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[发明专利]一种硅基磁光非互易条形光波导-CN202011526381.9在审
发明人：郝寅雷;牛梦华;邓鑫宸;车录锋;杨建义 -专利权人：浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基磁光非互易条形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的条形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易条形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI条形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
一种硅基磁光非互易条形波导

[发明专利]一种硅基磁光非互易脊形光波导-CN202011526413.5在审
发明人：郝寅雷;牛梦华;邓鑫宸;车录锋;杨建义 -专利权人：浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基磁光非互易脊形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：脊形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的脊形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易脊形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI脊形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
一种硅基磁光非互易脊形光波导

[发明专利]异构单芯片单向注入锁定半导体激光器及其制备方法-CN202210141450.7在审
发明人：冯琛;周帅;廖苗苗;彭芳草;张靖;段利华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明涉及异构单芯片单向注入锁定半导体激光器及其制备方法，包括：在硅晶圆上制备硅直波导和微环，形成硅基微环芯片；并在硅基微环芯片与光放大芯片键合的部位制备锁模结构；反向生长光放大芯片的外延结构并同硅基微环芯片键合；对光放大芯片进行减薄；制作光放大芯片的宽脊波导；制备绝热耦合器；制作共面电极；在硅基微环芯片的微环上方集成磁光晶体并制作磁光芯片电极。本发明中，将磷化铟基、硅基以及钇铁石榴石三种材料通过晶圆键合方式得到异构单芯片单向注入锁定半导体激光器，单芯片实现光、电隔离的同时，实现高效率光耦合；为单向注入锁定激光器平面集成化制造提供了一种可行的制备方法
异构单芯片单向注入锁定半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器及其制备方法-CN201910357331.3有效
发明人：杨庆;罗曼丹;何彦霄;刘仁远 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基微环谐振器的磁场传感器，包括硅衬底、二氧化硅层、直波导、环形波导以及磁光薄膜。通过在磁光薄膜外施加外磁场，改变磁光材料的介电常数，使得所述基于硅基微环谐振器的磁场传感器的输出谐振峰发生漂移，实现磁场测量。具有稳定性高、尺寸微型化、抗电磁干扰能力强、制作成本低的特点。
一种基于硅基微环谐振器磁场传感器及其制备方法

[实用新型]一种硅基异质集成的非互易损耗偏移型光学薄膜隔离器-CN202320166782.0有效
发明人：陈钊;吉晨;孙珍珍;任晓宁;黎嘉平 -专利权人：渚羽科技（杭州）有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基异质集成的非互易损耗偏移型光学薄膜隔离器，包括硅基层、二氧化硅层、III‑V薄膜层、脊波导和磁光材料层，上述硅基层、上述二氧化硅层、上述III‑V薄膜层和上述脊波导从下到上设置，上述磁光材料层设于上述脊波导侧壁上；此薄膜隔离器属于底功低功耗型器件，在硅平台上具有高集成度，这能够大大降低制造成本，其截面与硅基异质集成激光器有相似的结构，可以直接与激光器集成，无需进行光路校准，提高光传输效率。
一种硅基异质集成易损偏移光学薄膜隔离器

[发明专利]基于异构集成的单向注入锁定半导体激光器-CN202210142350.6在审
发明人：冯琛;廖苗苗;周帅;刘尚军;段利华;张靖 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异构集成的单向注入锁定半导体激光器，包括硅基微环芯片，所述硅基微环芯片上设有直通硅波导和微环，所述硅基微环芯片上对应直通硅波导两端的位置处分别键合有主激光器芯片和从激光器芯片，所述直通硅波导的两端分别与主激光器芯片和从激光器芯片耦合；所述微环位于直通硅波导的一侧，所述微环的上方键合有磁光芯片，所述磁光芯片用于在通电时产生磁场使微环出现非互易相移特性。本发明中，利用电磁场作用下微环结构的非互易相移特性实现主从激光器之间光隔离功能，实现异构集成单芯片单向光注入锁定激光器，解决了目前单向注入锁定激光器耦合难、效率低、封装成本高、体积大等难题。
基于集成单向注入锁定半导体激光器

