专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]太阳能电池返工工艺-CN202110684410.2有效
  • 缪强;蒋红彬;常宇峰;于亚春;刘小红;曲凯;杨恒春;庞国峰 - 苏州潞能能源科技有限公司
  • 2021-06-21 - 2022-11-25 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种太阳能电池返工工艺,包括如下步骤:对镀膜返工进行酸洗并干燥;将酸洗的返工与未镀膜返工一起在工序进行二次清洗;对二次清洗的返工进行二次;将二次的返工按照常规工艺进行生产本发明增加了二次清洗工艺,该工艺利用产线现有工序设备进行生产,不增加设备成本投入,工艺流程与原产线工艺流程变更不多,可以利用产线原有药液进行生产,对产线辅料成本增加不多。而经过二次清洗的返工,可以最大化的去除硅片上的氧化层、划伤、脏污等残留,消除二次时对硅片表面面的影响,提高返工电池的转换效率、良率。
  • 太阳能电池返工工艺
  • [发明专利]一种单晶色斑返工方法-CN201110446728.3无效
  • 侯为来;王卫军;王庆钱 - 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司
  • 2011-12-28 - 2012-06-27 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种单晶色斑返工方法,包括扩散炉高温、超声波清洗、、酸洗、漂洗、甩干等处理。具体如下:(1)将色斑分选后置于不通源的扩散炉中,在一定温度范围内进行处理若干分钟;(2)将高温处理的色斑置于去离子水中进行超声波清洗;(3)将清洗的硅片置于具有一定浓度的碱和IPA混合溶液中,在一定温度范围的槽进行碱;(4)将重新制的硅片经过酸洗、漂洗及甩干结束。本发明提供的处理晶硅太阳能电池出现的色斑的方法,能够有效的消除色斑现象,得到的面均匀,提高返工的转换效率,有效地降低了生产成本。
  • 一种单晶色斑片返工方法
  • [发明专利]一种多晶硅线痕方法-CN201210576671.3无效
  • 许颖;武涛;赵钊;陈招银;郑炜 - 太阳能光伏北京市工程研究中心有限公司
  • 2012-12-26 - 2013-04-10 - H01L31/18
  • 本发明涉及一种多晶硅线痕方法,包括以下步骤:(1)在8℃~10℃恒温槽内配制硝酸和氢氟酸的混合溶液,该混合溶液为液;(2)将多晶硅线痕进行装载,然后在液中清洗,清洗1~3分钟;(3)清洗,将多晶硅线痕依次进行纯水清洗、碱洗、第二次纯水清洗、去离子清洗以及第三次纯水清洗过程,然后将硅片在温度为40℃的空气下烘干,最后将硅片卸载,得到的硅片。本发明的有益效果为:工艺过程简单,便于操作,使用抛光和一步处理,大大缩短了反应时间,同时处理的多晶硅线痕表面形成均匀面,有效去除了切割所产生的线痕,有利于提高太阳能电池的工作效率,提高了电池的吸光能力
  • 一种多晶硅线痕片方法

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