专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1376346个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种心电图电子测量尺-CN201811194443.3在审
  • 不公告发明人 - 何正林
  • 2018-10-15 - 2020-04-21 - A61B5/0402
  • 本发明公开了一种心电图电子测量尺,它由功能按钮区,纵向电压测量基准尺,纵向电压定位尺,横向间期测量基准竖线,横向等间期竖线,横向间期与心率显示,纵向电压幅度显示组成。功能按钮区域的按钮细微调整纵向和横向测量;纵向电压测量基准尺,用于固定测量电压时心电图顶部的位置;总线电压定位尺,用于固定测量电压时心电图底部的位置;横向间期测量基准竖线,用于固定横向间期测量起始位置;横向等间期竖线,由若干等间期宽度的刻度竖线组成,用于标识心电波形间期关系;在纵向电压基准尺上,显示当前测量的横向间期与心率值,以及纵向电压值。
  • 一种心电图电子测量
  • [发明专利]液晶显示装置及其公共电压补偿方法-CN201510256783.4有效
  • 李亚锋;戴文君;谢颖颖 - 昆山龙腾光电有限公司
  • 2015-05-20 - 2017-05-10 - G09G3/36
  • 本发明实施例公开了一种液晶显示装置及其公共电压补偿方法,属于显示技术领域。其中所述公共电压补偿方法包括对液晶显示面板的显示区域模拟m条横向线和n条竖向线;模拟m条横向线的公共电压,根据模拟的对应m条横向线公共电压得到对应m条横向线的栅源极寄生电容;根据计算的对应m条横向线的栅源极寄生电容,得到对应m条横向线的补偿电容值;重新计算出对应m条横向线的公共电压;以及判断相邻横向线的公共电压之间差值是否小于标准值,若是,则根据对应m条横向线的补偿电容值对液晶显示装置中的栅源极寄生电容进行补偿,以使沿m条横向线方向的公共电压分布均匀。本发明使沿m条横向线方向的公共电压分布均匀,从而提升了画面显示品质。
  • 液晶显示装置及其公共电压补偿方法
  • [发明专利]高分辨率电压感测阵列-CN200780053046.8有效
  • L·E·圣马丁;E·L·戴维斯 - 哈里伯顿能源服务公司
  • 2007-05-21 - 2010-03-31 - G01V3/00
  • 一种在用于确定井眼壁的毗邻部分的电阻率的井下测井仪中执行高横向分辨率电压测量的装置和方法。两个电流电极由激发源供电,以在井眼壁中建立振荡电场。测量来自横向隔开的电压电极行中的每个电压电极相对于与该电极行纵向隔开的共用电压电极的电压降。与测得电流组合使用该差分电压以确定井眼的电阻率值。包括了具有与第一行电极横向偏移的电极的第二行横向隔开的电压电极,以提供高横向分辨率。测量共用电压电极处的公共模式电压,并使用它来使电阻率测量误差最小化。
  • 高分辨率电压阵列
  • [发明专利]用于电机的控制方法、控制装置和电机-CN201510789400.X有效
  • 丹尼尔·本克;迈克尔·哈恩奇;斯特凡·金策尔;卡斯滕·施平德勒 - 西门子公司
  • 2015-11-17 - 2018-08-31 - H02P21/05
  • 电机的第一有源部件借助换向器接通到供电电压上并由此加载交流电流系统的电流。为控制装置预设速度理论值。其根据该值更新基本整流角。其根据交流电流系统的电流和整流角度确定纵向和横向电流,它们与电机第二有源部件相关。控制装置将横向电流理论值和横向电流送给横向电流调节器,其由此确定横向电压理论值。控制装置将纵向电流理论值和纵向电流送给纵向电流调节器,其由此确定纵向电压理论值。控制装置根据纵向、横向电压理论值和整流角度确定对于交流电压系统的要由换向器输出给第一有源部件的电压表征性的数据并为换向器预设该数据。控制装置利用基本整流角度和衰减整流角度确定整流角度,其利用横向和纵向电压理论值确定衰减整流角度。
  • 用于电机控制方法装置
  • [发明专利]具有二极管耦合的隔离环的LDMOS-CN202010262849.1在审
  • 林欣;张志宏;程序;祝荣华 - 恩智浦美国有限公司
  • 2020-04-03 - 2020-10-20 - H01L29/78
  • 一种用于提高横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的击穿电压的方法包括将场效应晶体管(FET)的第一阱偏置到第一电压。所述第一阱与第二阱横向分离。响应于所述第一电压超过连接在所述隔离环与所述第一阱之间的二极管的击穿电压将隔离环充电到第二电压。所述隔离环横向包围所述FET并接触在所述第一阱和所述第二阱下方延伸的掩埋层(BL)。将衬底偏置到小于或等于所述第一电压的第三电压。所述衬底在所述BL下方横向延伸并接触所述BL。
  • 具有二极管耦合隔离ldmos
  • [发明专利]用于不要求偏置电流的磁饱和检测器的芯组件-CN202080056816.X在审
  • W·波利夫卡;F-S·哈姆达 - 电力集成公司
  • 2020-08-17 - 2022-03-18 - G01R33/12
  • 本文公开了一种包括将横向分量引入到功率通量密度矢量中的歪斜特征的磁芯组件。磁芯组件包括具有中心部段的下芯和具有中心部段的上芯。中心部段被对齐以形成中心柱。接收电流的功率绕组缠绕在中心柱周围。芯组件还包括具有横向分量和非横向分量的功率通量密度矢量。与非横向分量相比,横向分量具有更高的磁阻。当组件与横向绕组一起使用时,来自磁芯组件的横向分量在横向绕组上产生横向电压波形。可以观察横向电压波形以检测横向电压波形的斜率的符号的变化。斜率的符号的变化指示磁饱和。
  • 用于要求偏置电流饱和检测器组件
  • [实用新型]一种横向高压晶体管-CN201220252284.X有效
  • 唐纳徳·迪斯尼;欧力杰·米力克 - 成都芯源系统有限公司
  • 2012-05-29 - 2013-04-10 - H01L29/78
  • 提出了一种横向高压晶体管。根据实用新型实施例的横向高压晶体管包括利用其栅区和第一掩埋层分别作为“顶栅”和“底栅”的JFET,当施加于漏区上的电压超过了JFET的夹断电压时,所述JFET夹断以保护横向高压晶体管不被击穿。从而使横向高压晶体管可以在不必牺牲其击穿电压的情况下仍可能获得较低的导通电阻。另外横向高压晶体管还可以包括第二掩埋层,用于将源区与衬底隔离,从而允许源区承担比衬底电压更高的电压,以满足一些应用场合的需求。
  • 一种横向高压晶体管

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top