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[发明专利]一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法-CN202310750838.1在审
发明人：李俊国;徐阳平;李美娟;王传彬;沈强 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C8/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种高温液相渗硅制备高硅硅钢片的方法，包括：S1.原料准备：以高硅铁硅合金为硅源，以低硅硅钢片为基片，以Ag为介质；S2.将Ag置于硅源和基片之间形成硅源/Ag/基片扩散偶，将扩散偶于1100～1200℃、惰性气氛下烧结使Ag完全熔化，在硅源与基片之间形成液态Ag介质，渗硅一定时间，得到高硅硅钢片。本发明以低硅硅钢片作为基片，在硅源和基片中间引入熔融Ag作为液相介质，通过高温扩散渗硅的过程，在液相介质中硅源处与基片处建立合适的Si浓度梯度，可以提高基片表面Si含量，还能控制液相介质中的渗硅速率。
一种高温液相渗硅制备硅钢片方法

[发明专利]一种将硅与杂质进行分离的方法-CN201010158893.4有效
发明人：丁俊;尚召华;何亮 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： B07B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及光伏或半导体领域中一种将硅和杂质进行分离的方法，采用造渣、扒渣的方法来分离硅中的碳化硅或氮化硅杂质，其操作步骤为：将混有杂质的硅料加热至硅液状态；向混有杂质的硅液中加入造渣剂，造渣剂与杂质反应；造渣剂与杂质反应后形成的反应物和残留的各种杂质分布在上层形成渣层，硅液分布在下层，对位于硅液上层的渣层进行扒渣，使得渣层与硅液分开，完成硅与杂质的分离；本发明能够实现硅与碳化硅或氮化硅杂质的分离，分离得到的硅料可以作为光伏电池的原材料进行再利用，同时本发明适用于批量处理，降低了分离硅中的杂质所需的处理周期。
一种杂质进行分离方法

[实用新型]一种多晶硅生产过程中的三氯氢硅提纯装置-CN202222134714.4有效
发明人：郭婷;赵长森;牛强;徐凯;韩婷婷 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司;内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型属于多晶硅工业生产技术领域，提供了一种多晶硅生产过程中的三氯氢硅提纯装置，包括依次串联的脱轻塔、络合吸附装置、粗馏单元、CPS吸附装置和精馏单元；脱轻塔用于将液相粗氯硅烷通入脱轻塔得到液相粗三氯氢硅；络合吸附装置用于对脱轻塔排出的液相粗三氯氢硅进行络合吸附处理；粗馏单元用于将络合吸附装置排出的三氯氢硅液进行粗馏处理；CPS吸附装置用于将粗馏单元排出的三氯氢硅液进行CPS吸附处理；精馏单元用于将CPS吸附装置排出的三氯氢硅液进行精馏提纯。本实用新型通过对络合吸附、CPS吸附和精馏工艺的优化结合，高效降低三氯氢硅中的B、P等杂质含量，同时降低精馏系统运行成本。
一种多晶生产过程中的三氯氢硅提纯装置

[发明专利]单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片-CN03808958.0有效
发明人：布施川泉;大国祯之;三田村伸晃;太田友彦;胜冈信生 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2003-04-23 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28°以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在±5℃以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提高以无位错育成单晶的成功率的同时，即使是结晶方向为200mm的大直径高重量的单晶硅。
单晶硅制造方法以及晶片

[发明专利]用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀设备及方法-CN202211634944.5在审
发明人：吴彦飞;张晓明;李玲玲;丁亚国;顾彦滨;王浩;马全森 -专利权人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀设备，其包括滚筒，滚筒设置固定同一硅产品的固定槽倾斜设置，滚筒内安装硅产品后浸入酸液中对硅环等硅产品进行刻蚀，使设置在硅产品高深宽比的小孔孔径延伸方向和酸液液面形成一定的倾斜角度，使酸液能够浸入倾斜小孔内，小孔表壁的硅与刻蚀液发生反应之后生成气体，气体在刻蚀液中形成气泡，气泡在浮力作用下沿着小孔壁向上溢出，同时会补充新的酸液进入小孔的底部进行反应，可以使小孔底部与小孔顶部保持相同的反应速率本申请还提供一种用于具有高深宽比小孔硅产品的刻蚀方法。
用于具有高深小孔产品刻蚀设备方法

