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[发明专利]一种抗菌型表面改性镍钛合金材料及制备方法-CN202111160597.2在审
发明人：沈斌;张凯 -专利权人：江阴佩尔科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗菌型表面改性镍钛合金材料，镍钛合金材料表面设置有银镓合金化层。该镍钛合金材料表面通过银镓合金化层，镓氧化形成致密的氧化物薄膜，且具有抗菌性，与银复配不仅提高了抗菌性能，且降低了镍离子的析出量，改善生物安全性。本发明还公开了一种抗菌型表面改性镍钛合金材料的制备方法。
一种抗菌表面改性钛合金材料制备方法

[发明专利]一种氧化镍纳米晶电致变色油墨的制备方法及其用途-CN202110994621.6有效
发明人：张勇;张国傲;吴玉程;舒霞;张雪茹;崔接武;王岩;秦永强 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C09D11/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镍纳米晶电致变色油墨的制备方法及其用途，所述方法包括以下步骤：(1)在氩氧混合气下将前驱体、溶剂及保护剂混合加热到一定温度保温一段时间；(2)将反应物质加热到反应温度并保温一段时间，得到氧化镍纳米晶溶液；(3)将步骤(3)得到的氧化镍纳米晶溶液进行提纯；(4)将步骤(3)得到的氧化镍纳米晶进行配体交换并溶解在极性溶剂中得到氧化镍纳米晶油墨。本发明不需要复杂的反应体系并且配体交换后的氧化镍纳米晶可以分散在多种极性溶剂中不需要加入额外的添加剂，适用于喷墨打印、旋涂、喷涂法等多种制备薄膜工艺。
一种氧化纳米晶电致变色油墨制备方法及其用途

[发明专利]富锂镍锰钴氧化物（LR-NMC）-CN202110650523.0在审
发明人： L.贝克;K.杜 -专利权人：昆腾斯科普电池公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明涉及正极活性材料组合物，例如富锂镍锰钴氧化物。本发明所述的富锂镍锰钴氧化物，其特征为，在一些实例，扩大的晶胞，其在所述晶体氧化物中使过渡金属的均匀分布最大化。本发明还涉及包括富锂镍锰钴氧化物材料的正极薄膜。本发明公开了制备和使用用于锂充电电池的富锂镍锰钴氧化物材料的新颖和具备创造性的方法。本发明还公开了引入这些材料的新型电化学装置。
富锂镍锰钴氧化物 lr nmc

[发明专利]富锂镍锰钴氧化物(LR-NMC)-CN201580070377.7有效
发明人： L.贝克;K.杜 -专利权人：昆腾斯科普电池公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：本发明涉及正极活性材料组合物，例如富锂镍锰钴氧化物。本发明所述的富锂镍锰钴氧化物，其特征为，在一些实例，扩大的晶胞，其在所述晶体氧化物中使过渡金属的均匀分布最大化。本发明还涉及包括富锂镍锰钴氧化物材料的正极薄膜。本发明公开了制备和使用用于锂充电电池的富锂镍锰钴氧化物材料的新颖和具备创造性的方法。本发明还公开了引入这些材料的新型电化学装置。
富锂镍锰钴氧化物 lr nmc

[发明专利]镍或镍合金的剥离液-CN03140715.3有效
发明人：高桥健一;木暮直毅;细田笃史 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： C23F1/28 文献下载
摘要：本发明提供在不溶解镍或镍合金以外的金属，特别是不溶解铜或铜合金薄膜以及锡或锡合金薄膜的条件下，选择性高速溶解镍或镍合金薄膜的剥离液。本发明的剥离液为含有(a)过氧化氢、(b)无机酸、(c)季胺盐及(d)碳数为3～7的脂肪族醇的水溶液。
镍合金剥离

[发明专利]压电薄膜、压电薄膜元件、压电致动器和压电传感器-CN202010016953.2有效
发明人：森下纯平 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N30/85 文献下载
摘要：压电薄膜(3)是包含金属氧化物的压电薄膜(3)，其中，金属氧化物含有铋、钾、钛、铁和元素M，元素M为镁和镍中的至少一种，至少一部分金属氧化物为具有钙钛矿结构的晶体，晶体的(001)面、(110)面或(111)面在压电薄膜(3)的表面的法线方向(dn)上进行取向。
压电薄膜元件致动器传感器

