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[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体基板-CN202280016320.9在审
发明人： 内海诚;宫里真树 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在n+型起始基板(21)上依次使第一缓冲区(11)、第二缓冲区(12)以及n‑型漂移区(2)外延生长。第一缓冲区(11)的杂质浓度比n‑型漂移区(2)的杂质浓度高且比n+型起始基板(21)的杂质浓度低。第二缓冲区(12)的杂质浓度比第一缓冲区(11)的杂质浓度高，并从n‑型漂移区(2)侧的梯度变化点(41a)朝向第一缓冲区(11)侧的梯度变化点(41b)以第一杂质浓度梯度(41)连续地增加，从梯度变化点(41a)朝向第一界面(27)以第二杂质浓度梯度(42)连续地减少，从梯度变化点(41b)朝向第二界面(26)以第三杂质浓度梯度(43)连续地减少。第二杂质浓度梯度(42)比第三杂质浓度梯度(43)小。由此，可靠性提高。
碳化硅半导体装置

[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法-CN202111613299.4在审
发明人：大瀬直之;内海诚 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明提供能够在具备AlSi电极的碳化硅半导体装置中使成品率提高的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。通过溅射在由碳化硅构成的半导体基板的表面设置有由包含硅的铝合金构成的AlSi电极。在AlSi电极中析出有Si结节。AlSi电极在成为至少与键合线的接合部的部分中，以相对于该接合部处的Si结节的总面积为10％以上的面积比率包含枝晶结构的Si结节。AlSi电极中的Si结节的高度在枝晶结构和棱柱结构中的任一结构的Si结节中均为2μm以下。在AlSi电极的溅射时，将半导体基板的温度或AlSi电极的形成区域周边的温度、或者这两种温度设为430℃以上且500℃以下。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]电动作业机-CN201780074310.X有效
发明人：久保田太一;山崎达也;清水则和;石塚邦彦;村冈敬介;内海诚 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： A01D34/78 文献下载
摘要：【问题】提供一种易于附接和拆卸电池的电动作业机。【解决方案】提供一种电动作业机(1)，该电动作业机包括：主体(2)，其具有在上侧上向上开口的电池容纳凹入部分(40)；以及电池(20)，其容纳在电池容纳凹入部分中。向前突出的突出部分(108)设置到电池的前端的上部。抓握部分设置到电池的后端。用于至少在电池容纳凹入部分处取出电池时支撑突出部分的下表面的支撑面(36)设置在电池容纳凹入部分的前边缘的上端。
电动作业

[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法-CN201911004133.5在审
发明人： 内海诚;荒冈干 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供能够有效且尺寸精度良好地形成在与沟槽侧壁分离的部分具有高浓度区的基区的碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法。p型基区(2)由p‑型沟道区(2a)、在横向与p‑型沟道区(2a)邻接的p型高浓度区(2b)构成。p型高浓度区(2b)的纵向的杂质浓度在与n++型源区(4)分离的深度处显示峰浓度，随着从峰浓度的深度分别向源极侧和漏极侧而变低。p型高浓度区(2b)的横向的杂质浓度在p++型接触区(5)的正下方显示峰浓度，随着向沟槽(6)侧而变低。p型高浓度区(2b)使用用于形成p++型接触区(5)的离子注入中使用的离子注入用掩模，通过加速能量比该离子注入的加速能量高的离子注入而形成。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]碳化硅半导体元件以及碳化硅半导体元件的制造方法-CN201480048187.0有效
发明人： 内海诚;酒井善行;福田宪司;原田信介;岡本光央 -专利权人：富士电机株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在n‑型碳化硅基板(1)的表面选择性地形成红外线吸收膜(8)，在n‑型碳化硅基板(1)上，在除红外线吸收膜(8)的形成区域以外的区域依次选择性地形成包括铝的p型接触图案(9)和包括镍的Ni图案(10)之后，通过快速退火处理对n‑型碳化硅基板(1)进行加热，形成包括p型接触图案(9)和硅化的Ni图案(10)的欧姆电极。
碳化硅半导体元件以及制造方法

