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[发明专利]一种利用硅渣进行熔炼生产硅锭的工艺-CN201611135877.7有效
发明人：羊实;周旭 -专利权人：成都斯力康科技股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硅渣进行熔炼生产硅锭的工艺，包括起炉、炼硅、除渣、成型预留中频炉内容量15％～20％容量的硅液作为下一次熔炼的初始硅水，将其余的硅液倾倒成型系统，制造形成硅锭。本发明利用硅液的微弱导电性来进行感应生热，直接利用硅渣进行熔炼，利用硅与废渣的熔点不同的特性，使得硅熔炼后分离，再利用除渣装置打捞硅液上的硅渣，从而将硅与废渣进行分离，直接生产得到硅锭，相对于坩埚的最大容量20KG而言，本发明利用感应炉进行硅熔炼的方式，可以将单体的熔炼量提升至5吨，相对于现有技术的坩埚熔炼而言，大大提高了产量和生产效率。
硅锭硅液硅渣熔炼生产熔炼硅熔炼废渣熔点导电性成型系统除渣装置感应生热生产效率一次熔炼最大容量坩埚熔炼感应炉内容量再利用中频炉除渣硅水起炉坩埚成型预留倾倒打捞制造生产

[发明专利]形成电容器结构的方法以及用于其的硅蚀刻液-CN201280011143.1有效
发明人：水谷笃史;稻叶正;小山朗子 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种形成电容器结构的方法，包括：施用硅蚀刻液于多晶硅膜或非晶硅膜，所述硅蚀刻液含碱化合物与羟胺化合物的组合，且所述硅蚀刻液的pH值被调节为11或大于11；移除所述多晶硅膜或所述非晶硅膜的部份或整体；以及形成构成电容器的凹凸形状
形成电容器结构方法以及用于蚀刻

[发明专利]一种废硅液的回收再生方法-CN200810121060.3无效
发明人：吴云才;刘伟;刘磊磊;刘文涛 -专利权人：浙江昱辉阳光能源有限公司
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种废硅液回收再生方法，尤其涉及一种在切割硅晶片材产生的废硅液回收再生方法。其特征在于所述方法包括以下步骤：切割硅棒产生的废硅液进行离心分离，滤布孔径为800～1500目，获得硅粉料；将分离得到的硅粉料置于反应釜中，加入强氧化剂反应后，反应液进行过滤，除去有机碳杂质，强氧化剂为浓硫酸、双氧水、硝酸的一种或其混合液；将二次过滤所得硅粉料置于反应釜中，加入稀王水反应后，反应液经过滤、干燥，除去金属和金属氧化物杂质；将三次过滤所得硅粉置于直拉单晶炉中，单晶炉在真空中于800℃～1000℃应用此法可回收废硅液中大部分硅粉，经后续加工后可用于制造太阳能电池，不仅节约了资源，而且不产生环境污染。
一种废硅液回收再生方法

[发明专利]处理硅液的方法-CN201510274005.8有效
发明人：刘志祥;毕红兴;王建波;卢国洪;周杰;杨贵明;赵兴凡;赵茂庚;任承伟;王国卫 -专利权人：云南永昌硅业股份有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种处理硅液的方法，所述硅液中含有铝、钙、磷和硼，所述方法包括(1)利用氧气氧化所述硅液，并向所述硅液中加入精炼剂和造渣剂，以便获得含有三氧化二铝、氧化钙和二氧化硅的固体氧化渣以及硅熔体；(2)将所述含有三氧化二铝、氧化钙和二氧化硅的固体氧化渣以及硅熔体进行分离，以便分别得到含有三氧化二铝、氧化钙和二氧化硅的固体氧化渣以及硅熔体。该方法可以显著提高硅液中铝、钙、磷和硼杂质的去除率，并且得到的硅熔体中硅元素的回收率可以达到86％。
处理方法

[实用新型]一种用于太阳能电池的高纯多晶硅提纯装置-CN201821901378.9有效
发明人：袁正勇 -专利权人：宁波职业技术学院
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体材料制备领域，具体涉及一种用于太阳能电池的高纯多晶硅提纯装置，包括：熔炼造渣装置、阶梯除磷装置、分步氧化装置和精炼凝固装置。本实用新型将硅液经造渣除杂后，进入阶梯除磷装置，当硅液从硅液流槽口流出时，用电子枪的高能电子束轰击从槽口流出的硅液，从而快速的除去硅液中的磷杂质。在分步氧化装置内用不同的精练气体分步作用，除去硅液中的杂质硼、碳、金属等杂质，再通过脱气精练、定向凝固后，切除硅锭的高杂质部分，得到高纯度的太阳能级多晶硅产品，实现高纯多晶硅的连续工业化生产。
硅液高纯多晶硅本实用新型太阳能电池除磷装置提纯装置氧化装置槽口精练流出连续工业化生产太阳能级多晶硅半导体材料高能电子束定向凝固凝固装置造渣装置电子枪高纯度高杂质磷杂质杂质硼熔炼除杂硅锭脱气造渣轰击制备精炼切除金属

