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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]表面处理化学铜制程清洗液中铜的循环利用方法-CN201210273680.5有效
发明人：傅新民;上野山卫;林诗诠;张芳淑;薛慕棨 -专利权人：华夏新资源有限公司
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：一种表面处理化学铜制程清洗液中铜的循环利用方法，包括如下步骤：利用清洗液储存槽储存清洗液，并利用碳纤维过滤器过滤清洗液的微小颗粒并吸附氯；利用臭氧氧化器产生臭氧以氧化有机物，并回送至清洗液储存槽；利用高压帮浦抽取并加压清洗液储存槽中的清洗液以形成高压处理液利用逆渗透模块接收高压处理液，且该逆渗透模块包含逆渗透膜，用以进行逆渗透处理，产生渗透过逆渗透膜的渗透液以及未渗透的浓缩液，且浓缩液至少包含高浓度的硫酸铜；以及将浓缩液输送出去，可当作镀液中铜的额外来源，具体实现回收清洗液中的化学铜
表面处理化学铜制清洗液中铜循环利用方法

[发明专利]掩模清洗液组合物及其制造方法、及掩模清洗液预组合物-CN201810026744.9在审
发明人：金圣植;金正铉;赵汉爀;高京俊 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C11D7/60 文献下载
摘要：本发明提供掩模清洗液组合物、掩模清洗液预组合物及掩模清洗液组合物的制造方法，所述掩模清洗液组合物包含含有羟基的碱性化合物、铵盐化合物、有机酸、过氧化氢和水。上述组合物提供不损伤掩模、并且通过氧化和溶解过程而快速去除蒸镀于掩模上的金属的效果。
掩模清洗液组合物预组合物清洗液碱性化合物铵盐化合物过氧化氢快速去除溶解过程有机酸蒸镀羟基制造损伤金属

[发明专利]一种镍钛氧化层清洗液及其制备方法及其应用-CN202310578928.7在审
发明人：王金波;胡建安;王于峰 -专利权人：苏州真懿医疗有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23G1/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种镍钛氧化层清洗液及其制备方法及其应用，清洗液其包括以下原料：HNO3450‑480ml/L，H2SO清洗液的制备方法为按配比，准确称取各原料，将各原料搅拌混匀，得镍钛氧化层清洗液。清洗液可应用于清洗镍钛合金材料表面的氧化层。本申请中的清洗液能够快速均匀的去除镍钛材料表面的氧化层，同时又可以抑制氢离子渗透到基材内部而产生氢脆现象，大大减弱清洗液对基材的腐蚀，降低基材受腐蚀的风险。
一种氧化清洗及其制备方法应用

[实用新型]高级氧化半导体清洗一体化装置-CN202122932232.9有效
发明人：周聿滔;罗峰辉 -专利权人：南京易德高臭氧有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了高级氧化半导体清洗一体化装置，包括工作组件、清洗液以及传送装置三部分。传送装置对半导体有序传送，避免遗漏并通过对称分布的臭氧传送机构以及超声波发生器同步对清洗液进行氧化分解工作，同时超声波发生器通过清洗液对半导体进行有效清洗，有效避免清洗液杂质对半导体内部的腐蚀破坏，提高清洗效果同时传送机构带动半导体至清洗液直接接触，并在超声波振动之下实现对半导体的有效清洗。
高级氧化半导体清洗一体化装置

[发明专利]制造半导体的工艺方法-CN201610853139.X在审
发明人：刘峰松;梁斌;赖红梅;蔡双 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体的工艺方法，包括以下步骤：S1、BPSG淀积形成绝缘层；S2、采用第一清洗液和第二清洗液分别对淀积后的BPSG进行第一次清洗，所述第一清洗液包括氢氧化铵和过氧化氢，所述第二清洗液包括氯化氢和过氧化氢；S3、退火；S4、采用所述第一清洗液和所述第二清洗液对退火后的BPSG进行第二次清洗；S5、在BPSG上进行PETEOS氧化层淀积；S6、进行光刻；S7、进行刻蚀；S8、淀积金属钨。
制造半导体工艺方法

