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[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN200410033379.2无效
发明人：米田健司 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-04-07 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：通过蚀刻去掉热氧化形成的第1氧化膜(3)的一部分。将热硝酸作用于该去掉的部位(4)，形成第2氧化膜(6)。使用低能量的氮等离子体(8)将这两个氧化膜(3、6)氮化，作为氮氧化膜的第1栅极绝缘膜(11)及第2栅极绝缘膜(12)。其目的是要提供能够精确控制膜厚、形成适应高速驱动需要的很薄的栅极绝缘膜、进而在进行氮化时能够不穿透到半导体基板侧的半导体装置的制造方法，以及具有良质的很薄的栅极绝缘膜、半导体基板侧几乎未被氮化的半导体装置
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN97117010.X无效
发明人：孙正焕 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-09-23 - 公布日： 2002-12-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤在半导体衬底上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成栅极；在栅极上形成栅帽盖；在衬底中栅极外部形成重掺杂区；在包括栅帽盖的栅极侧面上形成第一侧壁；向下刻蚀栅极绝缘膜外的衬底至具有最高杂质浓度的那部分该方法可以防止热载流子注入到栅氧化膜中或侧壁中，并可减少结电流泄漏和短沟道效应的发生。
半导体器件制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201410378466.5有效
发明人：田中淳;世古畅哉;林健一 -专利权人： NLT科技股份有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述有源矩阵基板在每个像素的非透射区域中包括透明基板、多晶硅膜、栅极绝缘膜、栅极电极、层间绝缘膜、以及包括图案化导电膜的漏极层，并且在每个像素的透射区域中包括透明电极、栅极绝缘膜、以及层间绝缘膜。层间绝缘膜包括层间绝缘膜比每个透射区域的中央部处的层间绝缘膜更薄的区域部。所述区域部分别设置为在彼此相邻的图案化导电膜之间延伸，并进一步设置为不与透射区域和置于多晶硅膜的LDD部上的区域重叠。
显示装置及其制造方法

[发明专利]液晶显示器-CN200610164703.3无效
发明人：阿部诚;田中勉;津村诚 -专利权人：株式会社未来视野
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：在第1基板(SUB1)上具有栅极布线(GL)，该栅极布线(GL)局部地形成薄膜晶体管的栅极(GT)，施加扫描信号；栅极绝缘膜(GI)，该栅极绝缘膜(GI)以覆盖栅极布线的方式形成；半导体层(nS/S)，该半导体层(nS/S)呈岛状地形成于栅极绝缘膜上，构成薄膜晶体管的有源层；在上述栅极绝缘膜(GI)上，并且分别与半导体层连接的源极(SD1)和漏极(SD2)；与漏极(SD2)连接的像素电极(PX)，在由绝缘性膜的堤(G－BNK、SD－BNK、P－BNK)围绕的区域内部，通过以喷墨方式涂敷的导电性溶液的焙烧的方式，形成由栅极布线(GL)和栅极(GT)、源极(SD1)和漏极(SD2)，像素电极(PX)，这些堤中的任意者仅仅设置于由设在第2基板(SUB2)中的挡光膜(BM)隐蔽的区域内部，不设置于显示区域。
液晶显示器

[发明专利]采用水平电场的薄膜晶体管基板及其制造方法-CN200410088814.1有效
发明人：柳洵城;赵兴烈 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-11-04 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用水平电场的薄膜晶体管基板结构，该结构包括一基板；在基板上由第一导电层彼此平行地形成的栅极线和公共线；在基板、栅极线和公共线上形成的栅极绝缘膜；由第二导电层在栅极绝缘膜上形成的数据线，该数据线与栅极线和公共线交叉以限定一像素区；连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；覆盖数据线和薄膜晶体管的保护膜；由第三导电层形成的连接到公共线的公共电极，该公共电极设置在贯穿保护膜和栅极绝缘膜的第一孔内；以及连接到薄膜晶体管并且由第三导电层形成的像素电极，该像素电极设置在像素区贯穿保护膜和栅极绝缘膜的第二孔内，所设置的像素电极和公共电极限定一水平电场。
采用水平电场薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列、其制造方法以及包括其的显示装置-CN202211071798.X在审
发明人：文庆周;高承孝;N·温 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管，其包括：氧化物半导体的有源层；栅极，栅极设置在有源层上方或下方，并且与有源层间隔开并与有源层的至少一部分重叠；以及栅极绝缘膜，栅极绝缘膜位于有源层与栅极之间，其中，有源层包括铜(Cu
薄膜晶体管阵列制造方法以及包括显示装置

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN200310119783.7无效
发明人：小山正人;西山彰;中崎靖;铃木正道;上牟田雄一;金子明生 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括衬底和MISFET，MISFET包括在衬底中形成的源极－漏极区和在衬底上形成的栅电极，并且栅极绝缘膜介于它们之间。该栅极绝缘膜由包含金属－氧－氮键链的金属氮氧化合物膜形成。可选地，栅极绝缘膜由包含金属－氧－氮键链和硅－氧－氮键链中至少一种的渗氮金属硅酸盐膜形成。
半导体器件制造方法

[发明专利]电容器结构-CN201410041396.4有效
发明人：郑喆浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：第一栅极绝缘膜在基板上，第一栅极图案在第一栅极绝缘膜上。第一指形电极在第一栅极图案上，第二指形电极在第一栅极图案上并与第一电极交替地设置以在水平方向上与第一电极间隔开。第一电极连接到第一栅极图案，第二电极和第一栅极图案彼此绝缘。
电容器结构