[发明专利]一种液面自动补偿方法-CN202111001722.5有效
发明人：杨金海;徐永根;沈凯杰 -专利权人：浙江晶阳机电股份有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅生产技术领域，涉及一种液面自动补偿方法，本发明包括：S1：坩埚内盛装硅液，所述坩埚的硅液液面上方设有水冷热屏，所述水冷热屏上方设有成像装置，所述坩埚下方设有升降装置；S2：所述成像装置发射光线经过水冷热屏屏口在硅液液面上形成观测点一，观测点一在硅液液面上形成观测线一，同时水冷热屏屏口在硅液液面镜面投影下形成投影点，投影点在硅液液面上形成观测线二，所述成像装置距离硅液液面距离为h，所述成像装置距离水冷热屏屏口距离为d，满足：d11/h11＝d/(h+h11)，d12/h11＝d/(h‑h11)；S3：根据S2步骤中公式求解液口距h11的值。S4：将S3步骤中求解的液口距h11与预设最佳液面位置比较，根据比较结果通过升降装置升降补偿，调节精确且操作简单。
一种液面自动补偿方法

[发明专利]中频熔炼回收打磨硅粉的方法-CN201610404441.7有效
发明人：方明;李鹏廷;谭毅;姜大川;张磊 -专利权人：大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种中频熔炼回收打磨硅粉的方法，以提纯的多晶硅铸锭或提纯锭产生的顶皮料打磨粉作为硅料，通过中频线圈感应加热使其熔化得到硅液，加入吸附渣剂吸附硅液中的硬质点，然后将富含硬质点的渣剂去除得到高纯硅液，最后将高纯硅液倒入冷却包得硅块。本发明解决富含硬质点的多晶硅高温难熔问题。在高温过程中，由于渣剂的保护作用，避免高温硅粉的氧化，从而获得去除硬质点的硅料，达到多晶硅铸锭/提纯产生顶皮再利用。本发明中获得的低硬质点硅料，在后续铸锭中，不会产生硬质点富集问题，有利于提高铸锭的产率。
中频熔炼回收打磨方法

[发明专利]直接成形制备带硅的方法及硅片直接成形装置-CN201310008252.4有效
发明人：钟云波;沈喆;黄靖文;龙琼;孙宗乾;吴秋芳;李甫;周鹏伟;董立城;郑天祥 -专利权人：上海大学
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种直接成形制备带硅的方法，在硅片和硅熔体的固液界面区域施加交变磁场，在固液界面前沿处的硅熔体中形成感生电流，通过交变磁场和感生电流的共同作用，在固液界面处形成垂直固液界面并指向硅熔体内部的电磁挤压力，调整电磁挤压力的大小，使电磁挤压力完全抵消硅片窄边固液界面处向内的表面张力，从而使柔性的电磁力约束并稳定固液界面的形状，使柔性的电磁力约束的硅熔体成形并持续凝固，然后将凝固的带状硅铸坯持续拉出，直接制备带硅本发明还公开了一种硅片直接成形装置，包括硅料熔化保温装置、加料装置、直拉引锭装置和带硅软接触成形装置，直接制备带硅，实现洁净生产，减少硅片缺陷，实现大规模直接生产带硅的工业应用。
直接成形制备方法硅片装置

[实用新型]一种单晶炉硅液泄露保护装置-CN201320887978.5有效
发明人：郭胜州 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉硅液泄露保护装置，属熔融液提拉法的单晶生长的技术领域。一种单晶炉硅液泄露保护装置，包括位于单晶炉反射盘的泄露通孔下面的硅液盛接石墨槽，硅液盛接石墨槽中设有用于电连接的悬空石墨棒，悬空石墨棒和硅液盛接石墨槽分别与单晶炉加热器控制电路的两个电极连接。硅液盛接石墨槽位于单晶炉加热器底盘上，在硅液盛接石墨槽的上部侧壁设有溢流石墨瓦，溢流石墨瓦上端与硅液盛接石墨槽相连通，溢流石墨瓦的下端位于单晶炉加热器底盘的中心孔内，在中心孔下面设有碳毡。本实用新型在硅液泄露时，可使单晶炉保护装置启动并自动报警，避免烫穿炉底板，减少设备损失。
一种单晶炉硅液泄露保护装置

