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[发明专利]表面接枝有机功能分子的纳米二氧化硅及其制备方法-CN200510125662.2有效
发明人：阳明书;高晓薇;张世民 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： C09C3/08 文献下载
摘要：本发明属于有机功能分子修饰的纳米二氧化硅领域，特别涉及到受阻酚类抗氧剂修饰的纳米二氧化硅及其制备方法。该方法通过氨基硅烷偶联剂作为桥联，将受阻酚类抗氧剂分子化学接枝到纳米二氧化硅上，其中氨基硅烷偶联剂占有机功能分子修饰的纳米二氧化硅总重量的3wt％～12wt％，受阻酚类抗氧剂分子占2wt％～20wt％。该抗氧剂分子修饰的纳米二氧化硅可提高纳米二氧化硅在聚合物中的分散性并提高聚合物材料的综合力学性能，特别是可提高聚合物在加工和使用过程中的抗热氧老化性能。
表面接枝有机功能分子纳米二氧化硅及其制备方法

[发明专利]碱性电池及其制造方法-CN200610162820.6有效
发明人：伊东范幸;牛岛三七十郎;岩本真一;伊津哲夫 -专利权人：日立万胜株式会社
申请日： 2003-07-11 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01M6/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碱性电池，其通过将正极混合物、隔板及负极混合物封入外包装体的内部而制备，所述正极混合物包含从二氧化锰及氧化镍中选取的至少之一、导电剂和含有氢氧化钾的碱性电解液(A)，所述负极混合物包含锌合金粉末、凝胶化剂和含有氢氧化钾的碱性电解液(B)，其中使上述碱性电解液(A)的氢氧化钾浓度为45重量％以上，使上述碱性电解液(B)的氢氧化钾浓度为35重量％以下。
碱性电池及其制造方法

[发明专利]弥散强化铜材料中氧化铝相原位生长工业生产技术-CN200610048645.8有效
发明人：彭茂公;亢若谷;计汉容;田卫平;张家敏;李沫宇 -专利权人：昆明冶金研究院
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： B22F9/22 文献下载
摘要：本发明为一种产业化生产高强度、高导电率、抗软化温度高的氧化铝弥散强化铜复合材料技术。本发明利用非活性气体雾化铜铝合金粉，在专用可连续供氧的设备上使合金粉末产生氧源，然后在较高的温度下，利用不同金属元素生成氧化物自由能的负值差，进行选择性氧化铝原位生长转变，得到氧化物的强化相粒子。此技术关键是低温供氧、高温原位生长，不需要专门的氧化物介质(间接生长)，不需要复杂的装备与控制系统，不需要维持很低的氧分压，即可实现氧化铝强化相的生长转变，使长期以来难以产业化生产弥散强化铜复合材料成为可能
弥散强化材料氧化铝原位生长工业生产技术

[发明专利]手表游丝的氧化着色工艺方法-CN200610014475.1有效
发明人：荣桂林;高晨光 -专利权人：天津中鸥弹性元件技术有限公司
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： C23C8/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种手表游丝的氧化着色工艺方法，包括：步骤1：清洗：首先将游丝浸泡在清洗剂中清洗；然后浸泡在油酸和氨水的混合溶液中蒸煮；步骤2：氧化着色：将清洗后的游丝装入石英管放入热处理炉中以空气为介质在380℃～450℃的温度下处理2～12分钟，使游丝表面均匀地形成厚度为20～200nm的彩色氧化层；和步骤3：固化：将氧化着色处理后的游丝放入固化炉中以氦气或氮气为介质在180～200℃的温度下处理5～6个小时，以使游丝表面的氧化层固化。有益效果是：一是可使游丝在氧化着色过程中得到钝化，在短时间内完成扭力矩漂移；二是游丝可呈现黄色、红色、蓝色或黑色，外观极富美感，提高了游丝产品的附加值。
手表游丝氧化着色工艺方法

[发明专利]具有埋入扩散隔离物的氮化物只读存储器件及其制造方法-CN200610141533.7有效
发明人：刘建宏 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)层沉积在硅衬底上，并且多晶硅栅极形成在氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)层之上。两个埋入的扩散间隔物形成在多晶硅栅极侧壁的两侧以及氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)层之上。两个埋入的扩散区通过离子注入形成在硅衬底内靠近于这两个埋入的扩散间隔物处。
具有埋入扩散隔离氮化物只读存储器及其制造方法

