“清洗工序”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1132991个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种多级变压脉冲清洗系统的清洗方法-CN201810612505.1有效
发明人：周治任;张流波;王安德;曹小军 -专利权人：深圳市美雅洁技术股份有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多级变压脉冲清洗系统的清洗方法，主要包括以下工序：工序一补液：将被清洗物件放入清洗舱中，关闭清洗舱盖，补充清洗液；工序二加热：当清洗液达到设定液位后，开启加热器升温至45℃～55℃；工序三真空脉冲罐抽：打开抽罐阀，开启真空泵抽压，真空罐内部形成高负压时，先打开气破阀，再打开脉冲阀，清洗液瞬间灌入真空罐内，形成正向脉冲冲刷，工序四真空脉冲回抽：关闭抽罐阀、气破阀和脉冲阀，打开抽真空阀，开启真空泵抽压，清洗舱内部形成高负压时，开启罐破阀和脉冲阀，真空罐内的清洗液瞬间反冲入清洗舱内，形成反向脉冲冲刷。本发明节省人工，操作简便，清洗效果好。
一种多级变压脉冲清洗系统方法

[发明专利]一种滤芯新型清洗工艺及清洗设备-CN201910388554.6在审
发明人：王连吉;王志勇;张俊峰;黄承志 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明属于清洗技术领域，提供了一种滤芯新型清洗工艺及清洗设备，其清洗工序为：真空超声波旋转碳氢粗洗、真空超声波旋转碳氢精洗、气相清洗及真空干燥。本工艺使用不同频率的超声波清洗滤芯上不同位置和大小的污染物，在两道清洗工序中，滤芯在超声波声场中进行自转，超声波的作用更均匀，清洗效果更好。本工艺设有真空干燥工序，对滤芯进行气相清洗和干燥，进一步强化清洗效果，干燥彻底。本工艺设有清洗液过滤‑蒸馏‑冷凝工序，清洗液可循环利用，成本低，污染小。
滤芯真空超声波清洗工序清洗工艺清洗设备清洗效果清洗液碳氢清洗真空干燥工序超声波清洗超声波声场冷凝工序清洗技术蒸馏超声波可循环自转粗洗精洗过滤污染物污染

[发明专利]一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法-CN201911116899.2有效
发明人：檀柏梅;高宝红;杨柳;殷达;马腾达;孙晓琴;王亚珍 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明为一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法。该方法包括如下步骤：在CMP设备上，将清洗液通入当化学机械抛光机完成常规硅片抛光工序的抛光工作后，更换抛光盘，打开清洗液管路，关闭抛光液管路，进入清洗工序；完成清洗工序后，关闭清洗液管路，打开去离子水管路，通入去离子水，进行去离子清洗；最后取出硅片，氮气吹干15‑30s，完成抛光及清洗工序。本发明清洗方法工艺简单，无二次污染，实现了抛光与清洗一体化，减少专门清洗设备的投入，并提高了清洗效率。
一种利用 cmp 设备进行硅片清洗方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体基板的清洗方法-CN200980113209.6有效
发明人：大见忠弘;寺本章伸;长谷部类;宫下雅之 -专利权人：国立大学法人东北大学;斯特拉化工公司
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在半导体基板等的清洗中，需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法，其包括：利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2-丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有机物的第三工序。第三工序后，照射氪气等稀有气体的等离子体，将来源于表面活性剂的有机物进一步除去。
半导体装置制造方法清洗

[发明专利]医疗器具清洗方法及医疗器具清洗装置-CN201180034700.7无效
发明人：山本弘明;方志教和;田村孔一;南朴木孝至 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： A61B19/00 文献下载
摘要：为了高效地清洗至医疗器具的细部，在实施了液体清洗工序（31）后实施臭氧气体清洗工序（34）。
医疗器具清洗方法装置

