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[发明专利]一种磷铵系统用离心泵防故障装置及使用方法-CN202310773557.8在审
发明人：高培桥;孔令宇;高嘉;相亮 -专利权人：山东兖矿国际焦化有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F04D29/70 文献下载
摘要：包括清洗液管，所述清洗液管并联连接有第一清洗液阀、第二清洗液阀，第一清洗液阀连接有清洗液罐，第二清洗液阀并联连接有第三清洗液阀、第四清洗液阀，第三清洗液阀连接有清洗液泵，清洗液泵通过清洗液管连接清洗液罐出液端，第四清洗液阀通过清洗液管连通有进液管，进液管上连接有进液阀、离心泵，离心泵出液端通过出液管、回流管并联有出液阀、回流阀，回流阀通过回流管连接清洗液罐的进液端。本发明能够通过多种方式开展离心泵的清洗工作，操作灵活，使用简便，延长离心泵的有效工作时间，提高生产效率。
一种系统离心泵故障装置使用方法

[发明专利]一种清洗液-CN200910036022.2有效
发明人：陆新晓;王宝珊 -专利权人：无锡蠡湖叶轮制造有限公司
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： C11D7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种清洗液，尤其是一种清洗铝屑的清洗液。按照本发明提供的技术方案，一种清洗液，在300～350份的水内，依次加入硫酸铜粉末3～4份，工业碱氢氧化钠(NaOH)5～6份及水必清聚合氯化铝0.5～0.8份，混合搅拌均匀后，静止2～3分钟。本发明去污能力强，清洗效果好，快速且方便。
一种清洗

[实用新型]瀑式洁阴器-CN201520575152.4有效
发明人：常飞鹏 -专利权人：常飞鹏
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： A61H35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及瀑式洁阴器，包括清洗液控制阀芯、密封圈、弹簧、瓶盖、清洗液瓶、清洗液箱、阀盖和水盆，所述的清洗液瓶安装在清洗液箱上，该清洗液瓶的下端口与清洗液箱相通，上端口动配合的安装有清洗液控制阀芯，所述的清洗液控制阀芯通过弹簧安装在清洗液瓶内，所述的瓶盖安装在清洗液瓶上，对所述的清洗液控制阀芯进行限位；所述的清洗液瓶的下端口通过清洗液控制阀芯启闭；在清洗液箱远离清洗液瓶的一端设置有出液口，该出液口处安装有阀盖，所述的阀盖与水盆相对应。
瀑式洁阴器

[发明专利]一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液及清洗方法-CN201510541614.5在审
发明人：付红平;章金兵;彭也庆;李建 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2015-08-29 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C11D10/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗液，包括碱、清洗剂和水，碱为氢氧化钠或氢氧化钾，碱在清洗液中的质量百分浓度为3％-12％，清洗剂在清洗液中的质量百分浓度为3％-6％。本发明还提供了一种可减少硅片表面损伤层厚度的清洗方法，包括以下步骤：(1)将切割后的硅片进行预处理，以去除硅片表面的杂质；(2)将经步骤(1)预处理后的硅片置于清洗液中，在40-60℃条件下清洗200s-500s；(3)将经步骤(2)清洗后的硅片进行水洗，干燥后得到表面损伤层厚度减少的硅片。本发明提供的清洗液成分简单，成本较低。本发明提供的清洗方法简单易行，可以有效地减少硅片的表面损伤层厚度，提高了硅片的机械性能，同时有助于硅片制备成电池后光电转换效率的提升。
一种减少硅片表面损伤厚度清洗方法

[实用新型]一种船舶压载水处理用过滤器的在线清洗装置-CN201520320466.X有效
发明人：段东霞;刘光洲 -专利权人：青岛双瑞海洋环境工程股份有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： B01D35/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种船舶压载水处理用过滤器的在线清洗装置，其包括过滤器清洗管路及位于过滤器清洗管路上的清洗液配制罐。所述清洗液配制罐设有清洗液出口和清洗液回注口。所述过滤器清洗管路包括位于所述清洗液配制罐的清洗液出口和过滤器的入水口之间的清洗液注入管路，以及位于所述过滤器的出水口和所述清洗液配制罐的清洗液回注口之间的清洗液回注管路。所述清洗液配制罐内配制的清洗液经所述清洗液注入管路注入所述过滤器，并由所述清洗液回注管路回注至所述清洗液配制罐。本实用新型的在线清洗装置可以对过滤器上的污垢进行彻底清除，再生后的过滤器过滤能力恢复良好。
一种船舶水处理过滤器在线清洗装置

