专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]层状结构-CN202211354272.2在审
  • A·D·约翰逊;A·M·乔尔 - IQE公开有限公司
  • 2022-11-01 - 2023-05-05 - H01S5/183
  • 公开了层状结构。一种层状结构包括具有第一变形的基板;此外形成器件并具有第二变形的一个或多个器件层;相对于基板是赝晶的并且具有第三变形的变形控制层。变形控制层被选择以使得第一变形、第二变形和第三变形之和与目标变形水平相匹配。有利地,层状结构具有受控的、已知的变形,该变形可以是压缩的、拉伸的或零。
  • 层状结构
  • [实用新型]半导体装置-CN202222047703.2有效
  • A·D·约翰逊 - IQE公开有限公司
  • 2022-08-04 - 2023-03-21 - H01S5/183
  • 本公开涉及半导体装置。公开了一种半导体装置(100,200,300,400,500),包括:衬底(104);所述衬底(104)上的第一反射器(106);所述第一反射器(106)上的光发射层(107),其中,所述光发射层(107)包括活动区域(108A‑C),并且其中每个活动区域(108A‑C)包括彼此不同的主要发射波长;对应的活动区域(108A‑C)上的第二反射器(114A‑C);和对应的活动区域(108A‑C)上的孔(110A‑C)。
  • 半导体装置
  • [发明专利]选择性蚀刻和二氟化氙的形成-CN201210028545.4无效
  • 吴定军;E·J·小卡瓦基;A·马利卡朱南;A·D·约翰逊 - 气体产品与化学公司
  • 2010-01-27 - 2012-07-18 - H01L21/3213
  • 本发明涉及选择性蚀刻和形成二氟化氙。尤其涉及用于从二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光致抗蚀剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和其混合物选择性除去下述材料的工艺,比如:硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、铌、硼、磷、锗、砷和其混合物。该工艺与下列重要应用相关,即用于半导体沉积腔室和半导体工具、微电动机械系统(MEMS)中的器件、以及离子注入系统的清洁或蚀刻工艺。本发明也提供通过将Xe与含氟化学品反应而形成XeF2的方法,其中,所述含氟化学品选自F2、NF3、C2F6、CF4、C3F8、SF6、从上游等离子发生器产生的含F原子的等离子体和它们的混合物。
  • 选择性蚀刻氟化形成

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