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201010500091.7有效
发明人：山成真市;吉福良一;筱原正昭;丸山隆弘;川井健治;广田祐作 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种半导体器件的制造方法，用于提高包括MISFET的半导体器件的可靠性，该MISFET具有高介电常数栅极绝缘体和金属栅极电极。形成包含Hf、La和O作为主要成分的第一含Hf绝缘膜作为用于n沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。形成包含Hf、Al和O作为主要成分的第二含Hf绝缘膜作为用于p沟道MISFET的高介电常数栅极绝缘体。然后通过干法蚀刻来形成金属膜和硅膜并对它们进行构图以由此形成第一和第二栅极电极。随后通过湿法蚀刻来去除所述第一和第二含Hf绝缘膜的未由第一和第二栅极电极覆盖的部分。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种沟槽型MOSFET器件源区的形成方法-CN202310414969.2在审
发明人：余恒文;铃木键之;李旻姝;郑英豪;马利奇;洪吉文 -专利权人：浙江萃锦半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：MOSFET器件源区的形成方法，属于半导体领域，包括以下步骤：准备P型硅基座，并在P型硅基座上生长一层外延层；在外延层上形成N型区域；在N层区域上形成伸出外延层的沟槽；通过热氧化法在沟槽的内壁和底部形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜内沉积掺杂多晶硅作为栅电极；在栅电极上边涨膜边掺入B杂质，形成掺杂的绝缘层。本发明通过将栅极的厚度控制在N型区厚度以内，在栅极涨一层掺杂浓度较大的绝缘膜层，借助高温热处理工艺使得绝缘膜层中的杂质扩散至沟槽两边形成源区，可有效抑制源区载流子空穴向栅绝缘膜扩散，提高栅极绝缘膜的耐压性，消除助长栅极绝缘膜耐压老化。
一种沟槽 mosfet 器件形成方法

[发明专利]半导体存储器件以及其制造方法-CN200710085087.7无效
发明人：筱智彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：半导体存储器件具备：由半导体材料构成的支撑衬底(SUB)，设在支撑衬底上的绝缘膜(BGI)，贯通绝缘膜、与支撑衬底连接的半导体膜(11)，设在绝缘膜上的漏极层(D)，设在绝缘膜上、与半导体膜连接的源极层(S)，设在漏极层和源极层之间、呈电浮置状态、可以为了存储数据而存储电荷的主体区域(B)，设在主体区域上的栅极绝缘膜(GI)，和设在栅极绝缘膜上的栅极(G)。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法-CN201680062000.1在审
发明人：齐藤贵翁;神崎庸辅;中泽淳;伊东一笃;金子诚二 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：阵列基板(11b)包括：玻璃基板(GS)；多个输入端子部(28)；栅极绝缘膜(16)以及第一层间绝缘膜(19)，其中栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)相对于玻璃基板(GS)的板面成为倾斜状且至少一部分的倾斜角度设为35°以下；第一平坦化膜(20)，其中第一平坦化膜端部(20a)相对于玻璃基板(GS)的板面成为倾斜状且其倾斜角度大于栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)的倾斜角度；以及多个端子布线部(29)，其横跨栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)以及第一平坦化膜端部(20a)并且与多个输入端子部(28)连接。
栅极绝缘膜显示基板第一层绝缘膜端部玻璃基板平坦化膜输入端子部显示装置倾斜状板面阵列基板布线部绝缘膜制造横跨

[发明专利]半导体装置-CN202080084342.X在审
发明人：林泰伸 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置(1)包含：半导体层(11)；在第一方向上隔开间隔而形成于半导体层(11)的源极区域和漏极区域；栅极绝缘膜(16)，其形成为覆盖源极区域及漏极区域之间的沟道区域；栅极电极(17)，其形成在栅极绝缘膜(16)上，隔着栅极绝缘膜(16)与沟道区域相对。栅极绝缘膜(16)具有：主要部(16A)，该主要部(16A)上形成有栅极电极(17)；延长部(16C)，该延长部(16C)从主要部(16A)的与第一方向正交的第二方向两侧分别向外方突出，在延长部(16C
半导体装置

[发明专利]宽带隙半导体装置-CN201780096413.6在审
发明人：中村俊一 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的宽带隙半导体装置，包括：第一导电型的漂移层12；由形成在漂移层上的第二导电型构成的阱区20；设置在阱区20上的源极区域31；设置在漂移层12以及阱区20上的栅极绝缘膜60；设置在栅极绝缘膜60与阱区20之间的场绝缘膜62；设置在栅极绝缘膜60上的栅电极125；以及与栅电极125电气连接的栅极衬垫120，其中，场绝缘膜62具有在面方向上延伸的凹部，阱区20具有与设置在凹部处的源极衬垫110电气连接的阱接触区域
宽带半导体装置

[发明专利]显示装置-CN202011320843.1在审
发明人：田中哲弘;金荣奎;金泰植;金希娟;徐基盛;李承炫;张炅宇;郑锡宇 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示装置包括：硅系第一薄膜晶体管，配备于基板上；第一层间绝缘膜，覆盖所述第一薄膜晶体管；有源图案，配备于所述第一层间绝缘膜上，并且使用厚度的铟‑镓‑锌氧化物；栅极绝缘膜，覆盖所述有源图案；栅极图案，布置在所述栅极绝缘膜上；以及第二层间绝缘膜，覆盖所述栅极图案。
显示装置