[发明专利]一种电泳辅助的造渣除硼方法-CN201310044709.7有效
发明人：李伟生;龚炳生;陈晓萍 -专利权人：福建兴朝阳硅材料股份有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能级多晶硅提纯领域，尤其是涉及一种电泳辅助的造渣除硼方法。所述的方法包括以下步骤：将原料硅装入石墨坩埚中，完全熔化为硅液；保持硅液温度在1500～1800℃，将造渣剂加入硅液中造渣；向石墨坩埚中硅液施加直流电压，使反应后的硼化物及金属杂质向负极迁移；将硅液进行定向凝固，冷却后取出硅锭，并切除上层杂质富集区，得到提纯后的多晶硅。
一种电泳辅助造渣方法

[发明专利]一种由高铝粉煤灰制备13X分子筛的方法和13X分子筛-CN201210179903.1有效
发明人：李春启;梅长松;李德炳;陈元应;陈爱平;孙旭光;刘俊峰;吕燕南 -专利权人：大唐国际化工技术研究院有限公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C01B39/22 文献下载
摘要：所述制备方法包括：将高铝粉煤灰与碱液混合进行预脱硅反应，过滤后得到脱硅液；将所述脱硅液与白炭黑混合得到改造脱硅液；将所述改造脱硅液与铝源混合得到硅铝溶胶；将所述硅铝溶胶晶化、过滤、洗涤和干燥，制得13X
一种粉煤制备 13 分子筛方法

[实用新型]除磷装置-CN201720285336.6有效
发明人：王增林 -专利权人：宁夏金海金晶光电产业有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种除磷装置，密封盖与石墨坩埚能够形成密封空间，通过密封盖上的抽真空装置使得密封空间能够形成真空环境，便于工业硅提纯；搅拌桨能够在伸缩杆的带动下对硅液进行移动搅拌，提高了硅液的搅拌强度，使得熔融的硅液在石墨坩埚内上下翻滚，使得硅液内的磷能够蒸发达到硅液的表面，显著降低多晶硅中磷杂质含量，磷杂质在0.5ppm以下。
装置

[发明专利]一种硅粉颗粒沉淀分离方法-CN202310204852.1在审
发明人：张海明;杨旭洲;郭俊文;危晨;赵朋占;孔明航 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种硅粉颗粒沉淀分离方法，步骤包括：配置凝聚诱导溶液；将配置好的所述凝聚诱导溶液与切割后的冷却液混合沉淀，使硅粉絮凝从冷却液原液中分离；其中，所述凝聚诱导溶液用于诱导硅粉絮凝。本发明提供一种硅粉颗粒沉淀分离方法，采用对冷却液原液中微米级硅粉颗粒进行诱导絮凝，可快速沉淀硅粉，以使硅粉颗粒与冷却液原液分离，操作简单且成本低廉，易于控制且分离效果好。
一种颗粒沉淀分离方法

[发明专利]一种生产P型太阳能电池用多晶硅的工艺-CN200910172425.X无效
发明人：靳瑞敏;李定珍;王玉仓;郭新峰 -专利权人：靳瑞敏
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种生产P型太阳能电池用多晶硅的工艺，主要特点是采用以下流程步骤：选取硅原料—硅液造渣—真空直拉—光照硅液—铸锭，对传统提取多晶硅方法加以重大改进，舍弃常温浸酸(或碱)，增加光照硅液与真空直拉步骤，硅液造渣向真空直拉自动导料，与传统方法相比，具有工艺科学，流程连续，节约能源，减轻污染，设备使用寿命延长，生产安全，产品质量稳定可靠等优点。
一种生产太阳能电池多晶工艺

[发明专利]一种利用脱硅碱液制备硬硅钙石的方法-CN201310557731.1有效
发明人：洪景南;赵景宽;孟繁逵;曹瑞忠;张战军;郭殿奎;孙振斌;崔连发;闫绍勇 -专利权人：内蒙古大唐国际再生资源开发有限公司
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C01B33/24 文献下载
摘要：本发明提供一种利用脱硅碱液制备硬硅钙石的方法，采用一步反应法，将脱硅碱液与石灰乳按硅钙摩尔比0.9-1.1混合进行反应，反应产物依次进行过滤和干燥处理，得到硬硅钙石；其中，所述脱硅碱液中二氧化硅浓度为15本发明还提供了一种利用上述的方法制备得到的硬硅钙石。本发明利用脱硅碱液制备硬硅钙石，其脱硅碱液的硅质原料采用电厂废弃物粉煤灰或煤矸石，大大降低了硬硅钙石的生产成本，与此同时，本发明的制备硬硅钙石的方法简单，反应时间短，适于产业化推广。
一种利用脱硅碱液制备硬硅钙石方法