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[发明专利]电子级多晶硅粉及其制备方法-CN202310415661.X在审
发明人：张天雨;王付刚;袁北京;田新;蒋文武 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯多晶硅粉的制备方法，包括将硅块置入破碎容器中，所述破碎容器的侧壁具有多个间隔设置的孔洞，所述硅块的粒径大于所述孔洞的直径；将盛有所述硅块的所述破碎容器放入盛有酸液的酸液池中，并使得所述破碎容器在所述酸液池中进行滚动，得到所述硅粉碎屑；对所述硅粉碎屑进行冲洗，去除所述硅粉碎屑中的碎屑，得到硅粉；依次对所述硅粉进行清洗、干燥，得到干燥的所述硅粉。由此，该方法的制备工艺简单，效率高，可制备出高纯度的电子级多晶硅粉。
电子多晶及其制备方法

[发明专利]一种硅熔液液面位置的检测装置及单晶炉-CN202010818550.X在审
发明人：杨文武;沈福哲 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明提供一种硅熔液液面位置的检测装置及单晶炉，所述检测装置包括：双头吊钩，所述双头吊钩位于所述组合套筒的内侧，所述双头吊钩的上端与所述组合套筒的侧壁固定连接，所述双头吊钩的下端向下伸出于所述组合套筒的底部，用于在硅熔液液面形成倒影；检测单元，所述检测单元用于捕捉所述双头吊钩的下端在所述硅熔液液面上形成的倒影成像。根据本发明实施例的检测装置，通过利用双头吊钩在硅熔液液面形成稳定且清晰的倒影，使检测单元能够通过准确捕捉倒影继而测得硅熔液液面的准确位置，从而确保了拉晶过程中各项参数的调节的准确性，提高了制得的晶棒的品质
一种硅熔液液面位置检测装置单晶炉

[发明专利]一种靶材用高纯铝硅铜铸锭的制备方法-CN202211158585.0在审
发明人：姚力军;潘杰;徐淼;钟伟攀;罗明浩;仝连海 -专利权人：同创普润（上海）机电高科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B22D7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种靶材用高纯铝硅铜铸锭的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将铝原料进行熔化，得到铝液；(2)将铜粉和硅粉装入铝箔袋，得到粉料袋，将所述粉料袋加入到步骤(1)得到的所述铝液中，得到铝硅铜合金液；(3)将步骤(2)得到的所述铝硅铜合金液依次进行除气和扒渣，得到净化合金液；(4)将步骤(3)得到的所述净化合金液依次进行铸造和冷却，得到所述铝硅铜铸锭。本发明提供的制备方法能够充分促进铝硅铜的分散，提升成分的均匀性，并且缩短熔炼时间，避免热裂纹和羽毛状晶粒产生。
一种靶材用高纯铝硅铜铸锭制备方法

[发明专利]一种电场耦合定向凝固技术回收金刚线切割硅粉制备高纯硅的方法-CN202210400006.2在审
发明人：李鹏廷;王国亮;胡志强;谭毅;姜大川 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种电场耦合定向凝固技术回收金刚线切割硅粉制备高纯硅的方法，将金刚线切割硅粉废料研磨，以HF：H2O：C2H5OH＝1:3:1配置溶液进行酸洗，离心干燥后压块；真空感应熔炼硅粉块体，保温结束后在凝固过程中引入电场，控制固液截面处的温度梯度，使固液界面处的一些凸出部分发生重熔，保持了固液界面的稳定性，抑制树枝晶的生长，回收过程中的出成率显著提高。电场的引入可以促进硅液发生对流，能够保证硅液内的杂质和温度均匀性，使凝固过程中的杂质分凝效果更明显，进一步提高硅锭的纯度，将回收硅的纯度提升到5N。该技术既能防止硅粉废料的环境污染，也可使硅资源重新利用，进而节约晶硅太阳能电池行业的工业成本。
一种电场耦合定向凝固技术回收金刚切割制备高纯方法

