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[实用新型]一种绿液除硅设备-CN201320614102.3有效
发明人：林涛;李雪;徐永建;殷学风;任建晓;郝杨 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： D21C11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绿液除硅设备，包括除硅器，除硅器上设有绿液进管和除硅剂进管，除硅器内设有搅拌杆，搅拌杆与为其提供动力的第一传动装置相连，搅拌杆的自由端设有耙臂，耙臂上设有中央刮板，耙臂位于除硅器的底部，除硅器的侧壁上设有绿液溢流管，绿液溢流管位于耙臂的上方，除硅器的底部设有泥渣排出管，泥渣排出管位于耙臂的下方。本实用新型通过搅拌提高了绿液中硅的去除率，实现绿液高效除硅，并且除硅后的除硅剂能够从绿液中很好的被分离，减少除硅剂反应后在绿液中的停留，减轻后续绿液处理工段和碱回收工段的负荷和耗能，提高设备效率，为企业降低了成本
一种设备

[实用新型]一种用于生产金属硅的硅水包-CN202320978219.3有效
发明人：汪浩;佘志乾;汉震巍 -专利权人：甘肃河西硅业新材料有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于生产金属硅的硅水包，旨在解决当前从硅水包内抽出的硅水中含有部分残渣影响浇铸硅锭质量的技术问题，包括硅水包体，所述硅水包体进气侧布置有进气管道，所述硅水包体出液侧布置有出液管道，还包括挡渣结构；挡渣结构布置于所述出液管道进液端；所述挡渣结构包括连接组件和过滤组件；连接组件布置于所述出液管道进液端；过滤组件布置于所述连接组件内；其中，所述过滤组件与所述出液管道进液口对应，本实用新型具有将进入出液管道内的硅水中的残渣截留下来，防止抽出的硅水中含有残渣的优点。
一种用于生产金属硅硅水包

[发明专利]金刚线切割硅片废切割浆液中硅料的回收方法-CN201610164160.9有效
发明人：董欢;吴周友;袁厚臣 -专利权人：苏州协鑫光伏科技有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚线切割硅片废切割浆液中硅料的回收方法。其包括如下步骤：对金刚线切割硅片废切割浆液进行固液分离，并保留液体，得到硅粉悬浮液；对硅粉悬浮液进行浓缩处理，得到浓缩后的硅粉悬浮液；对浓缩后的硅粉悬浮液进行固液分离，并保留固体，得到硅砂；对硅砂进行压制，得到硅压制体硅压制体；以及将压制体硅压制体与硅铸锭工艺中温度大于1400℃的硅包混合，进行冶炼之后得到工业硅。上述金刚线切割硅片废切割浆液中硅料的回收方法中，以金刚线切割硅片废切割浆液中的硅料作为原料，通过一系列处理过程得到工业硅，实现了废切割浆液中硅料的资源化利用，避免了资源的浪费。
金刚切割硅片浆液中硅料回收方法

[发明专利]一种磁控拉晶装置-CN202211010551.7在审
发明人：陈永康;李侨;杜婷婷;朱永刚;张朝光;任伟康;刘阳;牛彩鹤 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例，提供了一种磁控拉晶装置，包括单晶炉、坩埚以及磁控组件；坩埚设置于单晶炉内，用于盛放硅液，所述磁控组件设置于所述硅液上方。磁控组件包括环形磁体，环形磁体内设置有用于单晶硅棒穿设的拉晶通道，环形磁体靠近硅液设置，用于在硅液内形成勾型磁场。所述勾型磁场在所述硅液的液面的磁场强度大于或者等于0.1毫特。硅液内部的勾型磁场可以有效抑制硅液的纵向热对流、横向热对流以及其他方向的热对流，抑制了硅液在多个方向的热对流。这样，就可以减少硅液对坩埚壁的冲刷，降低硅液中的杂质含量，提高了拉晶质量。
一种磁控拉晶装置

[发明专利]一种单晶硅棒制备过程中硅料液距检测方法-CN202211204969.1有效
发明人：邓邹超;金秉文;徐航;林郑昊 -专利权人：杭州利珀科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G01B11/14 文献下载
摘要：本发明公开一种单晶硅棒制备过程中硅料液距检测方法，包括：步骤S1，提供单晶硅棒制备过程中硅料液距检测系统；步骤S2，单晶硅棒的稳温阶段，在液距标定框的框定范围内对硅料液距进行标定，得到标定数据；以及，步骤S3，单晶硅棒的标定后稳温、引晶、放肩、转肩、等径阶段，在液距测量框的框定范围内结合所述标定数据对硅料液距进行测量；其中，所述液距测量框在所述液距标定框的框定范围内活动。本发明的有益效果在于：液距测量框的位置变化不会影响到硅料液距的测量，以此提高硅料液距的测量稳定性，进而提高单晶硅棒的直拉成功率。
一种单晶硅制备过程中硅料液距检测方法

