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[发明专利]混合键合结构及混合键合方法-CN202210069940.0在审
发明人：邢程;朱振华 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合键合结构及混合键合方法。本发明通过设计键合垫呈阵列均匀分布于键合层中，实现工艺均匀性最大化，提高了待键合晶圆表面平整度，实现提供可靠的键合质量和上下晶圆的可靠电性连接。由于键合垫呈阵列均匀分布于键合层中，键合界面的键合垫可以在单个图案化过程中制成，从而降低了工艺成本；在上下晶圆需要连通电路处，采用金属走线与键合垫电性连接，在不需要连通电路处，金属走线与键合垫无电性连接，既降低了走线设计难度以及键合垫制备工艺成本，又不会影响键合的晶圆中的连通电路。
混合结构方法

[发明专利]三维堆叠芯片及其键合测试方法、测试机台-CN202111535713.4在审
发明人：邱锋波;左丰国;王玉冰 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维堆叠芯片及其键合测试方法、测试机台，该芯片包括：至少两层通过混合键合连接的晶圆，且混合键合的两层晶圆中：设置有第一键合节点以及第二键合节点；第一键合节点与第二键合节点通过键合测试线路连接，键合测试线路包括至少一条混合键合连线，混合键合连线用于连接两层晶圆；第一键合节点接收测试激励信号，第二键合节点输出测试结果信号，测试结果信号表征键合测试线路中混合键合连线的异常情况。这样能够实现混合键合连线的异常测试，有利于更准确地定位芯片异常。
三维堆叠芯片及其测试方法机台

[发明专利]混合键合方法及键合用衬底-CN202110260636.X有效
发明人：李仁雄;陈世杰;吴罚 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种混合键合方法及键合用衬底，包括如下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆表面具有第一介质层；在所述第一介质层中形成沟槽；在所述沟槽内填充金属，形成金属焊盘，所述金属焊盘突出于第一介质层的表面；在金属焊盘的间隙处形成第二介质层，所述第二介质层以一预定高度突出于金属焊盘的表面；提供一第二晶圆，并重复上述步骤形成相同的结构；将第一晶圆与第二晶圆预键合，接触面为突出的第二介质层表面；退火，使金属焊盘接触形成混合键合结构
混合方法合用衬底

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN202010115670.3在审
发明人：占迪;刘天建;胡杏;郭万里 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种键合结构及其制造方法，在底层结构的正面形成有混合键合结构，在待键合的第二晶圆结构的背面预先形成背连线以及混合键合结构，通过第二晶圆结构背面的混合键合结构以及底层结构正面的混合键合结构实现晶圆结构的键合，在需要键合多个第二晶圆结构时，在已键合的第二晶圆结构的正面形成混合键合结构，实现多个第二晶圆结构的键合。该方法通过预先在待键合的第二晶圆结构的背面形成背连线结构以及混合键合结构，降低器件失效的风险，并且制造时间短、生产效率高。
一种结构及其制造方法

[发明专利]一种混合键合结构及混合键合方法-CN201611265121.4在审
发明人：朱继锋;胡思平;陈俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及半导体混合键合领域，尤其涉及一种混合键合结构及混合键合方法，该混合键合结构包括相对设置的第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有第一键合面，第二晶圆具有第二键合面，第一键合面上覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层中设置有多块第一金属垫，第二键合面上覆盖有第二绝缘层，第二绝缘层中设置有多块第二金属垫；第一绝缘层中还设置有第一开关层，第一开关层位于第一金属垫和第一键合面之间，和/或，第二绝缘层中还设置有第二开关层，第二开关层位于第二金属垫和第二键合面之间本发明通过引入开关层提高待键合晶圆表面平整度，不需要引进新的平坦化研磨剂和特种机台即可实现待键合晶圆表面的平整，有利于后续的连线键合。
一种混合结构方法