[发明专利]一种有效去除TEC用薄膜氧化层的方法和应用-CN202111546430.X在审
发明人：汤惠淋;宋世金;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种有效去除TEC用薄膜氧化层的方法和应用，属于功能薄膜材料及器件领域。本发明提出一种通过打磨清洗并使用Plasma轰击衬底材料的方法，可有效去除TEC用薄膜氧化层。与现有技术相比，本发明方法能够在直流磁控溅射沉积金属Cr‑Ni薄膜中，有效地去除氧化层，改善薄膜的附着力，保持溅射获得的薄膜表面光滑和组分均一，适用于铬镍复合薄膜在微型热电模块焊接中的应用。
一种有效去除 tec 薄膜氧化方法应用

[发明专利]一种可用于高速光电探测的Bi(Fe,Zn)O3-CN202110288347.0有效
发明人：董立峰;夏丰金;马帅;沙震宗 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种基于锌掺杂铁酸铋/氧化镍材料的全氧化物薄膜异质结，属于半导体器件技术领域。本发明公开了一种精确制备锌掺杂铁酸铋/氧化镍薄膜异质结的方法，所述的异质结采用溶胶凝胶技术，可精确控制各层元素化学计量比、同时保证各层薄膜良好的结晶性及均匀致密的形貌，可控性强、工艺简单、制备效率高。本发明实现了锌掺杂铁酸铋与氧化镍的良好匹配、耦合形成异质结结构，利用铁酸铋极化电场和异质结内建电场相结合促进光生载流子输运，获得可见光范围内高速光电响应特性，可用于制作相关半导体光电探测器件，对氧化物钙钛矿薄膜在半导体器件领域的实用化具有重要意义
一种用于高速光电探测 bi fe zn base sub

[发明专利]一种硫化镍/石墨烯复合薄膜及其制备方法和应用-CN201910905473.9有效
发明人：刘俊;张魏魏;魏爱香;招瑜;肖志明;杨伟锋 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明属于复合薄膜材料领域，公开了一种硫化镍/石墨烯复合薄膜及其制备方法和应用。该复合薄膜采用印刷法将石墨烯浆料印在预处理FTO导电玻璃的表面上并在100～150℃热处理，在100～150℃进行固化，再在300～400℃下退火，然后将制得附有石墨烯薄膜的FTO玻璃垂直浸入前驱液中，在搅拌下加入氨水在15～20℃反应，取出FTO玻璃洗涤后在300～400℃下退火，然后将制得的氧化镍/石墨烯复合薄膜和硫化钠溶液在70～100℃进行水热反应，经洗涤和干燥后，在石墨烯薄膜表面上合成硫化镍制得本发明的硫化镍/石墨烯复合薄膜物相均匀，纯度较高且具有优异的催化性能，可应用于染料敏化太阳能电池的对电极中。
一种硫化石墨复合薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种基于透明复合导电薄膜的柔性太阳能电池制备方法-CN201910716272.4在审
发明人：程江;张真;陈柯艺;徐康;李璐 -专利权人：重庆文理学院
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：一种基于透明复合导电薄膜的柔性太阳能电池制备方法，包含衬底预处理、透明复合导电薄膜制备、光敏层制备和低功函数金属电极制备；其特征在于：所述柔性太阳能电池的结构为氧化镍与银纳米线的透明复合导电薄膜/光敏层/低功函数金属电极，所述透明复合导电薄膜制备是在柔性衬底上涂覆银纳米线墨水，去氢氧化镍制备喷涂的前驱液，将衬底加热，前驱液雾化后，喷洒于衬底，沉积成均匀的氧化镍涂层。
复合导电薄膜制备柔性太阳能电池透明衬底低功函数金属太阳能电池光敏层前驱液氧化镍预处理光电转换效率银纳米线墨水导电稳定性外量子效率氧化镍涂层衬底加热导电性能电池结构电极制备开路电压填充因子银纳米线电极短路沉积喷涂去氢涂覆雾化喷洒电池吸收