[实用新型]一种磁控拉晶装置-CN202222214478.7有效
发明人：陈永康;李侨;杜婷婷;朱永刚;张朝光;任伟康;刘阳;牛彩鹤 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例，提供了一种磁控拉晶装置，包括单晶炉、坩埚以及磁控组件；坩埚设置于单晶炉内，用于盛放硅液，所述磁控组件设置于所述硅液上方。磁控组件包括环形磁体，环形磁体内设置有用于单晶硅棒穿设的拉晶通道，环形磁体靠近硅液设置，用于在硅液内形成勾型磁场。所述勾型磁场在所述硅液的液面的磁场强度大于或者等于0.1毫特。硅液内部的勾型磁场可以有效抑制硅液的纵向热对流、横向热对流以及其他方向的热对流，抑制了硅液在多个方向的热对流。这样，就可以减少硅液对坩埚壁的冲刷，降低硅液中的杂质含量，提高了拉晶质量。
一种磁控拉晶装置

[发明专利]一种利用硅粉进行熔炼生产硅锭的工艺-CN201611131075.9有效
发明人：羊实;周旭 -专利权人：成都斯力康科技股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硅粉进行熔炼生产硅锭的工艺，包括(a)起炉：在中频炉中制备得到纯净度达标硅液；(b)炼硅：将硅粉投入到硅液中进行熔炼，制得硅液；(c)成型：预留中频炉内容量15％～20％容量的硅液作为下一次熔炼的初始硅水，将其余的硅液倾倒成型系统，制造形成硅锭。本发明利用硅液的微弱导电性来进行感应生热；达到熔炼硅块的目的，相对于坩埚的最大容量20KG而言，本发明利用感应炉进行硅熔炼的方式，可以将单体的熔炼量提升至5吨，相对于现有技术的坩埚熔炼而言，大大提高了产量和生产效率
硅液熔炼硅锭硅粉熔炼生产中频炉纯净度导电性成型系统感应生热生产效率一次熔炼最大容量坩埚熔炼感应炉硅熔炼内容量硅块硅水起炉坩埚制备成型预留倾倒达标制造

[发明专利]一种铸锭过程中去除多晶硅硬质夹杂的方法-CN201410835142.X有效
发明人：钟德京;简晖;陈志强;邹军;熊艳荣 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸锭过程中去除多晶硅硬质夹杂的方法，包括以下步骤：提供过滤网，在坩埚中填装硅料，将所述过滤网置于硅料底部或顶部，加热使所述硅料全部熔化形成硅液，所述过滤网在重力和浮力的作用下携带所述硅液中的硬质夹杂上浮于硅液顶部或下沉于硅液底部；所述过滤网的熔点大于硅的熔点，且对硅液无污染；调节热场，使所述硅液进行定向凝固结晶，得到多晶硅。本发明提供的去除多晶硅硬质夹杂的方法，只需在硅料顶部或底部放置过滤网，通过过滤网重力和浮力的作用达到过滤硅液的目的，提纯方法简单易操作，成本较低。使用该方法过滤出硬质夹杂后制得的多晶硅，可以多次使用，降低了生产成本。
一种铸锭过程去除多晶硬质夹杂方法

[发明专利]改善纳米硅研磨液分散性能的方法-CN201210169021.7有效
发明人：刘祥;岳敏;肖翠翠;黄友元 -专利权人：深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善纳米硅研磨液分散性能的方法，要解决的技术问题是提高纳米硅储存性能和加工性能。本发明的方法，包括以下步骤：在硅粉中，加入分散介质得到硅研磨液，在硅研磨液中加入研磨媒体，得到砂磨后的硅研磨液，在砂磨后的硅研磨液中添加阴离子分散剂，得到纳米硅研磨液。本发明与现有技术相比，利用强电解质阴离子分散剂吸附分散在纳米硅颗粒上，对纳米硅颗粒进行改性处理，阴离子吸附在纳米硅颗粒上使纳米硅带上负电荷，负电荷之间的排斥力使纳米硅颗粒分散并悬浮在分散介质中，从而改善了纳米硅研磨液中纳米硅的分散性，抑制纳米硅在储存和使用过程中发生团聚，提高了其储存性能和加工性能。
改善纳米研磨分散性能方法

[发明专利]一种将除硅过程前置的绿液除硅工艺-CN202211443286.1有效
发明人：徐永建;裴阳华;郭康康;殷学风 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： D21C11/04 文献下载
摘要：本发明属于制浆造纸废液处理技术领域，公开了一种将除硅过程前置的绿液除硅工艺。本发明中将加入除硅剂的黑液进行炭化，对炭化后的黑液进行燃烧，燃烧结束后采用模拟绿液吸收熔融物，通过分离得到除硅绿液和绿液硅不溶物沉淀。本发明是在绿液除硅的基础上将除硅过程前置到黑液燃烧过程，解决了现有绿液除硅技术存在的参与反应的硅酸钠浓度低、化学品用量大、影响绿液pH值等问题，并且通过熔融物沉淀将含硅物质分离除去，从而达到除硅的目的。
一种过程前置工艺