[发明专利]表面处理装置以及表面处理方法-CN201880046602.7在审
发明人：井村了太 -专利权人：新东工业株式会社
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： B24C1/10 文献下载
摘要：在第一确认工序中，对被搬入到进行预清洗工序、喷丸硬化工序以及后清洗工序的各工序的区域(20A、42A、74A)中的被处理对象物(W)的个数进行计数，并且对该被处理对象物(W)的表面的状态进行检测。另外，在第二确认工序中，对从进行预清洗工序、喷丸硬化工序以及后清洗工序的各工序的区域中被搬出的被处理对象物(W)的个数进行计数，并且对该被处理对象物(W)的表面的状态进行检测。
表面处理装置以及方法

[发明专利]气凝胶粉末的制造方法及使用该方法的隔热材料-CN202180073453.5在审
发明人：吴则庆;李官益 -专利权人：国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C01B33/16 文献下载
摘要：本发明的气凝胶粉末的制造方法具备：混合工序，使硅烷氧化物(TEOS(四乙氧基硅烷))与溶剂(甲醇)混合，并使其水解而生成溶胶；凝胶化工序，使在上述混合工序中获得的溶胶凝胶化；熟成工序，对在上述凝胶化工序中获得的凝胶进行熟成而获得湿润凝胶(醇凝胶)；溶剂置换工序，将上述湿润凝胶的溶剂置换成规定的置换用溶剂(己烷)；修饰工序，使用TMCS并利用规定的有机基对上述湿润凝胶的网状构造的表面进行修饰；清洗工序，对通过上述湿润凝胶生成工序而获得的修饰完毕的湿润凝胶进行清洗；干燥工序，使上述清洗后的修饰完毕的湿润凝胶干燥；以及粉碎工序，对上述干燥后的清洗完毕且修饰完毕的湿润凝胶进行粉碎。
凝胶粉末制造方法使用隔热材料

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201611122368.0有效
发明人：亀山悟;味冈正树;大木周平 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：所述制造半导体装置的方法包括半导体区域形成工序、清洗工序、表面粗糙度均匀化工序和电极形成工序。作为半导体区域形成工序，形成半导体区域，以使得具有不同离子注入量的多个半导体区域暴露在半导体基板的一个主表面上。作为清洗工序，在半导体区域形成工序之后，使用氢氟酸在半导体基板的所述一个主表面上进行清洗。作为表面粗糙度均匀化工序，在清洗工序之后，使半导体基板的所述一个主表面的表面粗糙度均匀化。作为电极形成工序，在表面粗糙度均匀化工序之后，在半导体基板的所述一个主表面上形成电极。
制造半导体装置方法

[发明专利]一种再生涤纶织物的染整方法及一种再生涤纶织物-CN201110074315.7有效
发明人：单苗苗;许畅;沈伟;钱君楠;杨启东;黄伟国 -专利权人：上海嘉麟杰纺织品股份有限公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： D06P3/52 文献下载
摘要：一种再生涤纶织物的染整方法，包括依次进行的以下工序：a)前处理工序；b)染色工序；c)清洗工序；d)热定型工序；e)拉毛工序；染色工序的染色温度为120～135℃，清洗工序所采用的清洗剂是酸性还原清洗剂
一种再生涤纶织物染整方法

[发明专利]基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质-CN201580054389.0有效
发明人：中森光则;野中纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基板处理方法，进行以下工序：液体处理工序，利用处理液对基板进行液体处理；冲洗处理工序，利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理；以及疏水处理工序，利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理，接着，进行清洗处理工序，利用功能水对进行疏水处理后的所述基板进行清洗处理，之后，进行乙醇处理工序，使乙醇接触进行清洗处理后的所述基板，之后，进行干燥处理工序，使所述基板干燥。通过清洗处理工序来去除残留在进行疏水处理后的基板的表面的杂质。
液体处理方法装置以及存储有基板程序计算机可读介质

[发明专利]基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质-CN201580054445.0有效
发明人：中森光则;南辉臣;大石幸太郎;野中纯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基板液体处理方法，进行以下工序：液体处理工序，利用处理液对基板进行液体处理；冲洗处理工序，利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理；以及疏水处理工序，利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理，接着，进行以下工序：置换处理工序，利用置换促进液对进行疏水处理后的所述基板进行置换处理；以及清洗处理工序，利用清洗液对进行疏水处理后的所述基板进行清洗处理，之后，进行干燥处理工序，利用挥发性比所述清洗液的挥发性高的干燥液来置换所述清洗液
液体处理方法装置以及存储有基板程序计算机可读介质

