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[发明专利]栅极制造方法-CN200910199222.X无效
发明人：向阳辉;刘艳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极制造方法，包括：在已形成有栅氧化层的半导体衬底上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成硅化钨层；依次蚀刻所述硅化钨层、多晶硅层及栅氧化层，至暴露出半导体衬底，蚀刻后的硅化钨层及多晶硅层作为栅电极；对所述硅化钨层退火；对所述栅电极退火；氧化所述硅化钨层，在所述硅化钨层表面形成栅电极保护层。通过所述栅极制造方法，可以避免在硅化钨层和多晶硅层界面附近产生空洞。
栅极制造方法

[发明专利]钨硅合金的机械加工方法-CN201310718682.5有效
发明人：姚力军;赵凯;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张林桥 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： B24B7/10 文献下载
摘要：一种钨硅合金的机械加工方法，包括：采用金刚石砂轮磨削所述钨硅合金坯料，进行梯度加工。在钨硅合金坯料的机械加工过程中，以金刚石砂轮取代所述传统的铣刀刀具，在采用金刚石砂轮对钨硅合金坯料进行磨削加工过程中，金刚石砂轮上的每一颗磨料相当于一把刀片，对所述钨硅合金坯料进行快速而高精度磨削，从而在磨削过程中，有效降低砂轮与钨硅合金坯料接触时，对钨硅合金坯料产生的扭力，减小所述钨硅合金坯料的振动，从而降低所述钨硅合金坯料碎裂的概率，提高钨硅合金坯料的机械加工的成品率。
合金机械加工方法

[发明专利]一种钨硅靶材的制备方法-CN202111227245.4有效
发明人：姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;李岢 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种钨硅靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将钨粉和硅粉进行第一热处理，得到钨硅合金；(2)将步骤(1)得到的所述钨硅合金进行破碎，得到钨硅合金粉末；(3)将步骤(2)得到的所述钨硅合金粉末进行第二热处理，得到钨硅靶材。本发明提供的钨硅靶材制备方法可以满足大批量生产钨硅靶材的需求，所得靶材内部结构均匀且没有缺陷，致密度≥99％，氧含量500ppm。
一种钨硅靶材制备方法

[发明专利]一种球形硅钨复合粉的制备方法-CN202210619330.3在审
发明人：徐国钻;张龙辉;周俊安;羊求民;刘莉;傅雨;王红云;李重义 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明属于粉末冶金领域，具体涉及一种球形硅钨复合粉的制备方法。为了解决现有技术中的方法制备得到的硅钨复合粉并不是均匀的球形且存在流动性差的问题，本发明提供了一种球形硅钨复合粉的制备方法。本发明制备方法以钨粉、硅粉为原料，经湿磨、喷雾干燥、等离子球化及过筛后制备了球形硅钨复合粉。采用本发明的方法能够制备得到硅、钨均匀分布、成球率高且流动性较好的球形硅钨复合粉，从而更好的满足硅钨靶材市场对于球形硅钨复合粉的更高质量要求和更大产量需求。本发明的制备方法制得的硅钨复合粉可应用于制备出硅、钨均匀分布的硅钨靶材，进一步扩大了其应用范围。
一种球形复合制备方法

[发明专利]栅极电极及其形成方法-CN200610147870.7有效
发明人：向阳辉;荆学珍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极电极的形成方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成栅介质层、掺杂多晶硅层、金属钨层、氮化钨层及难熔金属层；对半导体衬底进行退火步骤，退火后，所述金属钨层及氮化钨层与掺杂多晶硅层反应生成硅化钨层、氮硅化钨层及残留的氮化钨层，采用本发明生成的栅极电极，由于生成的硅化钨及氮硅化钨具有较小的厚度，能够起到阻挡难熔金属层及氮化钨与向掺杂多晶硅层扩散，同时形成的栅极电极的界面电阻较小。
栅极电极及其形成方法

[发明专利]钨的回收方法-CN202080015850.2在审
发明人：原口大辅;阿部淳二;永井裕树 -专利权人：三菱综合材料株式会社;日本新金属株式会社
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：一种钨的回收方法，其特征在于，对于含有氧化钨和硅的钨原料，通过使用弱碱化合物，在抑制硅的浸出的同时浸出钨，钨浸出时将硅的大部分作为残渣分离，回收硅浓度极低的钨浸出液。
回收方法

[发明专利]钨硅靶材的制造方法-CN201210374813.8有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了钨硅靶材的制造方法。所述钨硅靶材的制造方法包括：提供高纯钨粉和高纯硅粉；采用湿混工艺将所述钨粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；采用冷压工艺将所述混合粉末制成钨硅靶材坯料；采用真空热压工艺将所述钨硅靶材坯料制成钨硅靶材。采用本发明的制备方法能够获得了致密度大于或者等于99%的钨硅靶材，并且所获得的钨硅靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。
钨硅靶材制造方法

[发明专利]钨硅靶材的制造方法-CN201410668721.X在审
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;张涛 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种钨硅靶材的制造方法，包括：提供钨粉和硅粉；利用混粉工艺将所述钨粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钨硅靶材坯料；将所述钨硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钨硅靶材坯料进行致密化处理；去除所述包套，得到钨硅靶材。本发明的技术方案能够使形成的钨硅靶材具有较高的致密度、以及均匀的内部组织结构。
钨硅靶材制造方法

[发明专利]硅化钨硅片刻蚀的方法-CN200610165407.5有效
发明人：王铮 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅化钨硅片刻蚀的方法，用于在硅化钨硅片上刻蚀工艺线条，包括硅化钨主刻蚀、硅化钨过刻蚀、多晶硅过刻蚀，将现有技术中的硅化钨过刻和多晶硅主刻合成一步，减少了刻蚀步骤，进而减少了在工艺过程中产生的颗粒污染和缺陷主要适用于硅化钨硅片的刻蚀，也适用于其它金属硅化物硅片的刻蚀。
硅化钨硅片刻蚀方法

