷靶材技术领域，该方法包括以下步骤：S1：将硒化铟粉、银粉和有机溶剂置于球磨罐中进行真空球磨，所得球磨物料进行烘干，得掺杂硒化铟粉体；S2：将S1所得掺杂硒化铟粉体置于模具中min，温度为650～750℃，压力为35～40MPa，时间为120～150min；S4：将真空热压炉内压力降至10MPa以下，再将真空热压炉内温度降至室温，将模具从真空热压炉内取出，撤除模具，即得掺杂硒化铟靶材采用上述方法制备的掺杂硒化铟靶材，相对密度较高，靶材表面距离1cm间的电阻率小于1.5MΩ/cm，氧含量低，组分均匀。
一种掺杂硒化铟靶材及其制备方法

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