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- [发明专利]硅晶圆的蚀刻方法-CN202180034174.8在审
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大西邦明
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信越半导体株式会社
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2021-03-02
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2022-12-30
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H01L21/306
- 本发明是一种硅晶圆的蚀刻方法，其包含旋转蚀刻工序，所述旋转蚀刻工序一边通过供给喷嘴对硅晶圆的表面或背面供给酸蚀刻液，一边使所述硅晶圆旋转，从而使所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述硅晶圆的表面或背面的整面以进行酸蚀刻，在开始硅晶圆的旋转之前，向从供给喷嘴供给的酸蚀刻液在供给喷嘴的正下方与所述硅晶圆的表面碰撞的碰撞喷流区域内滴加至少含有氢氟酸和硝酸的混合酸，用所述混合酸覆盖所述碰撞喷流区域后，开始所述硅晶圆的旋转，以进行所述旋转蚀刻工序由此，可提供一种硅晶圆的蚀刻方法，其于旋转蚀刻方式的蚀刻中，可加快碰撞喷流区域中的蚀刻速度。
- 硅晶圆蚀刻方法
- [发明专利]一种晶圆传输装置及方法-CN202210699074.3在审
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顾文
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上海福赛特机器人有限公司
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2022-06-20
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2022-09-13
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H01L21/677
- 本发明公开了一种晶圆传输装置，包括：硅盒上位模组，包括硅盒传输组件和硅盒寻边组件，所述硅盒传输组件用于将硅盒传入或者传出硅盒寻边组件，所述硅盒寻边组件用于将硅盒旋转至设定朝向；晶圆上位模组，包括晶圆传输组件和晶圆寻边组件，所述晶圆传输组件用于将晶圆传输至所述晶圆寻边组件上，所述晶圆寻边组件用于将晶圆旋转至设定朝向；第一搬运组件，用于将设定朝向的晶圆放置在设定朝向的硅盒中。本发明提供的一种晶圆传输装置及方法，能够自动实现硅盒传输和寻边以及晶圆传输和寻边，能够实现晶圆传输自动化，且能按照预设角度进行晶圆放置，提高了晶圆传输效率，并配置FUU防止晶圆在传输过程中污染。
- 一种传输装置方法
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