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[发明专利]电子部件及其制造方法-CN202110691163.9有效
发明人： 桑岛一;大塚隆史;大桥武;奥山祐一郎 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缓和由温度变化引起的内部应力的电子部件。电子部件(1)具备：平坦化层(3)，覆盖基板(2)的表面；导体层(M1)，设置于平坦化层(3)上，包含下部电极；电介质膜(4)，由与平坦化层(3)不同的材料构成，覆盖平坦化层(3)及导体层(M1)；上部电极，经由电介质膜(4)层叠于下部电极；以及绝缘层(I1)，覆盖导体层(M1)、电介质膜(4)以及上部电极。绝缘层(I1)的外周部不经由电介质膜(4)而与平坦化层(3)相接。这样，由于绝缘层(I1)的外周部与平坦化层(3)相接，因此作为平坦化层(3)的材料，通过选择相对于绝缘层(I1)的密合性比电介质膜(4)低的材料，能够在该部分释放由温度变化引起的内部应力。
电子部件及其制造方法

[发明专利]多层配线结构体及其制造方法-CN201910271674.8有效
发明人： 桑岛一;西川朋永;大塚隆史;大桥武;奥山祐一郎;山谷学 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种防止籽晶层的破坏引起通孔导通不良的多层配线结构体，具备：导体图案(P1a)，设于配线层(L1)并包含主导体层(13)；层间绝缘膜(61)，覆盖配线层(L1)，具有露出导体图案(P1a)一部分的开口部(61a)；导体图案(P2a)，设于配线层(L2)并经开口部(61a)与导体图案(P1a)连接。导体图案(P2a)包含与层间绝缘膜(61)相接的籽晶层(21、22)和设于籽晶层(21、22)由与主导体层(13)相同的金属材料构成的主导体层(23)。籽晶层(21、22)在开口部(61a)的底部被部分地除去，由此在开口部(61a)的底部主导体层(13)和主导体层(23)不经籽晶层(21、22)相接。主导体层(13)和主导体层(23)具有直接接触的部分因而通孔不会导通不良。
多层结构及其制造方法

[发明专利]电子部件及其制造方法-CN202110061537.9在审
发明人：吉川和弘;吉田健一;大塚隆史;奥山祐一郎;大桥武;桑岛一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明在具有在基板上交替层叠有多个导体层和多个绝缘层的构造的电子部件中，提高从侧面的散热性。电子部件(1)具备基板(2)、在基板(2)上交替层叠的多个导体层(M1～M4)以及多个绝缘层(11～14)。多个绝缘层(11～14)的侧面(11s～14s)具有比基板(2)的侧面(2s)更后退的凹部(11a～14a)和从凹部(11a～14a)突出的凸部(11b～14b)。凹部(11a)被由无机绝缘材料构成的电介质膜(4)覆盖。这样，由于绝缘层(11～14)的侧面(11s～14s)具有凹凸形状，因此侧面(11s～14s)的露出面积增加。由此，能够提高从侧面(11s～14s)的散热性。而且，能够通过设置于凹部(11a)的电介质膜(4)提高刚性，并且能够保护绝缘层(11)。
电子部件及其制造方法

[发明专利]电子部件及其制造方法-CN202110022120.1在审
发明人：奥山祐一郎;大桥武;桑岛一;大塚隆史;吉川和弘;吉田健一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明在具有在基板上交替层叠有多个导体层和多个绝缘层的构造的电子部件中，提高从侧面的散热性。电子部件(1)具备基板(2)、在基板(2)上交替层叠的多个导体层(M1～M4)以及多个绝缘层(11～14)。多个绝缘层(11～14)的侧面(11s～14s)具有比基板(2)的侧面(2s)后退的凹部(11a～14a)和从凹部(11a～14a)突出的凸部(11b～14b)。这样，由于绝缘层(11～14)的侧面(11s～14s)具有凹凸形状，因此侧面(11s～14s)的露出面积增加。由此，能够提高从侧面(11s～14s)的散热性。
电子部件及其制造方法

[发明专利]LC复合部件-CN201510284236.7有效
发明人：户田慎一郎;桑岛一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明所涉及的LC复合部件具备1个以的上电感器、1个以上的电容器、磁性层、基板。基板具有第1面、与第1面为相反侧的第2面。磁性层是以与基板的第1面相对的形式被配置的。1个以上的电感器被配置于基板的第1面与磁性层之间。在垂直于基板的第1面的方向上，基板的厚度大于磁性层的厚度。基板的复数导磁率的实部和虚部分别小于磁性层的复数导磁率的实部和虚部。
lc 复合部件

[发明专利]定向耦合器-CN201310041422.9有效
发明人：三岳幸生;桑岛一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：一种耦合器，是在层叠基板具备能够传送高频信号的第一线路、与第一线路电磁场耦合的第二线路、在第一线路的一端所具备的第一口、在第一线路的另一端所具备的第二口、在第二线路的一端所具备的第三口、以及在第二线路的另一端所具备的第四口的耦合器，在第一导体层，配置第一线路和第二线路，形成通过在第一导体层内将第一线路与第二线路以相互接近并平行地延伸的方式配置从而在第一线路与第二线路间产生电磁场耦合的层内耦合部，并且形成通过以存在从平面看时与配置在第一导体层的第一线路重叠的部分的方式将第二线路引绕到第二导体层内而在第二导体层内的第二线路与第一导体层内的第一线路之间产生电磁场耦合的层间耦合部。
定向耦合器