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710052983.7在审
发明人：岩谷将伸;内海诚 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置不增大接触电阻，不会成为单元间距缩小的障碍，并在形成镍硅化物时，能够防止镍渗入层间绝缘膜。该半导体装置的制造方法在栅极绝缘膜(6)和栅电极(7)上形成层间绝缘膜(8)，将层间绝缘膜(8)开口，形成接触孔。接下来，用氮化钛膜(10)覆盖层间绝缘膜(8)以及通过接触孔而露出的区域(4、5)，通过回蚀刻使氮化钛膜(10)仅残留在栅极绝缘膜(6)和层间绝缘膜(8)的在接触孔露出的端部。接下来，用镍膜覆盖层间绝缘膜(8)以及通过接触孔而露出的区域(4、5)，在去除与层间绝缘膜(8)直接接触的镍膜之后，对镍膜进行加热，形成镍硅化物层(9)。
半导体装置制造方法

[发明专利]背负式动力喷雾机-CN201480021553.3有效
发明人： 内海诚;米山正行;T·塔娜万 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： B05B9/08 文献下载
摘要：背负式动力喷雾机(10)的发动机(16)的节气杆(82)位于储液箱(11)的下方。利用配置在该节气杆的下方的杆防护部(85)保护该节气杆的下表面。相对于通过该储液箱的宽度方向的侧面(11b)中的最向侧方突出的侧端(11c)和该杆防护部的侧端(85b)的直线(La)，该节气杆配置在该储液箱的宽度方向内侧，该背负式动力喷雾机还具有：框架(17)，该储液箱设置于该框架上；和背负带(18)，其用于供作业人员背负该框架，在该背负带的一端部设置有带安装件(72)，该带安装件用于将该一端部安装到该框架中的该节气杆的附近，在该杆防护部和该框架的至少一方设置有止挡部(86)，该止挡部用于防止该带安装件与该节气杆接触。
背负动力喷雾机

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201280007384.9无效
发明人：古川拓也;加藤祯宏;岩见正之;内海诚 -专利权人：先进动力设备技术研究协会
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供可厚膜化、翘曲小、且漏泄电流小的半导体元件。其包括：基板、在基板的上方形成的第一缓冲区、在第一缓冲区上形成的第二缓冲区、在第二缓冲区上形成的活性层、在活性层上形成的至少两个电极；第一缓冲区至少包括一层依次层积有第一半导体层、第二半导体层的复合层；第二缓冲区至少包括一层依次层积有第三半导体层、第四半导体层、第五半导体层的复合层；第四半导体层的晶格常数具有第三半导体层与第五半导体层之间的晶格常数。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201280011372.3无效
发明人：古川拓也;加藤祯宏;岩见正之;内海诚;梅野和行 -专利权人：先进动力设备技术研究协会
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：提供减少了漏电流的氮化物类半导体元件及其制造方法。提供一种半导体元件，其包括衬底,在衬底上方形成的缓冲区,在缓冲区上形成的活性层,在活性层上形成的至少2个电极，缓冲区包括晶格常数不同的多个半导体层，在缓冲区表面提供比衬底背面低的电位，使衬底背面与缓冲区表面之间的电压在与缓冲区的膜厚相应的范围变化时的衬底背面与缓冲区表面之间的电容大体上固定。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201280011792.1无效
发明人：古川拓也;加藤祯宏;岩见正之;内海诚 -专利权人：先进动力设备技术研究协会
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种具有降低位错密度的缓冲层的半导体元件。该半导体元件包括：衬底，在衬底上方形成的缓冲区域，在缓冲区域上形成的活性层，以及在活性层上形成的至少2个电极；缓冲区域至少具有一层依次层积具有第1晶格常数的第1半导体层，具有与第1晶格常数不同的第2的晶格常数的第2半导体层，具有第1晶格常数和第2的晶格常数之间的第3晶格常数的第3半导体层得到的复合层。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201280007853.7无效
发明人： 内海诚;加藤祯宏;岩见正之;古川拓也 -专利权人：先进动力设备技术研究协会
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：提供一种半导体器件，其具备：基板；通道层，其设置在基板上，由第1氮化物系化合物半导体构成；阻挡层，其设置在通道层上；第1电极，其设置在阻挡层上；以及第2电极，其设置在通道层的上方，阻挡层具有：势垒层，其设置在通道层上、由比第1氮化物系化合物半导体带隙能量大的第2氮化物系化合物半导体构成；和量子能级层，其由比第2氮化物系化合物半导体带隙能量小的第3氮化物系化合物半导体构成，形成了量子能级。
半导体器件