[发明专利]一种金属铸件表面处理工艺-CN202210712667.9在审
发明人：牛梦莹;吴昌红;周金伟;卓从芳 -专利权人：牛梦莹
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明涉及金属加工领域，公开了一种金属铸件表面处理工艺，步骤如下：S1、将铸件码放整齐，并间隔三厘米以上；S2、将码放好的铸件从侧面放入超声波设备中；S3、开启超声波设备清洗，最后从侧面取出铸件；本方案能够将铸件从清洗液的侧面取出，避免清洗干净的铸件再次沾染油污，提高了清洗效果，再通过托板控制清洗液的升降，避免清洗液在兜网进出时泄露，同时清洗液的升降对铸件起到流动冲洗效果，进一步提高了清洗效果，通过在每次清洗后对氧化物和油渍进行分层收集处理，使清洗液中氧化物、油渍的占比始终保持较低的数值，避免超声波清洗时，这些已经分离了的氧化物、油渍、清洗液再次混合到一起，影响清洗效果。
一种金属铸件表面处理工艺

[发明专利]一种注塑件清洗与质量检测的方法-CN202310506849.5在审
发明人：曹承朝;王国庆;潘利华 -专利权人：湖南省永神科技有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种注塑件清洗与质量检测的方法，包括以下步骤：将待清洗的注塑件放入清洗槽中，在清洗槽中注入清洗液，并启动超声波清洗装置，使清洗液在超声波的作用下分散并溶解注塑件表面的油污、有机物、铁锈和氧化物等其中，所述清洗液包括碱性清洗液和酸性清洗液，其配比可以根据实际情况进行调整，碱性清洗液适用于去除油污和有机物，酸性清洗液适用于去除铁锈和氧化物。本发明具有清洗效率高、清洗质量好等优点，适用于工业生产中注塑件的清洗过程。
一种注塑清洗质量检测方法

[发明专利]一种单晶硅清洗液及预清洗工艺-CN201010618904.2无效
发明人：陆海斌;石劲超 -专利权人：百力达太阳能股份有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶硅清洗液及预清洗工艺。所述的单晶硅清洗液，其特征在于，由强碱、过氧化氢和水组成。所述的单晶硅预清洗工艺，其特征在于，具体步骤为：按比例将氢氧化钠、过氧化氢和水混合配制成单晶硅清洗液，加热到60～80℃；将原始硅片放入单晶硅清洗液中清洗。本发明的优点是：不仅可以达到较好的清洗效果，而且具有较好的稳定性、不易挥发，降低生产成本。
一种单晶硅清洗工艺

[发明专利]一种热轧钢板氧化层的环保清洗液及清洗方法-CN201310398230.3无效
发明人：李廷举;王同敏;曹志强;卢一平;李廷全;接金川 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C23G1/26 文献下载
摘要：本发明属于金属材料表面处理技术领域，涉及一种热轧钢板氧化层的环保清洗液及清洗方法。该环保清洗液在现有氧化剂的基础上，增加适量的添加剂合成，可以低成本、高效率的清洗热轧钢板。通过对使用过的清洗液进行循环再生，实现了环保型无排放，节约了污水处理高昂的费用。本发明所涉及的清洗液和清洗方法，具有工艺稳定、成本低廉、无污染、操作方便等优点，适用于清洗热轧钢板表面的氧化皮。
一种热轧钢板氧化环保清洗方法

[发明专利]硅化处理过程中有选择地清除层的清洗液及方法-CN200310119797.9有效
发明人：金相溶;李根泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种有选择地清除氮化钛层和非反应金属层的清洗液。清洗液包括酸液和含碘氧化剂。清洗液还可以有效地清除光阻层和有机物。而且，清洗液可以在钨栅极技术中使用，该技术能改进器件工作特性，因此已经被重视。
处理过程选择清除清洗方法