[发明专利]一种二氧化硅包覆层及其制备方法-CN202210736488.9在审
发明人：高鸣骏;彭玉容;林贞君;周俊成 -专利权人：广州融捷显示科技有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C09C1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化硅包覆层的制备方法，包括以下步骤：(1)制备被包覆的颗粒的分散液，并调节分散液至碱性；(2)加入硅源，加料过程PH维持碱性，在被包覆颗粒的表面包覆第一硅膜；(3)调节分散液的PH为2～4，继续反应，在步骤(2)得到的硅膜的表面上生成第二硅膜；(4)清洗，过滤，在被包覆的颗粒表面得到改性的二氧化硅包覆层。本发明还公开了一种二氧化硅包覆层，包括包覆于颗粒表面的第一硅膜及位于所述第一硅膜表面的第二硅膜；所述第一硅膜为在碱性条件下采用液相包覆法生成的硅膜；所述第二硅膜为在PH为2～4的条件下采用液相包覆法生成的硅膜
一种二氧化硅覆层及其制备方法

[发明专利]一种纳微结构硅负极材料的制备方法-CN201810124248.7有效
发明人：杨娟;陈松;唐晶晶;周向阳;张佳明;任永鹏;于亚文 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳微结构硅负极材料的制备方法，包括如下步骤:(1)将冶金级微米硅分散于有机分散液中；(2)配制HF‑金属盐溶液作为刻蚀剂，将刻蚀剂缓慢加入硅的预分散液中，得到表面沉积有金属颗粒的微米硅；(3)将表面沉积有金属颗粒的微米硅重新分散于有机分散液中；(4)将HF‑H2O2溶液加入硅的分散液中，间歇性加入有机分散液；(5)将多孔硅浸泡在HNO3溶液中，得到高纯度多孔硅；(6)将高纯度多孔硅通过氧化程度可控的球磨处理。本发明采用金属辅助化学刻蚀‑氧化程度可控的球磨联用的方法，制备出一种表面光滑包裹一层致密氧化层SiOx，且内部富含微孔的纳微结构硅负极材料，可以缩短锂离子传输路径和容纳硅体积膨胀
一种微结构负极材料制备方法

[发明专利]一种纳米硅的分散方法-CN201510557635.6有效
发明人：李新海;张辉华;郭华军;王志兴;杨阳;彭文杰;胡启阳 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01M4/583 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅的分散方法，包括以下步骤(1)将纳米硅粉溶解于极性溶剂并搅拌配成固含量为1％～20％的纳米硅液；(2)利用物理分散对所述纳米硅液进行预分散；(3)在步骤(2)预分散后的溶液中加入多锚固基团聚醚类超分散剂，并搅拌均匀，即得到分散均匀的纳米硅分散液。本发明采用了机械分散与化学分散相结合的方法，并选择了与纳米硅表面和溶剂性质相互匹配的多锚固基团醚类超分散剂，得到了分散性和稳定性均较好的纳米硅预分散液，改善了纳米硅粉在硅碳负极材料应用中所遇到的严重的团聚问题
一种纳米分散方法

[发明专利]一种铝硅合金铸锭的半连续铸造方法-CN201910719959.3有效
发明人：刘二磊;曹琦;李传学 -专利权人：银邦金属复合材料股份有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝硅合金铸锭的半连续铸造方法，其中，包括：加入铝锶中间合金：向静置处理后的铝硅合金熔体加入铝锶中间合金线材以获得铝硅合金浇铸前液，使最终铸造的铝硅合金铸锭中的锶含量为0.012重量％‑0.025重量％；过滤除气：将所述铝硅合金浇铸前液进行过滤除气以获得铝硅合金浇铸液；浇铸：将所述铝硅合金浇铸液进行浇铸以获得所述铝硅合金铸锭。本发明所述的半连续铸造方法缩短了铝硅合金熔体加入锶变质剂后的保温时间，降低了变质后熔体吸氢的风险，降低了锶元素的氧化和烧损，节约了铝锶中间合金的使用量。
一种合金铸锭连续铸造方法