[发明专利]一种基于硅基集成磁光环行器的光学全双工收发组件-CN202010380891.3有效
发明人：毕磊;严巍;刘书缘;秦俊;张燕;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成磁光环行器的光学全双工收发组件。本发明中的硅基集成磁光环行器件结构采用硅基集成的马赫‑曾德尔干涉结构或硅基集成的微环结构，结合互易与非互易移相对收发信号的相位进行调控，达到分离收发信号的目的。最终本发明大大降低了整体组件的尺寸及制备成本，改善了整体组件对回波信号的耦合性能；有效规避了在分立光学探测组件中存在的装调误差和低信噪比等问题，并提供了硅基集成磁光环行器、激光器、光探测器和激光天线一起集成的更优的技术方案
一种基于集成环行器光学双工收发组件

[发明专利]一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器-CN202211108748.4在审
发明人：毕磊;吴迪;严巍;宋潇逸;秦俊;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器。本发明通过在氮化硅磁光波导器件的磁光波导上制备金属导线和软磁材料薄膜，实现利用微弱的电流控制软磁材料薄膜的磁化方向，进而控制磁光波导磁化方向的效果，从而达到在氮化硅波导平台上以低功耗控制光强的效果。本发明对氮化硅波导平台低功耗的光调制功能实现具有重要意义。
一种基于电磁铁氮化硅基磁光调制器

[发明专利]硅基光探测器阵列结构-CN201710207630.X在审
发明人：李文刚 -专利权人：江苏尚飞光电科技有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基光探测器阵列结构，所述硅基光探测器阵列结构包括：多个硅基光探测器，多个所述硅基光探测器呈阵列分布，且各所述硅基光探测器之间相隔一定的间距；深槽，位于相邻所述硅基光探测器之间，以切断相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰路径本发明通过在相邻所述硅基光探测器之间形成深槽，可以切断相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基光探测器阵列结构边缘的所述硅基光探测器的光电流和位于所述硅基光探测器阵列结构中心的所述硅基光探测器的光电流相接近
硅基光探测器光探测器阵列光电流串扰深槽结构边缘结构中心阵列分布减小相隔

[发明专利]一种铁硅铝复合磁粉芯及其制备方法-CN201810378830.6在审
发明人：瞿德林;王久如;王晓祥;李丛俊 -专利权人：天长市中德电子有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01F1/147 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁硅铝复合磁粉芯，其原料包括：铁硅铝磁粉芯、铁基非晶磁粉芯、脱膜剂、粘接剂。本发明还提出铁硅铝复合磁粉芯的制备方法，包括如下步骤：将Si、Al、Ti、Fe，加入真空炉中熔炼后，浇成铸锭，在氮气气氛下经破碎、球磨、过筛制得铁硅铝磁粉芯；将铁基非晶薄带脆化处理后，在氮气气氛下经球磨、过筛制得铁基非晶磁粉芯；将铁硅铝磁粉芯和铁基非晶磁粉芯中加入脱膜剂及粘接剂混合均匀，模压成型制得胚体后，经热处理制得铁硅铝复合磁粉芯。本发明制得铁硅铝复合磁粉芯的磁导率高和磁芯损耗小，综合性能优异。
复合磁粉芯铁硅铝铁硅铝磁粉芯铁基非晶磁粉芯脱膜剂粘接剂过筛球磨制备铁基非晶薄带热处理磁芯损耗脆化处理模压成型综合性能磁导率真空炉熔炼胚体铸锭破碎

[发明专利]一种突发发送的硅光调制器装置及控制方法-CN202111133501.3有效
发明人：刘新峰;王志军;强亮 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种突发发送的硅光调制器装置，包括发连续光的激光光源、硅光器件及控制单元，所述硅光器件包括硅基光调制器、硅基光开关、硅基监控光电二极管，其中：所述激光光源处于连续发光模式；在没有数据发送时，所述控制单元生成调制器偏压控制信号并根据接收自硅基监控光电二极管的监测信号调整硅基光调制器的工作参数，从而保证正常发送数据时发送波形稳定；在有数据发送时，所述控制单元生成光开关控制信号控制所述硅基光开关打开允许硅基光调制器输出的调制后的光信号通过本发明还提供了相应的突发发送的硅光调制器装置的控制方法。
一种突发发送调制器装置控制方法

