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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780034315.X有效
发明人：儿玉奈绪子 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在以预定的转速旋转的半导体晶片(10)的表面(10a)涂布光致抗蚀剂而形成预定厚度(t1)的光致抗蚀剂膜(31)并使其干燥。然后，在维持光致抗蚀剂膜(31)的预定厚度(t1)的状态下，通过一边以涂布光致抗蚀剂时的预定转速以下的转速使半导体晶片(10)旋转一边滴下药液(44)，并用药液(44)将光致抗蚀剂膜(31)的端部溶解而除去接着，通过曝光、显影而使光致抗蚀剂膜(31)呈预定图案。显影后，不进行UV固化或者烘烤，而是将光致抗蚀剂膜(31)作为掩模，从半导体晶片(10)的表面(10a)开始进行射程为8μm以上的氦照射(32)。据此，将光致抗蚀剂膜(31)作为掩模而使用，从而可以在预定区域以较佳的位置精度注入预定的杂质，并且能够降低成本。
半导体装置制造方法

[发明专利]光刻图案化的方法-CN201711183989.4有效
发明人：张莉琳;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：方法包括涂布光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包括第一聚合物、第一光产酸剂、以及化学添加剂混合于溶剂中；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及对光致抗蚀剂层进行显影工艺，以形成图案化光致抗蚀剂层。化学添加剂在光致抗蚀剂层中的分布不一致。
光刻图案方法

[发明专利]一种微波印制电路板上电阻集成方法-CN201610051085.5在审
发明人：廖根望 -专利权人：东莞联桥电子有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：本发明涉及电路板生产加工技术领域，具体涉及一种微波印制电路板上电阻集成方法，采用埋置了电阻材料的基材，并通过二次光刻的方式，在聚四氟乙烯材料上实现集成电阻，包括如下步骤：(1)涂布光致抗蚀剂；(2)曝光后，进行显影操作；(3)选择性腐蚀铜，(4)选择性腐蚀不需要的电阻材料；(5)去除光致抗蚀剂；(6)二次涂布光致抗蚀剂，并再次进行曝光和显影工序；(7)腐蚀电阻上面的铜；(8)去除二次涂布的光致抗蚀剂，本发明采用埋置了电阻材料的基材来实现印制电路板上电阻集成
一种微波印制电路板电阻集成方法

[发明专利]晶片处理方法-CN202111387024.3在审
发明人：罗诺纬 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片处理方法，包含提供晶片，晶片具有第一位置及第二位置，第一位置以参考方向朝向第二位置；涂布光致抗蚀剂液于晶片上；进行加热制作工艺，加热涂布有光致抗蚀剂液的晶片，以在晶片上形成光致抗蚀剂层；其中，进行加热制作工艺时，晶片的温度沿参考方向渐增，使光致抗蚀剂层的厚度沿参考方向渐减。
晶片处理方法

[发明专利]具有宏观检测的显影装置-CN200710003786.2有效
发明人：黄胜凯;徐书扬;柯宗志;杨志清 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有宏观检测的显影装置，本发明的显影装置包括一宏观检测装置及一显影装置，该宏观检测装置与该显影装置相连接，并设置于该显影装置之前，该宏观检测装置先检测已涂布光致抗蚀剂的一基板，检测员观测该基板是否产生缺陷，若发现该基板产生缺陷时，则将该基板回收报废或重新涂布光致抗蚀剂，这样可减少测试新制造过程及新光致抗蚀剂时间的浪费，并且可以在显影前提前观察到基板质量是否异常，以降低产品报废率，进而降低成本并提高生产量
具有宏观检测显影装置

[发明专利]一种去除光致抗蚀剂的方法和设备-CN201410012432.4在审
发明人：黄子晏;谭莉;林信安;林志明;廖子毅 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种去除光致抗蚀剂的方法，包括：涂布光致抗蚀剂对低温多晶硅进行沟道掺杂；利用大气等离子体处理装置，通入气体形成等离子体，对所述光致抗蚀剂进行灰化处理；去除有机残余物；以及利用剥离装置，对光致抗蚀剂进行剥离处理本发明还提供一种去除光致抗蚀剂的设备。采用本发明的方法，可有效减少去除光致抗蚀剂的时间，简化工艺流程，提高生产效率，同时减少设备购置费用和维护费用，降低生产成本。
一种去除光致抗蚀剂方法设备

[发明专利]半导体的光刻方法-CN201810093250.2在审
发明人：何小麟 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的半导体的光刻方法，包括：在半导体基材上涂布光致抗蚀剂层；在不使用光掩模下，对所述半导体基材进行预曝光；使用光掩模对所述半导体基材上的所述光致抗蚀剂层进行主曝光；以及对所述光致抗蚀剂层进行显影。
半导体基材光致抗蚀剂层光掩模主曝光光刻半导体涂布光致抗蚀剂曝光光源使用寿命影响图案预曝光显影