[发明专利]有机EL器件及其制造方法-CN200880019630.6无效
发明人： 内海诚 -专利权人：富士电机控股株式会社
申请日： 2008-07-24 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：本发明的目的是提供能够长期维持优异的发光效率的有机EL器件及其制造方法，特别是顶部发射型有机EL器件及其制造方法。本发明的有机EL器件包括基板和在基板上形成的有机EL元件，其特征在于：有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成，保护层由1个或多个无机膜构成，1个或多个无机膜中的至少1个是SiN:H膜，通过红外吸收光谱测定求出的SiN:H膜中的N-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.06且为0.1以下、并且Si-H键相对于Si-N键的伸缩模式的峰面积比大于0.12且为0.17以下。
有机 el 器件及其制造方法

[发明专利]有机EL器件及其制造方法-CN200880103217.8有效
发明人： 内海诚 -专利权人：富士电机控股株式会社
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：本发明提供有机EL器件及其制造方法，该有机EL器件使用具有高的可见光透过率和优良的防湿性的保护层，具有长期的稳定性。本发明的有机EL器件包括：基板、形成在基板上的有机EL元件和通过粘接层贴合在有机EL元件上的保护基板，该有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成，保护层是从靠近上部电极的一侧起从第1层至第n层的叠层体，其中，n为3以上的整数，保护层中的各层由氮氧化硅或氮化硅构成，保护层中的相邻的2个层具有不同的化学组成，保护层的第一层具有比上部电极小的折射率，保护层的第n层具有比粘接层大的折射率，并且就从2到n的各个整数k而言，保护层的第k层的折射率(k)满足折射率(k-1)＞折射率(k)的关系。
有机 el 器件及其制造方法

[发明专利]发动机驱动式发电机装置-CN200910149182.8有效
发明人：广濑忠文;结城仁;青木贵孝;柴田良辅;饭仓裕树;内海诚;甲斐大志 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： F01P5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种发动机驱动式发电机装置。发动机冷却结构(81A)将通过扇(85)的操作引入箱体(17)中的冷却空气导向发动机(21)的气缸体(35)，然后沿着曲折的冷却流道(86，87，88)通过出口(89)将冷却空气排放到箱体外。箱体冷却结构(82)沿着箱体的内表面引导冷却空气。另一冷却流道(135)将空气导向竖直取向的散热片(58)，使得冷却空气沿着散热片向上流动，然后通过所述出口(89)排放。金属冷却风扇罩(391)经由安装件(33)由下罩(25)支撑，并且树脂制成的罩引导件(392)与支撑部(406-408)一起紧固至发动机，并插设在风扇罩与发动机之间。
发动机驱动发电机装置

[发明专利]发动机驱动型发电机-CN200910149184.7有效
发明人：广濑忠文;进正则;内海诚;青木贵孝 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： F02B63/04 文献下载
摘要：本发明涉及发动机驱动型发电机。本发明提供了一种可在左轮和右轮(31，32)上运动的发动机驱动型发电机。通过轮轴(113)将轮设置在底盖(25)的后部分上。发动机(21)的汽缸(35)被布置成朝着轮轴的方向向上倾斜。使汽缸倾斜降低了发动机的重心并且使轮轴以高位布置在汽缸的下方，由此减少了发动机驱动型发电机的高度。发动机驱动型发电机在行进过程中的定位得以稳定。
发动机驱动发电机

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