[发明专利]多晶硅铸锭硅固液分离方法及设备-CN201310210007.1有效
发明人：谭毅;姜大川;石爽;任世强 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅铸锭硅固液分离方法及设备，该多晶硅铸锭硅固液分离方法包括以下步骤：将硅料在容器内熔化成熔融硅料，拉锭至熔融硅料中硅液的量为10~20%时，采用与容器横截面相配合的压板对熔融硅料施加压力，熔融硅料内部硅液在压力作用下沿容器与压板之间的缝隙被挤压至压板之上；待硅液全部挤压至压板之上，停止对熔融硅料施加压力；压板下方为高纯度铸锭。本发明还公开了一种能实现多晶硅铸锭硅固液分离方法的设备。本发明克服了现有技术的诸多缺点，实现了保证富集杂质熔体与高纯度铸锭的分离的同时，抑制反向扩散，提高多晶硅生产中的出成率。
多晶铸锭硅固液分离方法设备

[发明专利]一种生长薄板硅晶体的方法-CN201110193163.2有效
发明人：李乔;马远 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长薄板硅晶体的方法，包括：将由硅原料熔化所形成的硅熔液流入到液态衬底的上面，所述的硅熔液浮于所述的液态衬底之上，形成硅熔液薄层；再通过温度场控制，使得在所述的硅熔液薄层和液态衬底的水平方向形成温度梯度，最终所述的硅熔液薄层结晶生成薄板硅晶体。由于液态衬底物质对硅熔液/硅晶体的支撑作用，容易形成表面平整的薄板硅。本发明的生长薄板硅晶体的方法中，不采用固体模具或提拉线即可形成硅熔液薄层，生长过程中不存在破坏晶体结构的物质，从而生成的薄板硅结晶颗粒大，生成的薄板硅面积大，产量高；在有单晶硅片引导的前提下，可生产薄板单晶硅
一种生长薄板晶体方法

[发明专利]连续制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺及其设备-CN201811025555.6有效
发明人：董秀奇 -专利权人：福建省杰豪半固态泵压科技有限责任公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明提供连续制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺，以铝液和硅液为原料，其中铝液占总量的20‑70％，连续制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料，将铝液和硅液充分混合形成液态高硅铝合金或者将其冷却形成高硅铝合金半固态浆料其连续制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的设备，包括制浆机、第一保温炉、保温炉盖、铝液供给装置、硅液供给装置、压力系统、输出管以及冷却装置，所述第一保温炉包括上部分以及下部分，所述冷却装置设置于上部分的区域，所述制浆机穿过保温炉盖伸入第一保温炉内下部分，所述输出管一端伸入保温炉内的上部分，位于冷却装置上方，所述压力系统分别与铝液供给装置以及硅液供给装置连接。
连续制备液态铝合金或者固态浆料工艺及其设备

[发明专利]一种硅粉的回收方法及其制备的硅锭-CN201810882564.0在审
发明人：王贯勇;高志国 -专利权人：贵州中水材料科技有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅粉的回收方法及其制备的硅锭，涉及二次资源再利用技术领域，用于回收硅粉，实现资源的二次利用。该硅粉的回收方法包括准备原料；利用碳棒对原料进行加热至熔融状态形成硅液，熔炼的温度为A，1450℃≤A≤1850℃；取出所述碳棒，再次加入与碳棒同等体积的原料；在硅液内至少加入一次造渣剂，造渣剂用于将硅液中的杂质吸附在硅液表面，造渣剂占硅液的重量百分百为H1，0.2％≤H1≤0.3％；扒除吸附到所述硅液表面的杂质；将硅液与沉淀在硅液底部的沉淀渣分离；将所述硅液冷凝形成硅锭。本发明实现了硅粉到硅锭的转化，避免了粉状硅进入废料浆，进而一方面保护了环境，另一方面资源得到了二次利用，也为下一步的提纯工作做出来相应的准备。
一种回收方法及其制备

[发明专利]一种可去除含碳杂质的太阳能级硅晶体的制备方法-CN200910099619.1无效
发明人：李乔;马远 -专利权人：浙江碧晶科技有限公司
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种可去除含碳杂质的太阳能级硅晶体的制备方法，包括将带有含碳杂质的硅原料置入晶体提拉炉内的坩埚内，加热使坩埚内的硅原料熔化并使硅熔液与SiO₂接触，保持硅熔液温度1420～1750℃，调整硅熔液表面的真空度使得含碳杂质与SiO₂的反应加速，并导致硅熔液表面波动或鼓泡，使生成的SiO和CO逸出；控制硅熔液温度在1410～1500℃之间，调节硅熔液表面真空度使硅熔液表面停止波动或鼓泡，通过籽晶诱导制备硅晶体。本发明制备方法可采用高碳含量的多晶硅原料生产出低碳含量的硅晶体，减少生产硅单晶时断棱(失去单晶结构)的概率，提高产品的质量和成品率。
一种去除杂质太阳能级晶体制备方法