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[实用新型]一种宫颈癌放射性治疗用单管施源器操作手柄-CN201721904280.4有效
发明人：周星 -专利权人：泸州柯瑞特布洛克科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： A61M36/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宫颈癌放射性治疗用单管施源器操作手柄，包括管体、锁紧件、角度调整翼，所述管体为圆柱形，管体中心轴向设有圆形的通道，管体头部设有用于连接施源器的插槽，管体尾部连接有锁紧件，管体靠近尾部处设有角度调整翼本实用新型便于操作单管施源器，能够固定后装机的施源管，避免施源管移位，定位准确，能够方便观测和调整施源器的角度。
施源器单管管体本实用新型放射性治疗操作手柄角度调整宫颈癌锁紧件源管管体中心轴定位准确管体头部管体尾部移位插槽装机观测

[实用新型]一种换热器-CN201621311996.9有效
发明人：郭亮;周齐;鲍燕娟;张小江 -专利权人：深圳市瑞升华科技股份有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： F28D7/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种换热器，包括筒本体、上盖体、下盖体、冷源管和置于冷源管内的热源管，冷源管和热源管在筒本体径向边缘沿轴向呈上下迂回布置；上盖体和/或下盖体上设有至少一个供冷源管和热源管共同穿过的通孔；上盖体和下盖体分别活动卡持在筒本体上部和下部。通过将热源管置于冷源管内，并将冷源管和热源管在筒本体径向边缘沿轴向呈上下迂回布置，通过使上盖体和下盖体分别卡合在筒本体上部和下部，从而形成一体式结构的换热器，增大了热源管与冷源管的接触面积，提高了热源的散热效率
一种换热器

[实用新型]一种食道后装施源器-CN201820557313.0有效
发明人：吴树强 -专利权人：吴树强
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种食道后装施源器，包括施源管、第一囊体和第二囊体。第一囊体设于施源管的一端，第一囊体连接有第一管体，第一管体与施源管的管壁相贴合；第二囊体设于施源管与第一管体的外周，第二囊体上连接有第二管体，第一囊体和第二囊体由弹性材料制成，第一囊体和第二囊体内充气体或液体时能够做弹性形变充涨变大本实用新型的装置，第一囊体充涨变大，堵在胃中，防止施源器在治疗时脱出；第二囊体置于食道中，对第二囊体充气后，第二囊体膨胀减少对正常食道黏膜的损害，第一囊体和第二囊体未膨胀时体积较小，与施源管的外径基本一致，较为服帖，便于将施源器插入食道，第一囊体和第二囊体充气体或液体后体积才会变大，方便实用。
囊体源管食道管体本实用新型后装施源器充气体施源器弹性形变食道黏膜第二管体膨胀充气管壁贴合脱出外周体内膨胀治疗损害

[发明专利]混合等离子体源阵列-CN202210560233.1在审
发明人：龙茂林 -专利权人：北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种等离子体源阵列。等离子体源阵列包括设置在基板上的多个混合等离子体子源。每个混合子源包括：具有内部区域和外部表面的介电管；感应耦合等离子体源，感应耦合等离子体源用于产生感应耦合等离子体并靠近介电管的外部表面设置；电容耦合等离子体源，电容耦合等离子体源用于产生电容耦合等离子体并设置在介电管的内部区域内；以及，气体注入系统，气体注入系统被配置为提供一种或多种工艺气体到介电管的内部区域。还提供了包含等离子体源阵列的等离子体处理设备和使用方法。
混合等离子体阵列

[实用新型]一种无源辐射模组和电子设备-CN202020884654.6有效
发明人：张永龙 -专利权人：歌尔智能科技有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H04R1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无源辐射模组和电子设备，无源辐射模组包括无源辐射器和管体，所述管体的端部具有出音端口，所述管体的侧壁设有安装通孔，所述出音端口和所述安装通孔之间形成传音通道，所述无源辐射器安装于所述安装通孔所述管体呈扁平状，所述管体包括相对设置的两个扁平面，所述安装通孔设于所述扁平面。所述管体还设有支耳，所述支耳设有固定孔。所述管体为一体注塑成型。上述无源辐射模组，占用空间较小，且无源辐射模组能够方便稳固地安装于电子设备的内部。
一种无源辐射模组电子设备