[发明专利]一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法-CN201610202241.3有效
发明人：郭志超;李平林;申建芳;程素君 -专利权人：新乡学院
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C23C20/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法，属于超导材料的制备技术领域。本发明的技术方案要点为一种在氧化铝晶体基底上制备高温超导薄膜过渡层的方法，该方法采用在高纯铝阳极氧化技术制备的氧化铝晶体基底上用有机盐沉积法和溶胶凝胶法外延生长YBCO超导层的过渡层薄膜。本发明所得过渡层薄膜厚度均一且光洁度高，解决了溅射镀膜法制备过渡层/Al2O3过渡层薄膜质量不高的问题；采用在高纯铝阳极氧化技术制备的氧化铝晶体基底上制备过渡层，解决了用大面积的蓝宝石作为衬底成本较高和薄膜尺寸受制备仪器空间限制的问题
一种氧化铝晶体基底制备高温超导薄膜过渡方法

[发明专利]聚噻吩-金属氧化物纳米复合材料的制备方法-CN200710031332.6有效
发明人：孙东成;孙德生 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明公开了聚噻吩一金属氧化物纳米复合材料的制备方法。该方法是在溶剂中加入纳米金属氧化物，然后加入聚苯乙烯磺酸钠溶液高速搅拌或通过超声分散；在所得的溶液中，搅拌下分别加入噻吩单体、氧化剂和催化剂，氧化剂与单体的摩尔比为0.1～5，催化剂与单体的摩尔比为0.001得到的混合液经60～120℃干燥3～12小时，固体经碾磨制备得到聚噻吩一金属氧化物纳米复合材料。该方法有效的解决了金属氧化物纳米粒子极易团聚，化学稳定性不好的问题。
噻吩金属氧化物纳米复合材料制备方法

[发明专利]组合存储单元-CN200610166937.1有效
发明人：邱智康;石维强 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：一种组合存储单元，包括静态随机存取存储单元及掩膜式只读存储编码器，静态随机存取存储单元包括第一与第二反相器，第一反相器包括第一P型金属氧化物半导体晶体管与第一N型金属氧化物半导体晶体管，第二反相器包括一第二P型金属氧化物半导体晶体管与一第二N型金属氧化物半导体晶体管，掩膜式只读存储编码器与该第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接或与该第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接，并决定存储单元为随机存取存储模式或只读存储模式
组合存储单元

[发明专利]一种在硅片表面实施的沟槽隔离工艺-CN200710172266.4有效
发明人：叶红波 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种在硅片表面实施的沟槽隔离工艺，该工艺包括如下步骤：a.通过刻蚀制程在硅片表面刻蚀出一个沟槽；b.去除刻蚀副产物；c.对沟槽内部注入硅离子，使衬底表面非晶化，然后对硅片进行高温退火以修复注入损伤；d.生长一层衬垫氧化层；e.填充氧化物，使氧化物的质地在高温下致密化；f.通过化学机械抛光实现硅片表面平坦化。与现有技术相比，本发明的方法使沟槽角落和周边生长的氧化层的厚度更为均匀，最终使硅片沟槽角落和周边应力释放均匀，可有效降低角落处的缺陷密度，从而减少漏电；另外，非晶化衬底氧化速度较快，所以该衬垫氧化层生长的速度也会有所提高
一种硅片表面实施沟槽隔离工艺

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201610124804.1有效
发明人：谢应涛 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该制备方法包括以下步骤：提供一基板；在基板上依次形成缓冲层、氧化物膜层、栅极绝缘层和第一金属层；采用一道光罩分别对第一金属层、栅极绝缘层、氧化物膜层进行图形化处理，形成栅极、图形化的栅极绝缘层、氧化物有源层。在本发明的制造方法中，对于氧化物有源层和栅极等膜层结构，采用先沉积、后分别刻蚀的方法，仅需使用一道光罩，即可完成对氧化物有源层和栅极等膜层结构的图形化处理过程。
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]粘结的磨料物品-CN201610130336.9有效
发明人： G·奎尔;S·J·鲁克曼尼;M·吉瓦纳瑟姆;R·博特-舒尔茨;K·麦克尼尔;N·萨兰吉 -专利权人：圣戈班磨料磨具有限公司;法国圣戈班磨料磨具公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： B24D3/14 文献下载
摘要：在一方面，所述磨料物品具有磨料本体，该磨料本体具有包含在粘结剂材料内的磨料颗粒，其中，这些磨料颗粒包括微晶氧化铝，并且其中，该粘结剂材料包括含量小于2.0mol％的氧化锂(Li₂O)、以及含量小于10mol％的氧化硼(B₂O₃)。另一方面，所述磨料物品具有磨料本体，该磨料本体具有小于50vol％的孔隙率以及包含在粘结剂材料内的磨料颗粒，其中，这些磨料颗粒包括微晶氧化铝，并且其中，该粘结剂材料包括含量小于13mol％的碱金属氧化物以及含量小于2.0mol％氧化锂(Li₂O)的总含量。
粘结磨料物品