[发明专利]一种氧化铝生产方法-CN202310525898.3在审
发明人：张志军;午泽俊;王勇;李海勇 -专利权人：中铝山西新材料有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01F7/47 文献下载
摘要：本发明涉及氧化铝生产技术领域，提供一种氧化铝生产方法，包括：脱硅种子、调整液与烧结法粗液按1:(2‑4):(10‑15)搅拌混合停留形成混合液，初始脱硅种子为拜耳法赤泥，调整液为NK浓度为185～235g/L、ak为3.2～3.8的种分母液；混合液经离心泵送入套管加热器预热；预热后混合液搅拌停留脱硅，脱硅压力1.0～1.5MPa；停留脱硅后液体三次沉降分离洗涤，三次沉降分离洗涤槽底流硅渣与拜耳法赤泥按1：(3‑6)形成新脱硅种子循环使用；一次沉降分离洗涤槽溢流经叶滤、分解、过滤、焙烧，得氧化铝。本发明能够增强烧结法粗液的脱硅效果，提升氧化铝生产的效率与产品品质，降低氧化铝生产的成本。
一种氧化铝生产方法

[发明专利]一种提高介质熔炼中石墨坩埚使用寿命的方法-CN201310328676.9有效
发明人：谭毅;张磊;侯振海;王登科;刘瑶 -专利权人：青岛隆盛晶硅科技有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：石墨坩埚放置于炉体内，石墨坩埚和石墨坩埚中安装有感应线圈，方法如下：（1）先将石墨保护环固定在石墨坩埚上沿，然后向石墨坩埚内加入工业硅；（2）开启感应线圈，加热使工业硅熔化成硅液，在石墨坩埚的中心轴处立放入石墨柱，使得硅液液面上升；（3）向石墨坩埚内继续添加工业硅，控制感应线圈升高温度，使熔化后的硅液液面高度高于石墨坩埚壁上沿，但低于石墨保护环的上沿，再加入造渣剂，使其表面仍然低于石墨保护环的上沿，从而进行熔炼；（4）熔炼结束后，硅液与石墨坩埚反应得到碳化硅涂层，然后取出石墨柱和石墨保护环，降低温度后倒出硅液。
一种提高介质熔炼石墨坩埚使用寿命方法

[实用新型]具硅液溢出安全保护装置的多晶硅炉-CN200920232986.X无效
发明人：文林;范钦满;王泽平;管文礼 -专利权人：管悦
申请日： 2009-07-27 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：一种具硅液溢出安全保护装置的多晶硅炉，设有炉体，炉体内设有保温笼，装料坩埚放置在保温笼底部的承接台上，在保温笼内设有上加热器和下加热器，保温笼设有四周笼体、上盖和底板，上加热体与保温笼的上盖固定，下加热体设置在承接台与保温笼的底板之间，在保温笼的底板的中部设有热门，在热门的下面设有冷却板，在冷却板的下面炉体的底部设有铜质硅液溢流承接器。在坩埚硅液溢出的情况下，硅液沿保温笼的笼体与底板的接缝处、以及从热门缝隙处流到硅液溢流承接器上，承接器使硅液很快结晶，将损失降低到最低点。另外再通过测控装置起到两级安全保护，本实用新型设计合理，结构简单，能有效避免硅液对炉体的损伤和人身伤害。
具硅液溢出安全保护装置多晶

[发明专利]一种用于优化黑硅表面结构的处理液及处理方法-CN201510651827.3在审
发明人：刘长明;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于优化黑硅表面结构的处理液和处理方法，所述处理液包括以下组分：刻蚀剂1重量份；缓冲剂1重量份～15重量份；氧化剂1重量份～15重量份；水20重量份～400重量份；所述刻蚀剂为氢氟酸。本发明提供的处理液通过刻蚀剂、缓冲剂和氧化剂的协同作用，使处理液能够缓慢而均匀的对黑硅表面结构进行优化，去除黑硅表面损伤和悬挂键，降低黑硅表面结构的复合速率。本发明采用上述处理液将黑硅进行表面处理，得到优化后的黑硅表面结构，在保证黑硅具有较低反射率的同时，能够提高黑硅相应电池效率和相应组件功率。
一种用于优化表面结构处理方法

[发明专利]一种低反射率单晶硅及其制绒方法-CN202210584182.6在审
发明人：李玉琼;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝实业有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及涉及一种低反射率单晶硅及其制绒方法，属于光电核心材料制备领域。本发明通过将单晶硅置于40‑80℃的制绒液中，在10K‑60K Hz的超声功率下，处理2‑40Min；处理期间单晶硅在制绒液中以100‑1000r/min的转速旋转。在本发明中通过控制单晶硅的旋转使单晶硅与制绒液均匀接触，并实现单晶硅与制绒液接触面处制绒液浓度控制和温度控制；另外，在超声处理的作用下能避免在单晶硅表面形成“掩膜”。通过本发明制备得到一种表面密布椭球型结构且椭球型结构表面遍布沟壑的低反射率单晶硅。
一种反射率单晶硅及其方法