[实用新型]施源器支架-CN201520360777.9有效
发明人：刘浩;王新;李公平;曹耀峰;穆塔力普江;阿布都吾甫尔;刘江平 -专利权人：新疆医科大学附属肿瘤医院
申请日： 2015-05-30 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：一种在验证测量近距离放疗剂量分布过程中对施源器起固定作用的施源器支架。它是以“凹”形水箱作为外层模体，在水箱的凹槽内嵌入施源器支架组件和垫片。测量时，施源器被施源器支架组件和垫片固定。该施源器支架包含直肠施源器支架组件、阴道管支架组件、宫腔管支架组件。直肠施源器支架组件由14片开了圆孔的长方体薄片构成，阴道管支架组件由2片表层开有可正好容纳阴道管的槽的长方体薄片和19片表层开了可容纳部分阴道管长方体薄片的构成，宫腔管支架组件由表层开有可正好容纳宫腔管的长方体薄片构成，分别固定直肠施源器、阴道管和宫腔管，便于用二维矩阵计量仪从施源器的横截面、冠状面和矢状面测量剂量分布。
施源器支架

[实用新型]一种挤塑机出料冷却装置-CN202021696834.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：台春节能新材料（苏州）有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： B29C48/885 文献下载
摘要：本实用新型公开一种挤塑机出料冷却装置，属于挤塑机技术领域；包括装置管体；装置管体底端嵌接有环座，装置管体左右两端分别贯通设置有入料管与出料口，装置管体中嵌入设置有内管，内管与入料管、出料口互通；装置管体上端设置有冷源盒，冷源盒与装置管体之间贯通设置有若干个连接塞头，冷源盒左侧插接有冷源接头，冷源接头内侧贯通设置有循环管，循环管与冷源盒内壁卡接，循环管上横向等间距分布有液塞，液塞下端与连接塞头互通，液塞上端贯通设置有液压头；内管内侧环形布置有若干环形垫层，该种冷却装置能以冷源介质沿装置中环形分布的接触管道，来对经过原料进行物理接触换热，保证了该装置的冷却效率与适用性。
一种挤塑机出料冷却装置

[发明专利]金属源极功率晶体管及其制造方法-CN200580030944.2无效
发明人： J·P·辛德 -专利权人：斯平内克半导体股份有限公司
申请日： 2005-07-15 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种金属源极功率晶体管器件和制造方法，其中，金属源极功率晶体管具有由金属制成的源极，并且该源极与晶体管的体区域和沟道区域形成肖特基势垒。金属源极功率晶体管无条件地免受寄生双极作用影响，并且因此无需体接触就可避免回跳和闭锁效应。允许体区域在金属源极功率晶体管中漂移的能力降低了工艺复杂性，并且允许更紧凑的器件布局。
金属功率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种正压输送粉料装置-CN201911391016.9有效
发明人：张庆耀;谢瑜玲 -专利权人：安徽正亚环保科技有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B65G53/16 文献下载
摘要：本发明涉及粉体物料输送的技术领域，尤其涉及一种正压输送粉料装置，该装置包括泵体、设置在泵体下方的混流仓、穿过泵体伸入到混流仓的输送内管、一端伸入到混流仓内的主气源管，主气源管与输送内管在混流仓内的端部相对设置，所述泵体内的靠下位置设置有流化组件，所述流化部件侧边的泵体与混流仓之间通过物料喷射组件将泵体内的粉料喷射到输送内管和主气源管之间，主气源管内的气源正压将粉料吹送到输送内管中并排出泵体。该发明的优点在于：本发明通过进入泵体的粉料在流化组件的作用下通过物料喷射组件将物料喷射到输送内管和主气源管之间，主气源管中正压气体直接作用在粉料上，方式简单，操作方便，实现正压粉料输送。
一种正压输送装置

