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[发明专利]一种烧结法粗液脱硅方法-CN00113390.X无效
发明人：李小斌;宋培凯;彭志宏;李旺兴;刘桂华;江新民;朱显德;吕子剑;张剑辉;常虎成 -专利权人：中南工业大学;中国长城铝业公司
申请日： 2000-04-26 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： C01F7/04 文献下载
摘要：一种烧结法粗液脱硅方法，包括粗液的一段常压脱硅、一次分离、二段常压脱硅、二次分离。利用本发明对Al₂O₃浓度为110～240g/L的硅液进行常压脱硅，脱硅后一次脱硅液的硅量指数在300左右，一段常压脱硅过程中浆液的稳定性好，沉降性能好，底流压缩液固比较小；采用含钙添加剂对Al₂O₃浓度为90～240g/L的铝酸钠溶液，在90～120℃进行深度脱硅可以获得硅量指数为800以上的二次脱硅液，生成的钙硅渣具有良好的沉降分离性能
一种烧结法粗液脱硅方法

[发明专利]一种从酸液中除硅的方法-CN202110378310.7有效
发明人：吴劲;陈米雪;巴琪;李多 -专利权人：南京水滴智能环保装备研究院有限公司;昆山中环科本科技发展有限公司;江苏环保产业股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C02F1/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种从酸液中除硅的方法，包括以下步骤：1)在含硅酸液中加入γ‑氧化铝进行除硅反应1200分钟，或600分钟，并控制所述除硅反应的过程中温度保持在80摄氏度，或50摄氏度；2)再将经所述除硅反应后的酸液进行过滤，得到净化酸液；3)除硅反应的产物硅酸铝(Al2O3·xSiO2·yH2O)可用作防火材料，例如在玻璃工业上用作筑玻璃窑，实现酸液除硅过程零排放。本发明可从酸液中直接除硅，简单高效；γ‑氧化铝不溶于有机酸，可选择性地吸附酸液中的溶硅，生成不溶于有机酸的硅酸铝，通过固液分离实现从酸液中除硅而净化酸液；除硅产物硅酸铝可用作防火材料，无污泥产生，达到酸液除硅过程零排放；净化酸液中无除硅药剂残留。
一种酸液中方法

[发明专利]一种脱硅粉煤灰及其制备方法和应用-CN201710182164.4有效
发明人：公彦兵;孙俊民;高志军;洪景南;许学斌;王娜;李运改 -专利权人：大唐国际发电股份有限公司高铝煤炭资源开发利用研发中心
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种脱硅粉煤灰及其制备方法和应用。该脱硅粉煤灰的制备方法，包括以下步骤：1)将高铝粉煤灰与第一碱液混合后进行一次常压脱硅，经液固分离后得到一次脱硅液和一次滤饼；2)采用酸液浆洗一次滤饼，浆洗产物经液固分离后得到酸洗滤饼和酸洗滤液；3)将酸洗滤饼与第二碱液混合后进行二次常压脱硅，经液固分离后得到二次脱硅液和脱硅粉煤灰。上述脱硅粉煤灰的制备方法，以高铝粉煤灰为原料，通过采用两段常压脱硅与酸洗相结合的温和湿法方式进行脱硅，降低了反应压力，减少了设备投资成本，提高了脱硅效率及脱硅粉煤灰的铝硅比，有利于后续提取氧化铝。
一种粉煤及其制备方法应用

[发明专利]电子束分次诱导凝固去除硅中金属杂质的方法-CN201810929984.X在审
发明人：邵京;石爽;王凯;任世强 -专利权人：大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及电子束分次诱导凝固去除硅中金属杂质的方法，属于多晶硅提纯技术领域。本发明包括以下步骤：硅料熔化；硅液倾倒；诱导定向凝固；固液分离：将照射凝固坩埚的电子枪功率升高，使硅表层附近高杂质浓度区域再次熔化；迅速将照射凝固坩埚的电子枪关闭，将凝固坩埚倾斜，使熔化的硅液倾倒进入废液坩埚中，之后将凝固坩埚恢复水平位置；本发明利用电子束分次诱导硅定向凝固，每一次硅料熔化、硅料熔炼、硅液倾倒、诱导定向凝固、固液分离为一个独立过程，通过诱导凝固将金属杂质富集在末端液相区，再通过倾倒的方式实现固液分离，获得的硅锭金属杂质去除效果好。
诱导熔化凝固坩埚电子束定向凝固固液分离金属杂质倾倒硅液凝固电子枪硅料去除照射金属杂质去除独立过程废液坩埚浓度区域提纯技术多晶硅高杂质硅表层液相区熔炼次硅富集硅锭升高恢复