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200910201382.3有效
发明人：荆建芬 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种对硅进行化学机械抛光的抛光液。该抛光液中含有水，研磨颗粒、至少一种硅的增速剂和至少一种硅的抑制剂。本发明的抛光液通过调节硅的增速剂和抑制剂的量，可以调节硅与二氧化硅的选择比，提高平坦化效率。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200910200825.7无效
发明人：荆建芬;蔡鑫元 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种对硅进行化学机械抛光的抛光液。该抛光液中含有水，研磨颗粒、至少一种硅的增速剂和至少一种硅的抑制剂。本发明的抛光液通过调节硅的增速剂和抑制剂的量，可以调节硅与二氧化硅的选择比，提高平坦化效率。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN200910201383.8无效
发明人：荆建芬 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种对硅进行化学机械抛光的抛光液。该抛光液中含有水，研磨颗粒、至少一种硅的增速剂和至少一种硅的抑制剂。本发明的抛光液通过调节硅的增速剂和抑制剂的量，可以调节硅与二氧化硅的选择比，提高平坦化效率。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201010603945.4无效
发明人：荆建芬;张建;蔡鑫元 -专利权人：安集微电子(上海)有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种对硅进行化学机械抛光的抛光液。该抛光液中含有水，研磨颗粒、至少一种硅的增速剂和至少一种硅的抑制剂。本发明的抛光液通过调节硅的增速剂和抑制剂的量，可以调节硅与二氧化硅的选择比，提高平坦化效率。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种快速制备硅纳米粒子的方法及硅纳米粒子-CN201710448091.9在审
发明人：易衫;代建国;唐勇军;朱俊晨 -专利权人：深圳职业技术学院
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明公开一种快速制备硅纳米粒子的方法及硅纳米粒子，其中，所述快速制备硅纳米粒子的方法包括步骤A、向预先配置好的有机醇溶液中添加碱性化合物，生成混合液；B、向所述混合液中加入硅酸乙酯，搅拌1‑120min后，得到反应后液；C、对所述反应后液进行固液分离，将分离后的固体进行水洗、干燥处理，即得到硅纳米粒子。解决了现有技术中无法快速合成粒径均一的硅纳米粒子的问题。
一种快速制备纳米粒子方法

[发明专利]半导体基片的制作方法-CN97105478.9无效
发明人：坂口清文;米原隆夫;佐藤信彦 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1992-02-15 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明是关于多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法以及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点在于，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸；制作半导体基片的制造方法包括如下工序形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底，将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上，用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。
半导体制作方法

[实用新型]一种电镀污泥脱硅钙装置-CN201621379530.2有效
发明人：胡长庆;刘文治;黄道德;赵春霞;陈新桥 -专利权人：宁波宝力农环境技术开发有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C02F11/14 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种电镀污泥脱硅钙装置，包括：第一、第二、第三存储容器，第一、第二、第三存储容器分别具有一出料口；一絮凝反应池，絮凝反应池的进料口分别与所述第一、第二、第三存储容器的出料口连接；一设置在絮凝反应池内的搅拌机构；一固液分离机，固液分离机的进料口与絮凝反应池的排料口连接；一硅钙渣收集容器，硅钙渣收集容器的进料口与固液分离机的出渣口连接；以及一脱硅钙电镀液收集容器，脱硅钙电镀液收集容器的进液口与所述固液分离机的出液口连接本实用新型所产生的硅钙渣含水量明显减少，有效地降低了后期的干燥成本，同时分离程度高，使得脱硅钙后的酸溶铁盐重金属电镀液的纯度提高。
一种电镀污泥脱硅钙装置