[发明专利]方向性耦合器和无线通信装置-CN201210265531.4有效
发明人： 桑岛一;藤原俊康;大山直人;津谷好和;佐佐木正美 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明提供方向性耦合器和无线通信装置，方向性耦合器具有传送发送信号的主线路；将发送信号输入至主线路的输入端；从主线路输出发送信号的输出端；与主线路电磁场耦合而取出发送信号的一部分的副线路；在副线路的一端部所具备的耦合端；以及在副线路的另一端部所具备的隔离端；在副线路与耦合器之间，具备具有作为低通滤波器的功能的低通滤波器部。
方向性耦合器无线通信装置

[发明专利]电子元件及其制备方法-CN200810092374.5有效
发明人： 桑岛一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01F27/29 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子元件及其制备方法。该电子元件设置有第一导体；用于覆盖第一导体的表面的绝缘体；贯穿绝缘体的通孔；位于所述绝缘体的表面上并且通过所述通孔与所述第一导体电连接的第二导体；以及包括具有导电性的防护膜，所述防护膜被插入在所述第一导体和第二导体之间，并且通过至少从构成所述通孔的底面的第一导体表面连续地延伸到通孔的内壁表面，覆盖介于所述第一导体和在通孔内的绝缘体之间的界面。
电子元件及其制备方法

[发明专利]电子元件及其制备方法-CN200810086903.0有效
发明人： 桑岛一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01F27/29 文献下载
摘要：一种电子元件，由多个导电膜和多个绝缘膜层压而成，其具有引出电极，该引出电极引出暴露于该绝缘膜外，用于建立与另外的电极的连接。该电子元件包括被构造以覆盖该引出电极和覆盖内导体的绝缘膜之间的界面的防护膜。该防护膜是对脱脂剂、镀敷液、溶剂、蚀刻液、表面活性溶液等具有耐受性，以及具有耐湿性、耐蚀刻性、耐气体渗透性和耐腐蚀性的无机膜或导电膜。
电子元件及其制备方法

[发明专利]电子元件及其制备方法-CN200810086906.4有效
发明人： 桑岛一;大久保等;太田学 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：一种电子元件的制备方法，包括：用粘性片将衬底与支撑板临时粘合的步骤；通过为该衬底提供在厚度方向上从位于第一表面侧相对的第二表面侧延伸至该支撑板的一定部分的切口，形成用于将该衬底分成单独芯片的切割槽的步骤，在各芯片的第二表面上和位于切割槽内的周围表面上，通过例如溅射法形成连续电极的步骤；和将该芯片与支撑板分离的步骤。可以在临时粘合步骤之前，在该衬底的第一表面上形成电极，在周围表面上形成的电极可以与第一表面上的电极连接。
电子元件及其制备方法

[发明专利]掩模装置及电子器件的制造方法-CN200710167599.8无效
发明人： 桑岛一;大久保等 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明的掩模装置具有：包括一张以上的隔板并具有可容纳芯片的内腔的掩模基体；以及配置在掩模基体的上下面，并具有与要形成在芯片的外表面上的电极的形状对应的形状的成膜开口，而且可通过该成膜开口对芯片的外表面有选择性地进行成膜掩模板。上述内腔具有与芯片的成膜状态下的高度尺寸大致相同的深度尺寸，从而可包围容纳在内部的芯片的周围，在其内面具有与成膜开口连通的成膜槽，由此，可与芯片的成膜状态下的上下面同时在芯片周面上形成电极。可在电子器件(芯片)的多个外表面上同时形成电极而减少工序数。
装置电子器件制造方法

[发明专利]电子器件-CN200710102992.9有效
发明人： 桑岛一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-05-08 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明目的在于提供能高精度地获得电容元件的电容值的电子器件。该电子器件(1)具有形成在衬底(51)的平坦化层(52)上的下部导体(第1导体)(21)、形成在下部导体(21)上的介质膜(31)及形成在介质膜(31)上的、比下部导体(21)薄的上部导体(第2导体)(23)。电容元件(11)由下部导体(21)、介质膜(31)及上部导体(23)构成。
电子器件

[发明专利]薄膜器件-CN200710092197.6有效
发明人： 桑岛一;宫崎雅弘;古屋晃 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明的薄膜器件具有器件主体和四个端子电极。器件主体具有四个侧面，各端子电极以与各侧面的一部分接触的方式配置。器件主体包括：用于构成第一无源元件的下部导体层和用于构成第二无源元件的上部导体层。在器件主体的侧面，下部导体层的端面和上部导体层的端面电连接并且物理连接。端子电极与下部导体层的端面以及上部导体层的端面接触，从而连接在下部导体层以及上部导体层。
薄膜器件

[发明专利]薄膜器件-CN200710084174.0有效
发明人： 桑岛一;宫崎雅弘;古屋晃;伊东正弘 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-02-17 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：薄膜器件具有：衬底；在该衬底上依次层叠的绝缘层、下部导体层、电介质膜、绝缘层、上部导体层以及保护层；四个端子电极。四个端子电极与上部导体层端面的一部分、以及与该端面连续的上部导体层上表面的一部分接触。保护膜具有4个凹部。这些凹部为从保护膜的外缘中与这些凹部对应的部分以外的部分向内侧凹陷的形状，并使上部导体层上表面的与四个端子电极接触的一部分露出。四个凹部放置四个端子电极的一部分。
薄膜器件

[发明专利]薄膜器件-CN200710084169.X有效
发明人： 桑岛一;伊东正弘;宫崎雅弘;古屋晃 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-02-17 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：一种薄膜器件，具有衬底、在该衬底上依次层叠的绝缘层、多个下部导体层、电介质膜、绝缘层、多个上部导体层以及保护膜、以及多个端子电极。一个端子电极与一个下部导体层连接。一个下部导体层具有比绝缘层的侧面进一步向侧向突出的突出部。端子电极具有放置突出部的至少一部分并与其接触的凹部，并且，与绝缘层的侧面相接触。
薄膜器件

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