[发明专利]一种晶圆的清洗方法-CN202111677796.0在审
发明人：廖世保;徐铭;邓信甫 -专利权人：江苏启微半导体设备有限公司;至微半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆的清洗方法，包括如下步骤：将待清洗的晶圆采用第一清洗液进行清洗，第一清洗液为氢氟酸和硝酸的混合溶液，晶圆在第一清洗液中的处理时间为10‑60分钟；将经过第一清洗液处理后的晶圆进行冲洗后，采用第二清洗液进行清洗，第二清洗液为氨水和双氧水的混合溶液，晶圆在第二清洗液中的处理时间为5‑15分钟；将经过第二清洗液处理后的晶圆进行炉管加热，以形成氧化层，降温后采用第三清洗液进行清洗，第三清洗液为氢氟酸和盐酸混合溶液，晶圆在第三清洗液中的处理时间为10‑20分钟；将经过第三清洗液处理后的晶圆用水进行清洗，干燥，结束清洗。
一种清洗方法

[发明专利]一种清洗碳化硅晶片的方法及其应用-CN202310118584.1在审
发明人：田辉;林宏达;翟虎;宋亚滨 -专利权人：浙江兆晶新材料科技有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种清洗碳化硅晶片的方法及其应用。该方法包括：依次使用硫酸‑过氧化氢清洗液、氨水‑过氧化氢清洗液、盐酸‑过氧化氢清洗液、氢氟酸‑过氧化氢清洗液对碳化硅晶片进行清洗，得到碳化硅晶片IV。
一种清洗碳化硅晶片方法及其应用

[发明专利]碱性清洗液、酸性清洗液和超滤膜清洗方法-CN201810613053.9有效
发明人：任鹏飞;栾金义;杨永强;张新妙;奚振宇;彭海珠 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司北京化工研究院
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B01D65/06 文献下载
摘要：本发明提供了碱性清洗液、酸性清洗液和超滤膜清洗方法，碱性清洗液包括：表面活性剂、非氧化型杀菌剂和水，酸性清洗液包括：活性炭、金属离子络合剂和水，超滤膜清洗方法包括碱洗、酸洗和气擦洗。本发明提供的碱性清洗液和酸性清洗液在高温条件下性能温和，不会对膜本身的物理结构和性能产生影响，所提供的清洗方法能够高效去除残留在超滤膜表面和膜孔内的各类污染物，提高超滤膜的产水通量。
碱性清洗酸性超滤膜方法

[发明专利]一种清洗液组合物的制备方法-CN202211369671.6在审
发明人：王溯;蒋闯;冯强强;刘金霞;翟俊杰 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C11D1/722 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗液组合物的制备方法。该制备方法包括如下步骤：将所述的清洗液组合物中的各个组分混合，即得到所述的清洗液组合物；清洗液组合物包括下述质量分数的组分：氧化剂、0.001‑0.010％氧化型谷胱甘肽、半胱氨酸、0.01‑0.05％采用本发明的清洗液组合物的制备方法制得的清洗液组合物对多种金属及介电材料缓蚀性强；可以高度选择性地移除Ti、TiN、TaN、TiNxOy硬遮罩或包含上述物质的合金的硬遮罩；对具有等离子刻蚀后残余物和灰化后残余物清洗效果佳
一种清洗组合制备方法

[发明专利]一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法-CN201710641819.X有效
发明人：赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法，该清洗方法包括：使用聚合物清洗液去除最终抛光后的晶圆上残留的聚合物；使用包括氧化试剂的清洗液清洗所述晶圆；使用酸性清洗液清洗所述晶圆；使用包括氧化试剂的清洗液再次清洗所述晶圆该清洗方法可以避免抛光液中的聚合物与SC1发生脱水缩合反应，而产生会附着在晶圆上的、在整个清洗过程无法再去除的派生物，从而改善了清洗工艺的颗粒表现。
一种半导体最终抛光清洗方法

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