[发明专利]一种硅基光电子异质集成互连模组-CN202011577275.3有效
发明人：薛海韵;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光电子异质集成互连模组结构，包括：载片；第一电芯片；所述第一电芯片正装贴片埋入在所属载片中；第一硅基光芯片，所述第一硅基光芯片正装贴片埋入在所属载片中，所述第一硅基光芯片的厚度大于所述第一电芯片的厚度；第一电互联结构，所述第一电互联结构电连接所述第一硅基光芯片至所述第一电芯片；第二电芯片；所述第二电芯片正装贴片埋入在所属载片中；第二硅基光芯片，所述第二硅基光芯片正装贴片埋入在所属载片中，所述第二硅基光芯片的厚度大于所述第二电芯片的厚度；第二电互联结构，所述第二电互联结构电连接所述第二硅基光芯片至所述第二电芯片；以及光互连结构，所述光互联结构形成所述第一硅基光芯片至所述第二硅基光芯片的光信号互联通路。
一种光电子集成互连模组

[发明专利]一种硅基集成光接收芯片的封装结构-CN202310585098.0有效
发明人：骆瑞琦;马蔚;刘冠东;刘楠;刘陶然 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基集成光接收芯片的封装结构，包括硅基光接收芯片、载体晶圆和外功能芯片；其中，所述硅基光接收芯片用于对接收的光载波信号进行分解得到多个单波长光信号，对单波长光信号进行波长调控，并将波长调控后的单波长光信号转化为电信号；在所述载体晶圆上集成硅基光接收芯片和外功能芯片，其中，在载体晶圆内部设置有金属电路，通过金属电路将硅基光接收芯片和外功能芯片相连；所述外功能芯片用于向所述硅基光接收芯片施加电压使得硅基光接收芯片能够对单波长光信号进行波长调控，还用于获得和放大硅基光接收芯片输出的电信号。该封装结构能够使得硅基光接收芯片在保证波长可调的同时保证了高速信号的质量。
一种集成接收芯片封装结构

[实用新型]复合光源数字投影装置-CN201620823752.2有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合光源数字投影装置，由第一光源、第一硅基液晶阵列、第二光源、第二硅基液晶阵列、合光镜、投影光组和壳体组成。第一硅基液晶阵列在合光镜右侧，与合光镜的基面成45°角。第二硅基液晶阵列在合光镜下方，与合光镜的基面成45°角。合光镜的基面与投影光组主面成45°角。第一硅基液晶阵列和第二硅基液晶阵列型号相同。本实用新型采用双硅基液晶阵列结构，实现了将两光源无时间间隔地复合投影，结构紧凑，工作噪音较低，适用于成像设备曝光速度要求高的场合。
复合光源数字投影装置

[发明专利]一种硅基芯片调节装置、耦合装置及耦合方法-CN202011444859.3有效
发明人：严杰;傅焰峰 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基芯片调节装置，用以对硅基芯片与光器件进行耦合，包括调整机构、夹持机构、过渡PCB板以及吸取机构。调整机构具有可调节的配合台；夹持机构安装在配合台上，形成有固定部和夹持部，夹持部对硅基芯片形成夹紧状态或松开状态；过渡PCB板设置在固定部上，与硅基芯片电连接；吸取机构可调节地设置在配合台上，调整吸取机构位置以靠近硅基芯片，使吸取机构吸取硅基芯片；通过调整机构调整配合台的位置，进而调整硅基芯片的位置，使硅基芯片与光器件进行耦合。同时还提供了一种硅基芯片耦合装置及耦合方法，在硅基芯片与光器件耦合时可以调整硅基芯片以及光器件的位置，提高了硅基芯片和光器件的耦合效率以及器件性能。
一种芯片调节装置耦合方法

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