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[发明专利]清洗液、清洗方法和半导体晶片的制造方法-CN202080028580.9在审
发明人：柴田俊明;河瀬康弘 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种在研磨工序后使用的清洗液，其包含成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物；成分(B)：碱性化合物；以及成分(C)：水，表面活性剂的含量为0.001质量％以下。所述通式(1)中，R1、R2各自独立地表示羟基或酚基。
清洗方法半导体晶片制造

[发明专利]清洗液、清洗方法和半导体晶片的制造方法-CN201980055634.8在审
发明人：柴田俊明;河瀬康弘;原田宪;伊藤笃史;草野智博;竹下祐太朗 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及清洗液，其包含成分(A)：下述通式(1)所表示的化合物、成分(B)：烷基胺、成分(C)：多元羧酸、成分(D)：抗坏血酸，其中，成分(A)的质量相对于成分(B)和成分(C)的合计质量之比为1～15。(所述通式(1)中，R1、R2、R3分别与说明书中所记载的定义相同。)。
清洗方法半导体晶片制造

[发明专利]半导体器件用基板的清洗液、半导体器件用基板的清洗方法、半导体器件用基板的制造方法和半导体器件用基板-CN201880019482.1在审
发明人：柴田俊明;原田宪;草野智博;竹下祐太朗;河瀬康弘 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件用基板的清洗液，该清洗液的pH为8以上11.5以下，该清洗液含有：成分(A)：含有选自由下述通式(1)～(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种的化合物；成分(B)：抗坏血酸；成分(C)：多元羧酸或羟基羧酸；成分(D)：pH调节剂；以及成分(E)：水。(所述式中，R¹～R⁶、R¹¹～R¹⁷和R²¹～R²⁸分别与说明书中记载的定义相同。)
半导体器件清洗液基板化合物组成多元羧酸抗坏血酸羟基羧酸式中清洗制造自由

[发明专利]氮化硼凝聚粒子、含有该粒子的组合物、及具有包含该组合物的层的三维集成电路-CN201610370621.8有效
发明人：山崎正典;阿部麻理;村瀬友英;河瀬康弘;池本慎;桐谷秀纪;松下泰典 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m²/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
氮化凝聚粒子含有组合具有包含三维集成电路

[发明专利]氮化硼凝聚粒子、含有该粒子的组合物、及具有包含该组合物的层的三维集成电路-CN201610367841.5有效
发明人：山崎正典;阿部麻理;村瀬友英;河瀬康弘;池本慎;桐谷秀纪;松下泰典 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
氮化凝聚粒子含有组合具有包含三维集成电路

[发明专利]氮化硼凝聚粒子、含有该粒子的组合物、及具有包含该组合物的层的三维集成电路-CN201280058680.1有效
发明人：山崎正典;阿部麻理;村瀬友英;河瀬康弘;池本慎;桐谷秀纪;松下泰典 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m²/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
氮化凝聚粒子含有组合具有包含三维集成电路

[发明专利]三维集成电路叠层体、以及三维集成电路叠层体用层间填充材料-CN201280016243.3有效
发明人： 河瀬康弘;池本慎;桐谷秀纪 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种由兼备高导热性和低线膨胀性的层间填充材料组合物填充的三维集成电路叠层体。本发明的三维集成电路叠层体具有半导体基板叠层体，该半导体基板叠层体是将至少2层以上形成有半导体器件层的半导体基板叠层而得到的，其中，在该半导体基板之间具有第一层间填充材料层，所述第一层间填充材料层含有树脂(A)及无机填料(B)，并且导热系数为0.8W/(m·K)以上。
三维集成电路叠层体以及体用填充材料

[发明专利]三维集成电路用层间填充材料组合物、涂布液、以及三维集成电路的制造方法-CN201180049911.8有效
发明人：池本慎;河瀬康弘;村瀬友英;高桥淳;平井孝好;上村以帆 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C08G59/14 文献下载
摘要：本发明提供在半导体器件芯片的3D叠层化中，将半导体器件芯片间的焊料凸块等与触点接合的同时、形成导热性高的层间填充层的层间填充材料组合物、涂布液、以及三维集成电路的制造方法。所述三维集成电路用层间填充材料组合物含有树脂(A)及熔剂(B)，所述树脂(A)在120℃的熔融粘度为100Pa·s以下，且相对于树脂(A)每100重量份，熔剂(B)的含量为0.1重量份以上且10重量份以下；或者，其含有树脂(A)、无机填料(C)、以及固化剂(D)和/或熔剂(B)，所述树脂(A)在120℃的熔融粘度为100Pa·s以下、且其导热系数为0.2W/mK以上，所述无机填料(C)的导热系数为2W/mK以上、体积平均粒径为0.1μm以上且5μm以下、且最大体积粒径为10μm以下。
三维集成电路用层间填充材料组合涂布液以及制造方法