[发明专利]一种去除光阻残留物的清洗液-CN201310245600.X在审
发明人：刘兵;何春阳;孙广胜 -专利权人：安集微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂以及硅烷。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，对金属铜、铝等基本不腐蚀；在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。
一种去除残留物清洗

[发明专利]一种用于去除光阻残留物的清洗液-CN201310245618.X无效
发明人：刘兵;孙广胜;何春阳 -专利权人：安集微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于去除光阻残留物的清洗液及其组成。这种去除光阻残留物的清洗液含有季胺氢氧化物，醇胺，溶剂，有机多胺。该清洗液能够更为有效地去除晶圆上的光阻残留物，对金属铜等基本不腐蚀；在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。
一种用于去除残留物清洗

[发明专利]基板清洗液、其制备方法以及集成电路基板的清洗方法-CN201810841056.8在审
发明人：刘金章;杨欣泽 -专利权人：北京蜃景光电科技有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路基板的生产领域，提供了一种基板清洗液、其制备方法以及集成电路基板的清洗方法。该基板清洗液的组分按重量份数计包括超临界二氧化碳溶剂20‑30份、氢氟醇5‑8份、乙酸乙酯5‑8份、三氯乙烯5‑8份、去离子水30‑40份、乙二醇单乙醚10‑12份、N‑甲基吡咯烷酮10‑15份、碳酸氢钠该基板清洗液对集成电路基板的清洗效果佳，基板清洗液易于去除，并且对集成电路基板无损伤。其制备方法简单，获得的基板清洗液能够对基板进行很好的清洁。此外，集成电路基板的清洗方法，其包括将基板置于上述基板清洗液中进行清洗。清洗效果佳，集成电路基板的性能佳。
集成电路基板基板清洗液清洗制备清洗效果超临界二氧化碳甲基吡咯烷酮乙二醇单乙醚去离子水三氯乙烯碳酸氢钠乙酸乙酯对基板无损伤重量份溶剂氢氟去除清洁

[发明专利]一种用于医疗器具可循环杀菌的清洗装置-CN201710829332.4在审
发明人：赵红昌;陈伊苒 -专利权人：四川弘毅智慧知识产权运营有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于医疗器具可循环杀菌的清洗装置，涉及医疗机械设备技术领域，包括清洗消毒槽和设于清洗消毒槽内的清洗液，还包括净液槽、循环泵和循环管道，循环管道将清洗消毒槽内的清洗液通入至净液槽内净化后通过循环泵重新输送至清洗消毒槽内；净液槽内设有过滤板和放电产生器，放电产生器设于过滤板下方，放电产生器包括电源部以及与电源部电连接的阴电极和阳电极，通过净液槽底部输出的清洗液包括电源部对阴电极和阳电极施加的电压而在清洗液中产生流光放电生成的过氧化氢通过实施本技术方案，以解决随着清洗液长时间循环使用，其杀菌消毒功能逐渐减弱，即使循环利用清洗液也无法得到杀菌合格的医疗器具的问题。
一种用于医疗器具循环杀菌清洗装置

[发明专利]半导体器件用基板的清洗液及清洗方法-CN03804802.7无效
发明人：池本慎;河瀬康弘;森永均 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2003-01-27 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：至少含有以下的成分(A)、(B)及(C)的半导体器件用基板的清洗液和使用该清洗液的清洗方法。成分(A)：含有可有取代基(除苯基外)的烃基和聚氧化乙烯基，且烃基中的碳原子数(m)与聚氧化乙烯基中的氧化乙烯基数(n)的比(m/n)是1～1.5、碳原子数(m)是9或9以上、氧化乙烯基数(n)是7或7上述的清洗液不腐蚀基板表面，通过清洗除去粘在基板表面上的微粒或有机污染，将基板表面高度地清洁化。
半导体器件用基板清洗方法