[发明专利]一种混合键合结构以及混合键合方法-CN201980003420.6在审
发明人：赫然;焦慧芳;代郁峰;杨广林;何志宏;谢荣华 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种混合键合结构及混合键合方法，该混合键合结构包括：第一芯片(10)和第二芯片(20)，第一芯片(10)的表面包括第一绝缘介质(11)和第一金属(12)，第一金属(12)和第一绝缘介质(11)之间具有第一空隙区域(13)；第二芯片(20)的表面包括第二绝缘介质(21)和第二金属(22)；第一金属(12)的表面高于第一绝缘介质(11)的表面；第一金属(22)和第二金属(22)接触后形成金属键合，在第一空隙区域(13)内，第一金属(12)发生纵向和横向的形变；第一绝缘介质(11)和第二绝缘介质(21)接触后形成绝缘介质键合。通过设置第一空隙区域(13)，保证第一金属(12)可以同时发生纵向和横向的形变，可以避免出现金属键合缺陷和介质键合缺陷，提高量产良率和器件的长期可靠性。
一种混合结构以及方法

[发明专利]一种三维芯片的制备方法及三维芯片-CN202110994529.X在审
发明人：王慧梅 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种三维芯片的制备方法及三维芯片，方法包括：提供至少两片晶圆；在至少两片晶圆之间形成真实混合键合部及虚拟混合键合部；至少两片晶圆通过真实混合键合部及混合键合部连接；真实混合键合部用于两片晶圆之间的信号传输，虚拟混合键合部无任何信号传输；如此，两片晶圆之间的热量可通过虚拟键合部传输至基板，基板再通过球栅阵列式封装BGA将热量传递至基板外部，提高三维芯片的散热效果；因虚拟混合键合部可同时分散应力，减轻单个真实混合键合部承受的应力，避免真实混合键合部对应的介质层开裂；另外，多个虚拟混合键合部可提高混合键合部分布的均匀性，在向两片晶圆之间填充SiO2时，避免填充空洞，确保器件的整体性能。
一种三维芯片制备方法

[发明专利]一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法-CN202310933530.0在审
发明人：王晨曦;牛帆帆;魏潇赟;王敏才;邓抄军 -专利权人：哈尔滨工业大学;华为技术有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及芯片制造技术领域，具体而言，涉及一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法。该方法包括：制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理；将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中，清洗后吹干；在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液，将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合，得到预键合芯片；将预键合芯片进行热压键合，退火处理，得到混合键合样品对。本发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。
一种基于金刚石三维集成芯片混合方法

[发明专利]一种晶圆的切割方法-CN202111033918.2在审
发明人：刘天建;田应超;李琳瑜;曹瑞霞;胡海威;孙远 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆的切割方法，包括：提供一待切割晶圆，所述待切割晶圆具有相对设置的混合键合表面和背面，以及连接所述混合键合表面和背面的侧壁，待切割晶圆包括多个待混合键合芯片以及位于相邻待混合键合芯片之间的切割道；将待切割晶圆的混合键合表面朝向所述载盘设置，且混合键合表面的至少大部分与载盘之间未接触，并对背面执行贴膜工艺；从混合键合表面沿切割道对待切割晶圆执行激光开槽工艺，以在混合键合表面形成网格状的槽孔；在槽孔中执行激光隐形切割工艺，以得到单个的待混合键合芯片。本发明通过步骤S2，即非接触贴膜可有效规避临时键合工艺或背面贴膜工艺，降低成本同时避免了残胶的污染。
一种切割方法

[实用新型]一种三维芯片-CN202122051458.8有效
发明人：王慧梅 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型提供一种三维芯片，包括：提供至少两片晶圆；在至少两片晶圆之间形成真实混合键合部以及虚拟混合键合部；如此，在两片晶圆之间设置有多个虚拟混合键合部，这样两片晶圆之间的热量可通过多个虚拟键合部传输至基板，基板再通过球栅阵列式封装BGA将热量传递至基板外部，提高三维芯片的散热效果；因多个虚拟混合键合部可同时分散应力，减轻单个真实混合键合部承受的应力，避免真实混合键合部对应的介质层开裂；另外，多个虚拟混合键合部可提高混合键合部分布的均匀性
一种三维芯片