[发明专利]掺铜氧化镍导电透明薄膜及其制备方法-CN200910200573.8无效
发明人：杨铭;张群;施展 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明属于透明电子学研究领域，具体涉及一种p型导电透明掺铜氧化镍薄膜及其制备方法。本发明提供了一种p型导电透明氧化物半导体薄膜，该薄膜是化学配比为Ni1-xCuxO的掺铜氧化镍薄膜，0＜x≤0.3。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电性能。同时，其制备方法具有操作简便，设备价格相对低廉的优越性。因此，本发明所获得的新型薄膜材料及制备方法，在半导体光电子领域具有一定的应用潜力。
氧化导电透明薄膜及其制备方法

[发明专利]一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法-CN201410345212.3无效
发明人：韩德栋;黄伶灵;陈卓发;丛瑛瑛;赵楠楠;吴静;赵飞龙;董俊辰;王漪;刘力锋;张盛东;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该方法利用溅射工艺生长一层掺镍的氧化锌半导体材料层作为薄膜晶体管的导电沟道层，通过调节掺镍的氧化锌靶材的组分，控制溅射氧气分压，可以改善薄膜晶体管的开关比、亚阈摆幅、阈值电压以及迁移率等特性。
一种氧化锌薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种钙钛矿电池的制备方法-CN202210313323.0在审
发明人：何敬敬;牛强;赵长森 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司;鄂尔多斯市西金矿冶有限责任公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿电池的制备方法，包括如下步骤：(1)用酸性水溶液浸泡氧化镍基底，浸泡完成后，对氧化镍基底进行烘干处理；(2)在氧化镍基底上涂敷PbI2溶液，然后再涂敷甲胺碘溶液制成薄膜；(3)薄膜冷却后涂敷电子传输层；(4)蒸镀银电极组装成钙钛矿电池。
一种钙钛矿电池制备方法

[发明专利]一种磁场响应三维大孔手性氧化铜/泡沫镍材料、制备方法及在光电催化中的应用-CN202010487365.7有效
发明人：张文妍;王威;刘飞;杨玮民;管航敏;郝凌云 -专利权人：金陵科技学院
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料技术领域，具体涉及一种磁场响应三维大孔手性氧化铜/泡沫镍材料、制备方法及其在光电催化中的应用。本发明以泡沫镍为基底，通过电化学外延生长法，在泡沫镍表面原位负载左旋手性氧化铜薄膜，从而制备左旋手性氧化铜/泡沫镍复合材料。本发明所制得的手性氧化铜/泡沫镍复合材料能够有效降低析氧过电位；手性氧化铜/泡沫镍复合材料的析氧过电位和电流随着外加磁场的方向和强弱而变化，能够通过调节外加磁场的方向和强弱而变化来改变析氧过电位和电流；手性氧化铜/泡沫镍复合材料保持了泡沫镍的三维大孔结构，具有比表面积大、导电性高、成本低的特点。
一种磁场响应三维手性氧化铜泡沫材料制备方法光电催化中的应用

[发明专利]一种硅基异质结电池片金属叠层的制作方法-CN201410100967.7无效
发明人：林朝晖;王树林 -专利权人：泉州市博泰半导体科技有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结电池片金属叠层的制作方法，包括：提供正面已沉积P-型非晶硅薄膜层，反面已沉积N-型非晶硅薄膜层的硅片；在所述硅片正反两面上沉积导电氧化物层；在所述导电氧化物层上沉积沉积结合层，其中结合层为镍铜合金层；在所述镍铜合金层上覆光阻材料层，通过掩模曝光，显影后形成金属栅线的图案；在所述金属栅线的图案的铜镍合金层上电镀电镀层；刻蚀掉未经电镀层覆盖的光阻材料层、镍铜合金层，形成金属叠层。本发明的目的在于要通过在电镀铜层前先在导电氧化物层上沉积一层镍铜合金层作为过渡结合层，用以增加导电氧化物层与电镀铜层的结合力，并避免电镀铜层在导电氧化物层上的扩散。
一种硅基异质结电池金属制作方法