[发明专利]多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法-CN201310242978.4无效
发明人：安广野;谭毅;姜大川 -专利权人：青岛隆盛晶硅科技有限公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅定向凝固领域，具体涉及一种多晶硅定向凝固诱导流动抑制杂质反扩散的方法，在真空环境下将多晶硅原料加热熔化形成硅液，然后充入氩气，通过拉锭机构对硅液进行定向凝固，当硅液定向凝固到75～85%时，开启真空泵抽气，使得硅液表面凝固成一层硅壳；再用石英玻璃棒在硅壳表面进行破碎，破碎成一个开口，硅液中的挥发性气体杂质受到负压的影响带动硅液不断从开口中溢出并在硅壳上凝固；当定向凝固全部完成后，切去多晶硅铸锭的上层，剩余部分即为提纯后的多晶硅铸锭。本发明能够通过简单有效的方法，有效的分离多晶硅铸锭和金属杂质，并且抑制金属杂质反扩散，从而减少切除的尾部废料。
多晶定向凝固诱导流动抑制杂质扩散方法

[发明专利]一种电场与熔盐作用下制备高纯多晶硅的方法-CN201210214263.3无效
发明人：褚君浩;徐璟玉;蒋君祥;熊斌;丁杰;戴宁 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C30B30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电场和熔盐作用下制备高纯多晶硅的方法，具体是指在多晶硅定向凝固的晶体生长过程中，在硅液和电极之间设置熔盐层，将电极与硅液隔开，在电场作用下硅液中的杂质向电极方向迅速迁移，当到达熔盐与硅液的界面时，与熔盐发生反应而被吸收，同时熔盐层保护电极不被硅液腐蚀。该方法不仅能有效避免电极对硅液的污染，还能提高定向凝固工艺的除杂能力和硅锭的利用率。
一种电场作用制备高纯多晶方法

[发明专利]制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置-CN201610145580.2有效
发明人：赵雅;赵枫;赵卫东;朱广和;费春燕;赵霞;王燕;李向华 -专利权人：江苏东鋆光伏科技有限公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置及其制备方法包括药箱，纯水箱，碱液箱，去多孔硅液工作池，备液池，纯水清水池，去多孔硅溶液过滤处理池，药液预加热器，药气、液配制自动控制器，纯水预加热器，纯水加入自动控制器，去多孔硅液过滤处理池，碱液预加热器，碱液配制自动控制器，备液恒温加热器，备液恒温冷却器，去多孔硅工作池液位自动控制器，去多孔硅池溶液浓度自动控制器，去多孔硅工作池溶液流量自动控制器，机械手，去多孔硅浸洗时间控制器，纯水清洗喷淋头，纯水清洗喷林管，纯水恒压恒温装置，去多孔硅工作池溢流口，工作参数显示屏，操作台，换液导流口，废纯水排流口，废去多孔硅溶液池，废纯水池。
电池表面多孔高效自动清除装置

[实用新型]制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置-CN201620196736.5有效
发明人：赵枫;赵雅;赵卫东;朱广和;费春燕;赵霞;王燕;李向华 -专利权人：江苏东鋆光伏科技有限公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种制绒电池片表面多孔硅高效自动清除装置：包括药箱，纯水箱，碱液箱，去多孔硅液工作池，备液池，纯水清水池，去多孔硅溶液过滤处理池，药液预加热器，药气、液配制自动控制器，纯水预加热器，纯水加入自动控制器，去多孔硅液过滤处理池，碱液预加热器，碱液配制自动控制器，备液恒温加热器，备液恒温冷却器，去多孔硅工作池液位自动控制器，去多孔硅池溶液浓度自动控制器，去多孔硅工作池溶液流量自动控制器，机械手，去多孔硅浸洗时间控制器，纯水清洗喷淋头，纯水清洗喷林管，纯水恒压恒温装置，去多孔硅工作池溢流口，工作参数显示屏，操作台，换液导流口，废纯水排流口，废去多孔硅溶液池，废纯水池。
电池表面多孔高效自动清除装置

[实用新型]一种硅铸锭炉的硅液溢流保护装置-CN202220290040.4有效
发明人：颜复环;张定辉;石红喜 -专利权人：伊犁金晶硅业有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅铸锭炉的硅液溢流保护装置，硅液溢流承接装置底面均匀开设有散热通孔，硅液溢流承接装置底面支柱左右两侧均固定装配有散热风扇，硅液溢流承接装置外壁固定装配有水冷散热结构，水冷散热结构的水冷管道外壁设有制冷设备，硅液溢流承接装置外壁设有溢流警报结构；采用的硅液溢流承接装置底面设有散热通孔，通过散热风扇配合进行散热，使得较少的溢流出现时能够被及时冷却并形成硬质层；采用的溢流警报结构对渗入环形槽内部的硅液进行及时感应并进行警报，同时控制器控制水冷散热结构启动，对硅液溢流承接装置进行高效冷却，避免硅液进一步外溢，制冷设备保证水冷散热结构的持续性。
一种铸锭溢流保护装置