[发明专利]清洗装置和喷枪的清洗方法-CN202210337543.7在审
发明人：长友佑太;野北航;小田雄一;田畑公秀;锅田武志 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种清洗装置和喷枪的清洗方法。清洗装置(10)具有：箱体(20)；清洗喷嘴(42)，其用于向喷枪(14)喷出清洗液；空气喷嘴孔(541)，其用于向喷枪(14)喷出空气；和突起部(64)，其比空气喷嘴孔(541)向插入孔(31)的中心轴线突出喷枪(14)的清洗方法具有清洗工序，在所述清洗工序中，从清洗喷嘴(42)向喷枪(14)喷出清洗液。在清洗工序中，从空气喷嘴孔(541)向喷枪(14)喷出空气。据此，能够更好地清洗喷枪。
清洗装置喷枪方法

[发明专利]餐具清洗干燥机-CN202010964324.2在审
发明人：佐桥敏男 -专利权人：林内株式会社
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： A47L15/18 文献下载
摘要：提供一种餐具清洗干燥机，其能在实现简易化的同时还能减小从排气通路排出的空气的温度的变动幅度，进而能抑制干燥时间的长期化。餐具清洗干燥机具备清洗槽、清洗装置、干燥风扇、加热器、排气通路及控制部。控制部执行：清洗工序、利用已被到加热规定的冲洗温度的清洗水而对清洗工序后的餐具进行冲洗的加热冲洗工序、及利用空气使加热冲洗工序后的餐具进行干燥的干燥工序。餐具清洗干燥机还具备设置在排气通路上且对排出的空气的温度进行检测的排气温度检测机构。控制部开始进行干燥工序之后直至经过规定的干燥时间为止，对干燥风扇及加热器进行控制，以使利用排气温度检测机构而检测的温度处在被设定为比规定的冲洗温度还要低的规定的温度范围。
餐具清洗干燥机

[发明专利]玻璃板的制造方法-CN201680057172.X有效
发明人：奥村弘和;高桥忠 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G01N21/89 文献下载
摘要：玻璃板的制造方法(1)具备对玻璃板进行加工的加工工序(S2)、对通过在加工工序(S2)中加工后的所述玻璃板进行清洗的清洗工序(S3)、以及对在清洗工序(S3)中清洗后的所述玻璃板的缺陷进行检测的检查工序检查工序(S4)具有对缺陷的坐标进行确定的缺陷坐标确定工序(S4a)、以及对通过缺陷坐标确定工序(S4a)确定出的坐标的缺陷的内容进行确定的缺陷内容确定工序(S4b)。缺陷内容确定工序(S4b)的流水线数量比缺陷坐标确定工序(S4a)的流水线数量多，通过缺陷坐标确定工序(S4a)的流水线后的所述玻璃板被分配到缺陷内容确定工序(S4b)的流水线。
玻璃板制造方法

[发明专利]半导体基板的清洗方法以及清洗系统-CN201380043869.8有效
发明人：小川祐一;山川晴义 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：实现对于至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板(100)进行有效的清洗，而不会损伤TiN或硅化层。对于至少露出一部分TiN的经硅化处理后的半导体基板进行清洗时，具有以下工序：过硫酸生成工序，该过硫酸生成工序将清洗用硫酸溶液流通至电解部(2)，并使之循环，通过在所述电解部(2)发生的电解反应，生成规定浓度的过硫酸；溶液混合工序，该溶液混合工序将过硫酸生成工序中获得的含有过硫酸的硫酸溶液和含有一种以上的卤化物离子的卤化物溶液在不流通至电解部(2)的状态下进行混合，混合后生成含有过硫酸的氧化剂浓度为0.001～2mol/L的混合溶液；加热工序，该加热工序对混合溶液进行加热；以及清洗工序，该清洗工序运送加热后的混合溶液，使之接触半导体基板(100)并进行清洗。
半导体清洗方法以及系统