专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]去除基片表面残余质的方法-CN202010068297.0在审
  • 马岳 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2020-01-21 - 2021-08-06 - H01L21/02
  • 本发明涉及微电子技术领域,公开了一种去除基片表面残余质的方法,先将基片放置于工艺处理腔的样品台上,再控制样品台带动基片以预设转速旋转,然后将化学溶液喷洒在所述基片的表面上,以使得在基片的表面上形成一层均匀的液体薄膜,化学溶液中的氢氟酸与基片表面的氮化残余质进行反应,从而达到清除效果,另外,化学溶液中混合的二氧化碳可以防止在清洗过程中对基片内部的铜线圈进行腐蚀,而二氟甲烷、氮气和氧气组成的混合气体与基片的表面的残余进行反应,增强了清洗效果,从而获得良好的去除基片表面残余质的效果。
  • 去除表面残余物质方法
  • [实用新型]半导体存储装置-CN202122854401.1有效
  • 郭鹏;王远保 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2021-11-19 - 2022-05-03 - H01L27/108
  • 本揭露公开了一种半导体存储装置,半导体存储装置包括衬底、多个位线、条状隔离结构、导电残余、多个柱状隔离结构、以及多个导电插塞。多个位线位于衬底上,并且沿着第一方向延伸。条状隔离结构位于多个位线的末端,沿着第二方向延伸,并且包含缝隙,其中导电残余位于缝隙中。多个柱状隔离结构彼此分离的位于在多个位线间。多个导电插塞彼此分离的位于多个位线间,其中导电插塞和导电残余包含相同的导电材料。
  • 半导体存储装置

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