[实用新型]一种单晶硅棒拉制装置-CN202222214385.4有效
发明人：陈永康;朱永刚;董升;李侨;任伟康;刘阳;杜婷婷 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种单晶硅棒拉制装置，所述单晶硅棒拉制装置包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置于所述炉体内，用于容纳硅液，以从所述硅液中生长单晶硅棒；换热器，所述换热器设置在所述炉体内，且位于所述坩埚的上方；热屏，所述热屏套设在所述换热器外，且与所述换热器之间形成间隙；以及，环状的磁控装置，所述磁控装置嵌设于所述换热器与所述热屏之间的间隙内，且靠近所述硅液设置，以在所述硅液内形成磁场。本申请实施例中，所述磁控装置可以在所述硅液内形成磁场，抑制所述硅液内部的热对流，降低所述硅液中的杂质含量，提高所述单晶硅棒的拉晶品质。而且，无需改变现有的单晶硅棒装置的原有部件即可实施，通用性较好，实施成本较低。
一种单晶硅拉制装置

[发明专利]多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及分离设备-CN201310210006.7有效
发明人：谭毅;石爽;任世强;姜大川 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及分离设备。本发明多晶硅铸锭硅真空固液分离方法包括以下步骤：将硅料在容器内熔化成熔融硅料；拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时，抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳体；通过压杆挤压壳体，所述壳体内部硅液在压力作用下沿着壳体和容器接触缝隙处或者壳体上较薄弱的地方被挤压出，待硅液全部被挤出停止压杆挤压壳体，被挤出硅液在壳体之上凝固，实现上部富集杂质铸锭和下部较高纯度铸锭的分离。本发明在保证富集杂质硅液与高纯度铸锭的分离的同时，抑制反向扩散，同时方便切除富集杂质的铸锭，提高多晶硅生产中的出成率。
多晶铸锭真空分离方法设备

[发明专利]有机硅裂解反应中真空系统气态有机硅的吸收方法-CN202210325027.2在审
发明人：周文博;渠国忠;常忠;陈震 -专利权人：内蒙古恒星化学有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B01D53/14 文献下载
摘要：本申请提供一种有机硅裂解反应中真空系统气态有机硅的吸收方法，利用液环真空泵对有机硅裂解反应釜抽真空，以无机碱液为液环真空泵中的工作液，在抽真空过程中进入液环真空泵中的气态有机硅与液环真空泵内的无机碱液接触，使得气态有机硅溶解于无机碱液中，实现对真空系统气态有机硅的吸收，以此避免气态有机硅冷凝于泵体内，影响真空泵的工作。
有机硅裂解反应真空系统气态吸收方法

[发明专利]一种低硅电解铝液及其制备方法-CN201611090651.X有效
发明人：姜海涛;汤昌廷;周平;禹玉江 -专利权人：山东南山铝业股份有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C25C3/18 文献下载
摘要：一种低硅电解铝液及其制备方法，涉及一种电解铝液生产技术领域，该制备方法是使用低硅预焙阳极作为阳极组装电解槽，该低硅预焙阳极中的硅含量为100ppm～200ppm；再利用电解槽生产电解铝液，该制备方法工艺简单，可显著降低电解铝液硅含量，有效提高电解铝液品质；制得的低硅电解铝液中硅含量控制在0.03％以下，可满足高品质铝液的需求。
一种电解铝及其制备方法

[实用新型]一种热场及单晶炉-CN202221997146.4有效
发明人：向鹏;杨宇昂;熊波 -专利权人：四川晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种热场及单晶炉，热场包括底板、填充块和承载盒，填充块设置于底板，沿热场的高度方向，承载盒设置在填充块远离底板的一面上，当热场发生硅液渗漏时，承载盒用于承接渗漏的硅液，使硅液停滞降温，当硅液继续渗漏到填充块时，硅液进一步降温，使硅液能够在到达底板之前降温凝固，从而降低硅液烫穿底板损坏其他设备的可能，从而降低热场的维护成本。
一种单晶炉

[发明专利]一种多晶硅快速凝固方法-CN201310533033.8有效
发明人：姜大川;任世强;石爽;李鹏廷;谭毅 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅逆向凝固方法，属于多晶硅生产领域。一种多晶硅快速凝固方法，包括备料、熔炼、凝固的步骤，所述凝固步骤按下述方法进行：将置于多晶硅逆向凝固装置中硅液进行定向凝固，当剩余的硅液体积为初始体积的1%～25%时，停止凝固；使温度为0～500℃的水冷铜板与剩余的硅液接触直至剩余的硅液凝固本发明提供的多晶硅快速凝固方法，当水冷铜板进入硅液上表面后形成强大的过冷度，保证硅液迅速凝固并且产生较大应力，容易破碎，抑制杂质的反向扩散便于后期处理。
一种多晶快速凝固方法