[发明专利]具备金属连线的混合键合方法及混合键合结构-CN201710751225.4在审
发明人：吕震宇;朱继锋;李勇娜;宋立东;陈俊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备金属连线的混合键合方法及混合键合结构，属于半导体技术领域。所述方法包括提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有待键合的上衬底，第二晶圆具有待键合的下衬底；在第一晶圆的上衬底上形成第一键合层，在第二晶圆的下衬底上形成第二键合层；在第一键合层，和/或第二键合层中进行金属部署并形成键合金属层，将键合金属层用作金属连线，并形成与金属连线对应的基础连线层；将第一晶圆的第一键合层与第二晶圆的第二键合层进行键合，形成混合键合结构。本发明中，将现有的仅用于金属接触的键合金属层用作金属连线，相当于减少了该金属层，并节约了制作该金属连线所需使用的1～2层光罩，从而降低了工艺成本。
具备金属连线混合方法结构

[发明专利]使用虚设键合触点的混合键合-CN201980000242.1在审
发明人：王涛;胡思平;王家文;黄诗琪;朱继锋;陈俊;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了键合的半导体结构及其制造方法的实施例。在示例中，一种半导体器件包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括第一互连层，所述第一互连层包括第一互连。第一半导体结构还包括第一键合层，所述第一键合层包括第一键合触点。每个第一互连与相应的第一键合触点接触。第二半导体结构包括第二互连层，所述第二互连层包括第二互连。第二半导体结构还包括第二键合层，所述第二键合层包括第二键合触点。至少一个第二键合触点与相应的第二互连接触。至少另一个第二键合触点与第二互连分隔开。半导体器件还包括第一键合层与第二键合层之间的键合界面。每个第一键合触点在键合界面处与第二键合触点中的一个接触。
键合半导体结构触点键合层互连互连层半导体器件键合界面触点接触混合键合分隔虚设制造

[发明专利]混合晶圆键合结构及图像传感器-CN202310258521.6在审
发明人：宋倩倩;王喜龙;洪齐元 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种混合晶圆键合结构及图像传感器。所述混合晶圆键合结构包括：逻辑晶圆；像素晶圆，通过混合键合结构与所述逻辑晶圆键合，所述像素晶圆包括阵列排布的像素单元；所述混合键合结构包括形成于键合界面的辅助键合柱，每一所述辅助键合柱与一所述像素单元对应设置上述技术方案，通过在所述像素晶圆表面预设辅助键合柱的位置，使得每个像素单元上辅助键合柱的摆放方式相同，减小辅助键合柱的摆放位置对器件光学性能的影响。
混合晶圆键合结构图像传感器

[发明专利]混合键合实现方法-CN201310420384.8在审
发明人：宋崇申;张文奇 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合键合实现方法，包括如下步骤：（1）在衬底表面沉积介质层，并进行图形化处理，获得图形化结构；（2）在衬底表面沉积粘附层和种子层，并电镀填充所述图形化结构；（3）采用机械刮平的方式，处理衬底表面，使衬底表面金属和介质层表面在一个平面上；（4）使采用以上方法制作的两层衬底相对，使两层衬底表面金属和介质层对准，并通过施加压力和温度条件实现两层衬底的键合。本发明的优点是：采用机械刮平的方式处理衬底表面，获得混合键合结构，整个工艺流程不需要CMP工艺，降低混合键合工艺的难度和成本。
混合实现方法

[实用新型]键混合放大器-CN201220050836.9有效
发明人：王冠凌;吕琛;方俊初;张明艳;马晓瑜;柏受军;汪石农;凌海波 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H04N5/265 文献下载
摘要：一种键混合放大器，包括主信号嵌位单元、叠加信号嵌位单元、键信号嵌位单元、同步分离单元、视频混合单元、旁路单元、键盘显示单元、CPU控制单元、输出驱动单元和无线通信单元；主信号分别连接同步分离单元、主信号嵌位单元和旁路单元，同步分离单元输出信号与视频嵌位单元连接，主信号嵌位单元输出信号与视频混合单元作为A路输入，叠加信号嵌位单元输出信号与视频混合单元作为B路输入，键信号嵌位单元输出信号与视频混合单元作为控制信号输入，CPU控制单元通过无线通信单元完成与上位机发出的无线命令达到控制信号键混合功能，同时回复上位机键混合相关信息。本实用新型提供了一种能够实现并接的低成本、高稳定性的键混合放大器。
混合放大器

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