[发明专利]一种抗菌高阻燃电缆-CN201610197319.7有效
发明人：杨张平;董红玲 -专利权人：安徽富悦达电子有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01B7/295 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗菌高阻燃电缆，包括导体，在导体外包覆有绝缘层，在绝缘层外包覆有护套；护套采用硅橡胶复合材料制成，硅橡胶复合材料的原料包括：甲基乙烯基硅橡胶、聚氨酯、环氧树脂、乙烯‑乙酸乙烯酯橡胶、氧化锌、硬脂酸、2,5‑二甲基‑2,5‑双(过氧化叔丁基)己烷、异氟尔酮二异氰酸酯、含氢硅油、云母、氧化铝、可膨胀石墨、氢氧化铝、铁红、铁黄、蒙脱土、钛酸钾晶须、纳米铜、纳米氧化铈、改性纳米二氧化钛、乙烯基三乙酰氧基硅烷
高阻燃电缆抗菌绝缘层硅橡胶复合材料导体外包覆护套乙烯基三乙酰氧基硅烷环氧树脂异氟尔酮二异氰酸酯改性纳米二氧化钛甲基乙烯基硅橡胶四羟甲基硫酸磷乙酸乙烯酯橡胶云母过氧化叔丁基可膨胀石墨纳米氧化铈液体氟橡胶钛酸钾晶须含氢硅油抗菌性能氢氧化铝阻燃性能促进剂二甲基防老剂聚氨酯蒙脱土纳米铜氧化锌硬脂酸氧化铝己烷铁红铁黄乙烯

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810001342.X有效
发明人：德根特·史蒂芬;拉纳森·拉尔克;凡尔薛·史文;张世勋;爱德曼·克理斯夫;汤姆薛曼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心
申请日： 2008-01-09 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分区域形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之前，并没进行退火工艺。本发明在等效栅极氧化层厚度变薄及有效功函数偏移方面的结果可得到优异的成效。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种镍氢高温电池及其制造方法-CN200810027050.3有效
发明人：李中延;李群杰;杨思新 -专利权人：东莞市迈科科技有限公司
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01M2/28 文献下载
摘要：本发明提供的一种镍氢高温电池，包括正极、负极、电解液和电池隔膜；所述正极包括活性物质、添加剂、粘结剂；所述活性物质为添加了重量比为1％－5％的铒、钇或镱元素的氧化物或氢氧化物的其中一种或几种作为添加剂的特殊氢氧化镍；所述添加剂为重量百分比为5％－8％的CoO和重量百分比为1％－5％的铒或钇的氧化物；所述电解液包括氢氧化钠、氢氧化锂、水，还加入重量百分比为1％－5％的硼化合物作为添加剂。
一种高温电池及其制造方法

[发明专利]一种Ti-ECNU-5钛硅分子筛催化剂及其制备方法和应用-CN201610168955.7有效
发明人：吴鹏;徐乐;纪欣宜;季澎;吴海虹 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： B01J29/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ti‑ECNU‑5钛硅分子筛催化剂及其制备方法和应用，其特征在于该钛硅分子筛以钛、硅和氧元素为骨架元素，其摩尔组成用氧化物的无水形式表示为1/300~1/10TiO2：1.0SiO2，其制备方法包括晶体材料前躯体的合成、结构转变合成钛硅分子筛前躯体、酸处理和焙烧；该钛硅分子筛用于催化烃类化合物与乙腈和双氧水的选择性氧化反应及酮类或醛类化合物与溶剂和氨的氨氧化反应。本发明与现有技术相比具有骨架疏水性强，缺陷位少，催化氧化性能及催化稳定性好，尤其在烃类选择性氧化和酮类或醛类氨氧化反应中的催化活性明显提高。
一种 ti ecnu 分子筛催化剂及其制备方法应用