[发明专利]钨膜的沉积方法-CN201510383665.X有效
发明人：周君 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨膜的沉积方法，包括以下步骤：提供基底；以硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在基底上的第一硅原子层；以钨的气态化合物和硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在基底上的钨核膜；以硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在钨核膜上的第二硅原子层；以钨的气态化合物和氢气作为气源进行化学气相沉积，形成沉积在基底上的钨膜。上述钨膜的沉积方法，在钨核膜上形成第二硅原子层，使钨的气态化合物到达基底表面时和第二硅原子层的硅发生反应，从而阻挡钨的气态化合物向下扩散与钛发生化学反应生成气态物质，减少了钨膜沉积形成火山喷发状。
沉积方法

[发明专利]一种硅包覆钨复合粉及其制备方法-CN202210619381.6在审
发明人：张龙辉;周俊安;徐国钻;杨诚辉;林丽萍;黄月玲;黄春燕;刘莉;李重义 -专利权人：崇义章源钨业股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B22F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅包覆钨复合粉及其制备方法。本发明的硅包覆钨复合粉以钨粉为核心颗粒，在核心颗粒的表面均匀包覆硅粉包覆层。本发明以钨粉、硅粉为原料，经混合、真空脱气、高温烧结、快速冷却，然后经气破制备了分散性较好、表面均匀包覆粗颗粒硅的硅钨复合粉。本发明通过对硅粉进行球磨破碎，增加烧结过程中的融化速率，提高包覆性能；真空脱气和烧结可确保在硅与氧发生反应之前脱除粉末中的氧；使硅粉以快速融化，从而包覆钨粉，制备分散性较好的复合粉；最终制备出粗颗粒硅包覆钨复合粉采用本发明方法制备得到的硅包覆钨复合粉可应用于制备钨均匀分布的硅钨薄膜，广泛应用在硅钨靶材中。
一种硅包覆钨复合及其制备方法

[发明专利]栅极制作方法-CN201110152761.5无效
发明人：彭虎;季伟;孙尧;孙勤;彭仕敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极制作方法，包括步骤：衬底硅片上依次淀积栅绝缘层、多晶硅层和钨硅层；在氮气环境下进行退火处理；退火完成后在所述钨硅层上淀积氮化硅层；进行光刻和刻蚀，形成栅极；对栅极的侧壁进行氧化处理。本发明方法能形成由多晶硅层和钨硅层组成的多层膜的栅极，并在硅钨层上形成有氮化硅层作为栅极的保护层，从而能形成具有较低的电阻率、并能得到良好的保护的栅极。本发明方法通过在形成钨硅层之后、对钨硅层进行热处理，能够使钨硅层释放部分应力，从而能消除钨硅层和氮化硅层之间的应力、并能避免由应力而导致的在后续热处理工艺中导致薄膜鼓起或裂开的问题。
栅极制作方法

[发明专利]形成光刻胶图形的方法-CN99100483.3无效
发明人：冈村健司;荒田弘美;井上修一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1999-01-29 - 公布日： 2003-10-29 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：在多晶硅膜上用CVD方法形成以六氟化钨(WF6)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)为原料的硅化钨(WSi)膜。在该膜形成工艺的最后阶段，终止六氟化钨的供给以减轻内应力。结果，在硅化钨膜上，形成包含高浓度氯离子的富硅的硅化钨膜。然后，在涂敷化学增强光刻胶前，这些膜与硅衬底一起浸渍在包含过氧化氢的腐蚀液体中，以除去富硅的硅化钨膜，以便可以控制可抑制碱性显影作用的氯化氨的产生。因此，可以通过光刻构图硅化钨膜而不会产生图形缺陷。
形成光刻图形方法

[发明专利]一种硅钨酸及其盐的制备方法-CN200610102281.7无效
发明人：张明泉 -专利权人：王智华
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：一种硅钨酸及其盐的制备方法，用于解决非醚法制备的问题，其技术方案是，它按如下工序进行：A.转化、B.配硅、C.交换、D.蒸发浓缩、E.硅钨酸盐的制取。本发明采用非醚法生产硅钨酸及其盐，它以APT为原料，经转化、配硅、交换、蒸发浓缩等工序得到硅钨酸产品，进而制取硅钨酸盐。该方法具有工艺合理，产品质量好，无污染，特别适合大批量生产等特点，为采用非醚法生产硅钨酸及其盐开辟了一条新路。
一种硅钨酸及其制备方法

[发明专利]一种制备硅钨杂多酸溶液的方法-CN201710230940.3有效
发明人：关文娟;张贵清;姚琨;曾理;李青刚;曹佐英;肖连生;尚广浩 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C01B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硅钨杂多酸溶液的方法，包括以下几个步骤：钨酸盐溶液(或钨和硅的混合溶液)进行第一段双极膜电渗析，使溶液pH值降低至5.5～7.5；一段电渗析溶液配硅后进行加热转化(或将钨和硅的混合溶液一段电渗析后溶液直接加热转化)；溶液冷却后进行第二段双极膜电渗析，控制pH值为1.0～3.0，得到硅钨杂多酸盐溶液；经离子交换转型除杂后得到硅钨杂多酸溶液。本发明不消耗无机酸，不引入杂质阴离子，不仅实现了钨酸盐溶液的酸化，还实现了大部分盐阳离子的脱除，大大减少了后续离子交换除盐阳离子的负担。本发明获得的硅钨杂多酸溶液可用于制备高品质的硅钨杂多酸产品，是一种清洁高效的硅钨杂多酸溶液制备工艺。
一种制备杂多溶液方法

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