[发明专利]背面半导体生长-CN201780049283.0有效
发明人： S·格科特佩里;R·哈蒙德 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种集成电路结构可以包括位于由隔离层支撑的正面半导体层上的晶体管。晶体管是第一源极/漏极/体部区域。集成电路结构还可以包括耦合到晶体管的第一源极/漏极/体部区域的背面的凸起的源极/漏极/体部区域。晶体管是凸起的源极/漏极/体部区域，凸起的源极/漏极/体部区域从第一源极/漏极/体部区域的背面朝向支撑隔离层的背面电介质层延伸。集成电路结构可以进一步包括耦合到凸起的源极/漏极/体部区域的背面金属化部。
背面半导体生长

[发明专利]一种分栅结构的功率晶体管-CN201711058078.9有效
发明人：毛振东;刘磊;袁愿林;刘伟;王睿 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种分栅结构的功率晶体管，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、第三栅极、体二极管和体区接触二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述体区接触二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述体区接触二极管的阴极与所述源极连接，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第一电流沟道的开启和关断，所述第二栅极、第三栅极与所述源极连接，所述第二栅极通过源极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第二电流沟道的开启和关断，所述第三栅极为屏蔽栅极并通过源极电压来提高该分栅结构的功率晶体管的耐压
一种结构功率晶体管

[发明专利]一个晶体管的DRAM单元结构及其形成方法-CN200780038309.8有效
发明人： J·D·伯纳特;B·A·温斯蒂亚德 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种一个晶体管的动态随机存取存储器(DRAM)单元，包括：晶体管(10)，具有第一源极/漏极区(26)、第二源极/漏极区(24)、在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的体区(36)、以及在体区之上的栅极所述第一源极/漏极区包括与体区的肖特基二极管结，并且所述第二源极/漏极区包括与体区的n-p二极管结。
一个晶体管 dram 单元结构及其形成方法

[发明专利]体开关电路-CN202210561338.9在审
发明人：丹尼尔·帕斯蒂·苗尼;亚尔莫·韦内尔 -专利权人：北欧半导体公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明涉及体开关电路，该体开关电路包括：第一晶体管，该第一晶体管耦合到负载并且具有耦合到源极电压的源极以及耦合到漏极电压的漏极；第二晶体管和第三晶体管，该第二晶体管和该第三晶体管与第一晶体管并联地彼此串联耦合在源极电压与漏极电压之间，其中，第一晶体管的体与第二晶体管和第三晶体管的体耦合，其中，第二晶体管的栅极经由第一阻抗电路耦合到源极电压并且第三晶体管的栅极经由第二阻抗电路耦合到漏极电压，以形成由源极电压和漏极电压控制的比较器开关并且将源极电压与漏极电压中的较大者动态地切换到负载
开关电路

[发明专利]一种粉料上料系统以及上料方法-CN201610647280.4有效
发明人：袁勇;石声涛;张咸科 -专利权人：长沙惠工智能科技股份有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B65G65/00 文献下载
摘要：本发明公开一种粉料上料系统及其上料方法，本发明公开的一种粉料上料系统包括车牌识别系统、过磅系统以及上料系统；上料系统包括中央控制系统、气源系统、若干仓体；车牌识别系统与过磅系统均与中央控制系统相连；气源系统设有若干气源端，气源端与仓体的数量以及位置一一对应；仓体设有打灰管；打灰管设有打灰管囊阀；打灰管设有打灰管限位开关；气源端设有气源电磁阀；气源端设有气源端限位开关；打灰管囊阀、打灰管限位开关、气源电磁阀以及气源端限位开关均与中央控制系统相连
一种粉料上料系统以及方法

[实用新型]一种粉料上料系统-CN201620853907.7有效
发明人：袁勇;石声涛 -专利权人：长沙惠工智能科技股份有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： B65G67/24 文献下载
摘要：本实用新型公开一种粉料上料系统，包括车牌识别系统、过磅系统以及上料系统；上料系统包括中央控制系统、气源系统、若干仓体；车牌识别系统与过磅系统均与中央控制系统相连；气源系统设有若干气源端，气源端与仓体的数量以及位置一一对应；仓体设有打灰管；打灰管设有打灰管囊阀；打灰管设有打灰管限位开关；气源端设有气源电磁阀；气源端设有气源端限位开关；打灰管囊阀、打灰管限位开关、气源电磁阀以及气源端限位开关均与中央控制系统相连。
一种粉料上料系统

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