[发明专利]半导体器件用基板清洗液以及半导体器件用基板的制造方法-CN200880015508.1有效
发明人： 河瀬康弘;池本慎;伊藤笃史;石川诚 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件用基板清洗液，其对基板表面附着的颗粒或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属导致的复合污染的去除性和防止再附着性优异，不会腐蚀基板表面，能够高度洁净化。特别是提供低介电常数(Low-k)材料的清洗性优异的清洗液，低介电常数(Low-k)材料因疏水性而容易排斥试剂，并且颗粒去除性差。所述半导体器件用基板清洗液的特征在于，其含有(A)有机酸和(B)HLB值为5以上且小于13的非离子型表面活性剂。
半导体器件用基板清洗以及制造方法

[发明专利]镀金液以及镀金方法-CN200580037375.4无效
发明人：榊原利明;河瀬康弘;水谷文一;石川诚;铃木芳英;泽井敬一 -专利权人：三菱化学株式会社;夏普株式会社
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： C25D3/48 文献下载
摘要：本发明提供镀金液和镀金方法。所述镀金液具有与氰类镀金液相当的性能，并且毒性低而稳定。所述镀金液含有碘和/或碘离子、金离子以及具有至少4个碳原子的多元醇。具有至少4个碳原子的多元醇可以是二乙二醇或者三乙二醇。在该镀金液中，具有至少4个碳原子的多元醇的含量一般为10重量％～90重量％。该镀金液可以包含水。
镀金以及方法

[发明专利]电解质溶液及用其形成氧化物膜的方法、层叠体及其制造方法和金属氧化物膜-CN200580033894.3无效
发明人：水谷文一;榊原利明;河瀬康弘;石川诚 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： C25D11/06 文献下载
摘要：本发明提供电解质溶液及用其形成氧化物膜的方法、层叠体及其制造方法和金属氧化物膜。在主要成分为金属的待处理材料的表面上，通过阳极氧化形成不具有细孔和粗糙表面的光洁的高品质氧化物膜。所述电解质溶液用于通过阳极氧化在主要成分为金属的待处理材料表面上形成氧化物膜，所述电解质溶液含有作为主要溶剂的非水性溶剂，所述非水性溶剂含有醇羟基并具有大于或等于4个碳原子。所述非水性溶剂优选含有两个以上醇羟基，并特别优选是选自由二乙二醇、三乙二醇和聚乙二醇组成的组中的一种或两种以上溶剂。所述方法包括在所述电解质溶液中阳极氧化主要成分为金属的待处理材料的步骤。
电解质溶液形成氧化物方法层叠及其制造金属

[发明专利]含钛层用蚀刻液以及含肽层的蚀刻方法-CN200480023396.6无效
发明人：石川诚;河瀬康弘;齐藤范之 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明提供含钛层用蚀刻液和含钛层蚀刻方法，所述蚀刻液是蚀刻形成在硅基板上或硅酸类玻璃基板上的以选自钛、钛氧化物、钛氮化物以及钛氧氮化物中的1种或2种或2种以上为主要成分的含钛层的蚀刻液，是含有氟硅酸的含钛层用蚀刻液，能够以快的蚀刻速度且不会侵蚀基板地选择性地进行蚀刻。所述蚀刻方法是使用该蚀刻液蚀刻硅基板或硅酸类玻璃基板上的含钛层的蚀刻方法。氟硅酸是氢氟酸和硅或氧化硅反应生成的物质，对于硅或硅酸类玻璃是非活性的，而对于钛、钛氧化物、钛氮化物或钛氧氮化物具有充分的蚀刻性能，对于硅基板上或硅酸类玻璃基板上含钛层的蚀刻具有充分的选择性。
含钛层用蚀刻以及含肽层方法

[发明专利]半导体器件用基板的清洗液及清洗方法-CN03804802.7无效
发明人：池本慎;河瀬康弘;森永均 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2003-01-27 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：至少含有以下的成分(A)、(B)及(C)的半导体器件用基板的清洗液和使用该清洗液的清洗方法。成分(A)：含有可有取代基(除苯基外)的烃基和聚氧化乙烯基，且烃基中的碳原子数(m)与聚氧化乙烯基中的氧化乙烯基数(n)的比(m/n)是1～1.5、碳原子数(m)是9或9以上、氧化乙烯基数(n)是7或7以上的环氧乙烷型表面活性剂。成分(B)：水。成分(C)：碱或有机酸。上述的清洗液不腐蚀基板表面，通过清洗除去粘在基板表面上的微粒或有机污染，将基板表面高度地清洁化。
半导体器件用基板清洗方法

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