[发明专利]一种清洗液组合物的应用-CN202211369078.1在审
发明人：王溯;蒋闯;冯强强;张怡;邢乃观;程鑫 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗液组合物的应用。该清洗液组合物可用于清洗微电子器件上的具有等离子体蚀刻后残余物和/或硬遮罩材料，该清洗液组合物包括下述质量分数的组分：氧化剂、0.001‑0.010％氧化型谷胱甘肽、半胱氨酸、0.01‑0.05％水溶性高分子本发明的清洗液组合物对多种金属及介电材料缓蚀性强；可以高度选择性地移除Ti、TiN、TaN、TiNxOy硬遮罩或包含上述物质的合金的硬遮罩；对具有等离子刻蚀后残余物和灰化后残余物清洗效果佳，具有良好的应用前景
一种清洗组合应用

[发明专利]TiN薄膜的刻蚀方法-CN201910812936.7在审
发明人：吕佳韦 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种TiN薄膜的刻蚀方法，该TiN薄膜包含氧化层；该刻蚀方法包括：步骤S1前处理步骤，采用第一清洗液，在第一清洗液温度下，清洗第一清洗时间；步骤S2主处理步骤，采用第二清洗液，在第二清洗液温度下，清洗第二清洗时间。在同一清洗腔内，进行完所述步骤S1之后，连续地进行所述步骤S2。据此，根据所述刻蚀方法，能够先将TiN薄膜表面的氧化层去除后，随即进行TiN薄膜，此时即消除了氧化层的影响，TiN薄膜的刻蚀速率并不会因在不同材料间的刻蚀而产生波动，从而能够对刻蚀速率进行监测，并且据此对刻蚀工艺参数进行调节
刻蚀清洗液薄膜清洗氧化层刻蚀工艺参数氧化层去除主处理步骤薄膜表面后续工艺精度提升精度要求湿法刻蚀前处理清洗腔减小监测制造

[发明专利]丝网印刷不良电池片的处理方法-CN202211278693.1在审
发明人：高永强 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种丝网印刷不良电池片的处理方法，包括如下步骤：将丝网印刷不良电池片置于含有碱金属氢氧化物和双氧水的第一清洗液中进行第一清洗；将第一清洗后的丝网印刷不良电池片置于含有硝酸和盐酸的第二清洗液中进行第二清洗本发明通过将丝网印刷不良电池片先置于含有碱金属氢氧化物和双氧水的第一清洗液中进行清洗，去除电池片上的有机脏污、无机颗粒物和金属杂质，并使银栅线上形成氧化层增强银栅线的亲水性；然后将电池片置于含有硝酸和盐酸的第二清洗液中进行清洗
丝网印刷不良电池处理方法

[发明专利]一种半导体基板清洗系统及方法-CN202211676847.2在审
发明人：沈宗豪;施利君;宋金林 -专利权人：苏州晶洲装备科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体基板清洗系统及方法，所述半导体基板清洗系统包括清洗室、循环模块与纳米气泡供给模块，所述清洗室分别连接所述循环模块与纳米气泡供给模块；所述清洗室内盛装有清洗液，待清洗基板浸没于所述清洗液中，所述循环模块用于控制所述清洗液进行原位循环，所述纳米气泡供给模块用于向所述清洗室内注入纳米气泡。本发明采用清洗液浸泡与纳米气泡的联合清洗方法，有效去除半导体基板表面的颗粒物、表面氧化物和其他难溶沉积物，增强清洗效果，有利于降低能耗与生产成本。
一种半导体清洗系统方法

[发明专利]晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法-CN202211180068.3在审
发明人：蔡雨杉;孙萱;刘耀聪 -专利权人：长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法，包括以下步骤：S1、在晶圆表面沉积二氧化硅薄层；S2、通过干法刻蚀工艺对晶圆沟槽侧壁以外的二氧化硅进行刻蚀后进行CMP工艺处理；S3、通过酸性清洗液对晶圆沟槽内的二氧化硅进行腐蚀后，使镶嵌在沟槽内的大颗粒沾污变为松动状态；S4、使用第一混合清洗液对晶圆进行清洗；S5、使用超声波对晶圆进行清洗；S6、通过兆声波配合第二混合清洗液去除晶圆上的微小颗粒。本发明通过在CMP前淀积二氧化硅薄层，CMP后利用腐蚀二氧化硅使沟槽内颗粒松动，结合超声波、兆声波加清洗液清洗的方式，解决了沟槽结构晶圆在经过CMP工艺加工后产生的颗粒沾污难以去除的问题。
晶圆 cmp 沟槽颗粒沾污去除方法