[发明专利]间断制备液态或半固态高硅铝合金的工艺及其设备-CN201811026540.1有效
发明人：董秀奇 -专利权人：福建省杰豪半固态泵压科技有限责任公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： B22D1/00 文献下载
摘要：本发明提供间断制备液态或半固态高硅铝合金的工艺，以铝液和硅液为原料，其中铝液占总量的22‑70%，间断制备液态或半固态高硅铝合金，将铝液和硅液充分混合形成液态高硅铝合金或者将其冷却形成高硅铝合金半固态浆料其间断制备液态或半固态高硅铝合金的设备，用于间断制备液态或半固态高硅铝合金，包括制浆机、保温炉、保温炉盖、回流陶瓷管、输出管以及冷却装置，所述制浆机穿过保温炉盖伸入保温炉内，所述回流陶瓷管设置于保温炉内
间断制备液态固态铝合金工艺及其设备

[发明专利]一种铝硅中间合金及其制备方法-CN200810242697.8无效
发明人：毕祥玉 -专利权人：毕祥玉
申请日： 2008-12-30 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝硅中间合金及其制备方法，由主料和辅料制成，主料为原铝液和结晶硅；辅料为精炼剂、覆盖剂、重熔铝锭，按重量百分比合金组成为：结晶硅中硅含量为97-99％，原铝液中硅含量为0.01-0.1％合金和原铝液的投入量(以10T炉计算)：原铝液7-7.5T，结晶硅2-2.16T，铝锭0.5-0.8T，精炼剂、覆盖剂适量。其优点是：该种铝硅中间合金是利用原铝液来生产铝硅中间合金的方法达到节能环保的目的。从而大大降低了投资成本，缩短生产周期，简化了生产工艺，降低了加工成本。
一种中间合金及其制备方法

[实用新型]一种用于液体雾化的硅基发热雾化芯-CN202220161851.4有效
发明人：李文翔;王敏锐 -专利权人：美满芯盛（杭州）微电子有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： A24F40/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于液体雾化的硅基发热雾化芯，包括：硅衬底、隔离层、加热丝和钝化保护层，硅衬底上设置有储液腔，硅衬底表面设置有位置对应储液腔的硅膜部，硅膜部上设置有阵列排布的雾化微通道，雾化微通道连通至储液腔，隔离层制作在硅衬底表面，加热丝制作在隔离层上，加热丝的端部设置有接触电极，钝化保护层制作在加热丝上，钝化保护层上设置有位置对应接触电极的避让孔。本实用新型相较于现有技术，衬底采用硅材料，安全可靠，易于加工，雾化芯锁液、储液能力强，提高加热丝加工良率，雾化芯加热丝的电阻稳定性高，雾化效果好。
一种用于液体雾化发热

[发明专利]一种从硅切割废渣中去除铝元素的方法-CN202010216031.6在审
发明人：胡效亚;黄贺;嵇正平;于继明 -专利权人：江苏新效新材料科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：一种从硅切割废渣中去除铝元素的方法，涉及锂离子电池负极材料和太阳能级硅切割废料的回收技术领域。先将硅切割废渣分散于酸性溶液中，控制pH值至0.5～3后，再加入氢氟酸进行反应，再采用浮选法取得位于上层的去除铝元素的含硅颗粒的分散液。本发明采用氢氟酸去除硅表面的氧化层，此时疏水的硅暴露在外，再采用浮选法，向含有硅颗粒水中鼓小气泡，硅颗粒被吸附在小气泡表面，并被带至液面表面，及时收集液面表层的硅颗粒，而有一定亲水性的树脂颗粒及氧化铝不易被气泡带至液面表层，此过程可有效地将铝元素与硅颗粒分离。
一种切割废渣去除元素方法

[发明专利]一种半导体器件制备用清理设备及清理方法-CN202310014981.4在审
发明人：陈实;胡旺安;张峰峰;程浩 -专利权人：深圳市宸悦存储电子科技有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制备清理技术领域，具体为一种半导体器件制备用清理设备及清理方法，包括箱体，所述箱体内壁固定安装有定位架，所述定位架对硅柱体进行限位，所述箱体左侧开设有圆孔；所述箱体内部上侧固定连接有切割机通过硅颗粒过滤单元对冷却液中的硅颗粒进行过滤，再通过承载单元带动硅颗粒过滤单元转动，从而更换对冷却液过滤的硅颗粒过滤单元，避免冷却液中的硅颗粒对硅颗粒过滤单元造成堵塞，导致硅颗粒过滤单元的过滤效果变差，从而定时更换硅颗粒过滤单元，避免硅颗粒过滤单元被柜颗粒堵塞，降低对冷却液的过滤效率的情况。
一种半导体器件制备清理设备方法