[发明专利]与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物-CN202210808132.1在审
发明人： M·格朗布瓦;M·Y·金;E·H·柳;J·H·沈;M·K·蒋;J-J·李 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司;罗门哈斯电子材料韩国有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C09D167/00 文献下载
摘要：与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物。本发明提供一种形成光致抗蚀剂浮雕图像的方法，其包含：a)在衬底上涂覆包含以下的涂料组合物层：1)包含一或多个氰尿酸酯基和聚酯键的树脂；和2)包含式(I)结构的交联剂；和b)在所述涂料组合物层上涂覆光致抗蚀剂组合物层
外涂布光致抗蚀剂一起使用涂料组合

[发明专利]电致发光元件的制造方法-CN03800011.3无效
发明人：伊藤范人;立川智之 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2003-01-08 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：为了达到上述目的，本发明提供具有下述特征的EL元件的制造方法，即，在采用光刻法的EL元件的制造方法中，具有：在设有表面具有光致抗蚀剂层的至少1色的发光部的基板上，涂布呈不同于所述发光部的颜色的异色发光层形成用涂布液，并形成异色发光层的工艺；在所述异色发光层上涂布光致抗蚀剂，形成异色发光层用光致抗蚀剂层的工艺；对所述异色发光层用光致抗蚀剂层进行图案曝光后，通过进行显影形成图案，留下形成异色发光部的部分的异色发光层用光致抗蚀剂层的工艺；和通过除去已除去所述异色发光层用光致抗蚀剂层的部分的异色发光层，形成在表面具有异色发光层用光致抗蚀剂层的图案形状的异色发光部的工艺。
电致发光元件制造方法

[发明专利]CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件-CN200610119151.4无效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成CMOS器件应力膜的方法，所述CMOS器件包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述方法包括下列步骤：在所述NMOS晶体管和PMOS晶体管表面沉积应力膜；在所述应力膜表面涂布光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层使所述光致抗蚀剂层覆盖所述PMOS晶体管表面的应力膜并露出所述NMOS晶体管表面的应力膜；紫外线照射所述NMOS晶体管表面的应力膜；移除所述光致抗蚀剂层。
cmos 器件应力形成方法

[发明专利]半导体器件金属连接孔的制造方法-CN200610148813.0无效
发明人：吴汉明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件金属连接孔的制造方法，包括：在介质层表面形成金属层取代通常的介质掩膜层(例如SiON)；在所述金属层表面涂布光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层并透过所述图案化的光致抗蚀剂层构图所述金属层；移除所述图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀所述介质层形成通孔；利用物理溅射工艺清理所述通孔；在所述通孔中填充金属材料形成金属连接孔。
半导体器件金属连接制造方法

[发明专利]光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法和光致抗蚀剂涂布装置-CN200580040035.7有效
发明人：谷口克人;小岛一弘;能谷敦子 -专利权人： AZ电子材料（日本）株式会社
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置和一种涂布液供给方法，以将含有很少颗粒的光致抗蚀剂涂布液供给至光致抗蚀剂涂布装置。还提供了一种光致抗蚀剂涂布装置，其通过使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置，可以实现具有很少缺陷和优异成本特性的涂布。该光致抗蚀剂涂布液供给装置具有用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器；循环过滤装置，用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液，将其过滤并返回至缓冲容器；和用于将涂布液从缓冲容器或循环装置供给至涂布装置的管。还提供使用所述光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法，以及将涂布液供给装置与狭缝涂布装置组合使用的光致抗蚀剂涂布装置。
光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用方法光致抗蚀剂涂布

[发明专利]一种防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲的方法-CN200910052796.4有效
发明人：李黎明;郭国超;王健鹏 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路制造中防止光致抗蚀剂(photo resist)在新鲜高温氧化表面(high-temperature oxidation，HTO)发生翘曲的前处理方法。本发明的方法包括如下步骤：提供待加工晶圆；加热晶圆使晶元表面形成高温氧化表面(HTO)；将晶圆在水中进行浸泡；烘干晶圆；使用甲基二硅胺(HMDS)对晶圆表面进行处理；涂布光致抗蚀剂。
一种防止新鲜高温氧化表面光致抗蚀剂翘曲方法

[发明专利]与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物-CN201710289617.3在审
发明人：李晶真;林载峰;尹准汉;姜智熏 -专利权人：罗门哈斯电子材料韩国有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明提供与外涂布光致抗蚀剂一起使用的有机涂料组合物，确切地说抗反射涂层组合物，其包含热酸产生剂，所述热酸产生剂包含i)具有一或多个选自任选经取代的烷基和任选经取代的杂烷基的环取代基的吡锭组分；和ii)
外涂布光致抗蚀剂一起使用涂料组合

[发明专利]使用通过光交联固化形成的抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法-CN201510106827.5在审
发明人：堀口有亮;竹井敏;新城彻也 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明的课题是提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明解决问题的方法是，一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序。
使用通过交联固化形成抗蚀剂下层半导体装置制造方法

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